7. ビーム応用

7.3 リソグラフィ

3月17日　9:30～17:30　　会場：6号-W

17a-W - 1～11

  • 1極端紫外線干渉露光装置の開発兵庫県立大学 ○木村瑛彦，阪上尚規，福島靖之，原田哲男，渡邊健夫，木下博雄
  • 2 EUVILにおける透過型回折格子の設計兵庫県立大 ○（DC）福島靖之，阪上尚規，木村瑛彦，井口貴文，山口裕也，多田将樹，原田哲男，渡邊健夫，木下博雄
  • 3 極端紫外線干渉露光用透過型回折格子の開発兵庫県立大学 ○井口貴文，福島靖之，坂上尚規，釜地義人，木村瑛彦，山口裕也，多田将樹，原田哲男，渡邊健夫，木下博雄
  • 4 EUV露光装置光学系に発生したカーボン汚染のXANES測定立命館大生命科1，立命館大ＳＲセンター2，半導体先端テクノロジーズ3 ○眞田智衛1，小島一男1，池田弘幸2，渡辺　巌2，太田俊明2，西山岩男3，穴澤俊久3，高木紀明3，須賀　治3
  • 5 EUVマスク上のコンタミネーション発生　（Ｉ）CD-SEM、3D-AFMによる非対称被覆形状の観察半導体先端テクノロジーズ1，日立ハイテクノロジーズ2 ○穴澤俊久1，西山泰史1，田中雄介1，田中稔彦1，須賀　治1，西山岩男1，門脇康浩2，佐藤英寿2
  • 6 EUVマスク上のコンタミネーション発生（II）非対称被覆形状の成長モデリングSelete ○西山岩男，穴澤俊久，有澤幸恭
  •  休憩　11:00～11:15
  • 7 炭化水素と水分が共存する環境におけるＥＵＶ照射による炭素膜堆積の非線形性兵庫県大高度研1，キヤノン2，ニコン3 ○新部正人1，古井田啓吾3，中山貴博2，寺島　茂2，三宅　明2，久保博義2，角谷幸信3，松成秀一3，青木貴史3，河田真太郎3
  • 8 EUVマスクの新オゾンクリーニング方法半導体先端テクノロジーズ1，明電舎2 ○穴澤俊久1，高木紀明1，須賀　治1，西山岩男1，三浦敏徳2，花倉　満2
  • 9 EUVマスクブランクス検査における欠陥検出性能の向上MIRAI-Selete ○山根　武，田中稔彦，寺澤恒男，須賀　治
  • 10 極端紫外線（EUV）用ガラスマスク欠陥における Critical Dimension の同定兵庫県立大学1，旭硝子中央研究所2 ○釜地義人1，高瀬　啓1，宇野俊之2，原田哲男1，渡邊健夫1，木下博雄1
  • 11 LFB/PW超音波材料解析システムによるTiO2-SiO2超低膨張ガラスのゼロCTE温度の評価および制御東北大院工1，産総研2 櫛引淳一1，○荒川元孝1，大橋雄二1，吉田　翔1，近藤貴則1，丸山由子1，山田修史2
  •  昼食　12:30～13:30

17p-W - 1～15

  • 1 ネガ型レジストHSQのEB露光保存安定性の向上兵県大1，JST-CREST2，JSPS3 ○（B）大本慎也1,2，岡田　真1,2,3，姜　有志1,2，中井康喜1,2，神田一浩1,2，春山雄一1,2，松井真二1,2
  • 2 高解像度ネガ型レジストCalix Arene とHSQとのEB露光特性比較兵県大1，JST-CREST2，JSPS3，トクヤマ4 ○大本慎也1,2，岡田　真1,2,3，姜　有志1,2，神田一浩1,2，春山雄一1,2，東野誠司4，松井真二1,2
  • 3 X線光電子分光(XPS)を使ったポリヒドロキシスチレン薄膜における酸発生剤の深さプロファイルの研究阪大産研1，JST-CREST2 ○山本洋揮1,2，古澤孝弘1,2，田川精一1,2
  • 4 EUV用フッ素含有レジストの検討半導体先端テクノロジーズ1，ダイキン工業2 ○ジュリウスジョセフ サンティリャン1，山下恒雄2，森田正道2，田中義人2，井谷俊郎1
  • 5 EUVレジストにおけるパターン倒れ改善の検討半導体テクノロジーズ ○白石豪介，松永健太郎，井谷俊郎
  • 6 EUVリソグラフィにおけるハーフピッチ2x nm世代向けフレア補正技術の検討Selete 宇野太賀，有澤幸恭，青山　肇，○田中稔彦
  • 7 フルフィールドEUV露光装置の限界解像性能評価半導体先端テクノロジーズ ○俵山和雄，青山　肇，松永健太郎，馬越俊幸，有澤幸恭，宇野太賀
  • 8 EUV小領域露光装置（SFET)におけるXe流量最適化の検討半導体先端テクノロジーズ ○白井精一郎，馬越俊幸，関　三好，田中裕之
  •  休憩　15:30～15:45
  • 9 原子状水素とフォトレジストとの化学反応金工大1，東京応化2 ○山本雅史1，丸岡岳志1，河野昭彦1，堀邊英夫1，大箭哲史2
  • 10 ArF露光環境中H2S不純物によるヘイズ生成東芝　デバイスプロセス開発センター1，東芝　研究開発センター2，ニコン3 ○上村絵理1，玉置真希子1，幡野正之1，相賀史彦2，松浦恵二3，堀田佳成3，平林英史3
  • 11 立体サンプルの平面と垂直壁への液浸斜め一括露光豊田工大 ○佐々木実，細野貴文，熊谷慎也
  • 12 屈折率分布型レンズアレイを用いた投影露光リソグラフィ技術の検討東京電機大院先端 ○小林宏史，堀内敏行
  • 13 集束プロトンビーム描画によるPMMA母型を用いた高アスペクト比Ni電鋳芝工大1，原子力機構2 ○田邊裕介1，西川宏之1，渡辺　徹1，関　佳裕1，佐藤隆博2，石井保行2，神谷富裕2
  • 14 集束プロトンビーム描画によるSU-8モールドを用いたPDMSマイクロ流路の作製芝工大工1，原子力機構2，首都大東京3 ○椎根康晴1，西川宏之1，森　敏輝1，佐藤隆博2，石井保行2，神谷富裕2，中尾亮太3，内田　諭3
  • 15 レジストレス低加速電子線直接描画によるGaAs自然酸化膜の熱安定化及び選択昇華エッチングによるGaAsファセット構造制御関西学院大学理工学研究科 ○（M1C）廣川優樹，後藤大輝，石渡明日香，牛尾昌史，松田一宏，金子忠昭