6. 薄膜・表面

17a-TQ - 1～11

• 1 スピンコート法によるCuAlO₂薄膜の作製新潟大自然研¹，新潟大工²，新潟大超域^{3 ○}萩原篤志¹，坪井　望^2,3，金子双男^1-3
• 2 ミストCVD法によるp型Cu₂O薄膜の作製と物性評価京大院工 ^○福井　裕，藤田静雄
• 3 水素添加In₂O₃透明導電膜の固相結晶化に伴う電気・光学特性の変化（II）産総研¹，ジェー・エー・ウーラム・ジャパン²，岐阜大^{3 ○}鯉田　崇¹，近藤道雄¹，堤　浩一²，坂口明夫²，鈴木道夫²，藤原裕之³
• 4 UBMS法及びBS法によるITO薄膜の低温結晶化の検討新潟大¹，東京工芸大^{2 ○}中村陽平¹，高橋沙季¹，劉　　暢¹，清水英彦¹，岩野春男¹，永田向太郎¹，星　陽一²
• 5 高電気伝導性アモルファスNbO_x薄膜の作製東北大学WPI-AIMR ^○大澤健男，鈴木　竜，大久保純平，橋詰富博，一杉太郎
•  休憩　11:15～11:30
• 6 PDP用MgO保護膜におけるトラップ準位の解析広島大院先端研 ^○末貞和真，北垣昌規，梶山博司
• 7 Cu-doped ZnO Films Deposited by RF Magnetron Sputtering Method on ITO/Glass早大理工¹，早大材研²，台湾成功大^{3 ○}蕭　至宏^1,3，竹内登志男²，堀越佳治^1,2，吉川正晃¹，タナワット ブンプラサット¹，張　守進³
• 8 透明フレキシブルAll-GZO-ReRAMの素子特性と抵抗変化機構鳥取大工¹，TEDREC²，尾池工業^{3 ○（B）}田中隼人¹，木下健太郎^1,2，奥谷　匠¹，牧野達也¹，檜木利雄^1,3，大観光徳^1,2，岸田　悟^1,2
• 9 TiO₂膜作製用スパッタ型酸素ラジカル源工芸大 ^○石原太樹，佐藤紀幸，望月翔平，上栗賢人，飛坂真幸，橋本　一，雷　　浩
• 10 酸素イオンアシスト反応性蒸着法によるTiO₂膜の結晶化促進法の検討東京工芸大工 ^○佐藤紀幸，石原太樹，望月翔平，飛坂真幸，上栗賢人，星　陽一
• 11 CVDと超臨界流体を利用した酸化物成膜過程の比較東海大院工 ^○秋山泰伸，奥村優夢
•  昼食　13:00～14:00

17p-TQ - 1～16

• 1 アナターゼ型二酸化チタンの電子構造上智大理工¹，東工大院理工^{2 ○}杉田真理¹，江森万里¹，坂間　弘¹，小澤健一²
• 2 高周波スパッタリングにより作成された高電気伝導酸化チタン薄膜愛知工科大学工¹，岐大工^{2 ○}坂口鋼一¹，深澤正樹¹，嶋川晃一²，畑中義式¹
• 3 アナターゼ型Li_xTiO₂エピタキシャル薄膜の電気輸送特性と電子状態東大院理¹，KAST²，東大院工³ 竹内詩人¹，^○近松　彰¹，廣瀬　靖^1,2，島田敏宏^1,2，組頭広志³，尾嶋正治³，長谷川哲也^1,2
• 4 誘電泳動法によって作製したTiO₂ナノチューブFETの電気伝導特性の評価阪府大¹，長技技科大^{2 ○}石井将之¹，寺内雅裕²，吉村　武¹，中山忠親²，藤村紀文¹
• 5 傾斜構造を有するTiO₂-ポリアニリン複合膜の光蓄電性鹿児島大 院　理工¹，鹿児島大　工^{2 ○}野見山輝明¹，笹部賢一¹，高石勝裕¹，上野和起¹，堀江雄二¹
• 6 TiO₂/WO₃/GNF積層薄膜の光蓄電性鹿児島大 院 理工 ^○窪田真伍，福崎達也，日高吉基，野見山輝明，堀江雄二
• 7 酸化チタン薄膜における粒子間付着力と表面吸着水の相関東芝 ^○小泉正子，東野一郎，牧野伸顕
• 8 電気泳動による酸化チタンナノ粒子の分散媒中での挙動の評価同志社大理工 伊東一篤，^○（B）川上　亮，佐藤祐喜，足立基齊，森　康維，吉門進三
•  休憩　16:00～16:15
• 9 スパッタリングによるTiO₂:N薄膜多結晶の配向性静岡大工 高山明大，高橋崇宏，^○江間義則
• 10 TiC粉末をターゲットに用いた反応性スパッタ法によるTiO₂光触媒薄膜の作製芝浦工大 ^○鈴木健太郎，斎藤　覚，石井智之，斎藤寛己，石川博康，長友隆男
• 11 プラズマCVD法による親水性酸化チタン薄膜の室温形成茨城大工 ^○山内　智，鈴木裕美
• 12 バナジン酸ガラス超微粒子を複合化したナノ構造TiO₂薄膜の光触媒特性電気通信大学電気通信学部量子・物質工学科¹，東海産業² 宮里清大¹，森重　明²，^○沈　　青¹，豊田太郎¹
• 13 ALD法により作製したTiO₂薄膜の光触媒特性東芝生産技術センター¹，芝浦メカトロニクス^{2 ○}松葉　博¹，大河原聡史²，池上友佳子¹，尾上誠司¹
• 14 CdS量子ドットを吸着した逆オパール構造TiO₂電極の光音響スペクトル電通大量子物質工 大西陽平，押鐘敬太，鮎澤康正，沈　　青，^○豊田太郎
• 15 多孔質ZnO薄膜の作製と光音響分光特性評価電通大量子物質工¹，産総研² 山田修三¹，細野英司²，周　豪慎²，沈　　青¹，^○豊田太郎¹
• 16 改良型ヘテロダイン過渡回折格子法による酸化チタンナノ粒子薄膜の電子・熱拡散率評価電気通信大学¹，中央大学² 秦　啓晃^1,2，片山建二²，^○沈　　青¹，豊田太郎¹

18a-TQ - 1～11

• 1高周波スパッタリングによる酸化チタン薄膜の光伝導特性愛科大院 ^○深澤正樹
• 2 強誘電体PbTiO₃薄膜界面による光析出反応の制御東京大学物性研究所¹，ノルウェー科学技術大学²，東京工業大学応用セラミックス研究所^{3 ○}高橋竜太^1,2，片山正士³，高田真太郎³，ミック リップマー¹，チャン ヨウ²，オースティン ダール²，ヨースタイン グレプスタッド²，松本祐司³，トーマス ティーベル¹
• 3 LaドープされたAサイト終端面のSrTiO₃電界効果トランジスタ東大新領域¹，東大物性研^{2 ○（DC）}西尾和記¹，大塚怜奈¹，ミッコ マトヴィエフ²，高橋竜太^1,2，ミック リップマー^1,2
• 4 原子層堆積法による絶縁膜を用いたSrTiO₃電界効果トランジスタ東北大金研¹，東北大WPI材料機構²，CREST-JST^{3 ○}菅沼憲正¹，上野和紀²，塚崎　敦¹，川崎雅司^1,2,3
• 5 パルスレーザー堆積法により作製したLaAlO₃薄膜のカチオン組成東大新領域¹，JST^{2 ○（M1）}佐藤弘樹¹，樋口卓也¹，Christopher Bell^1,2，疋田育之¹，Harold Hwang^1,2
•  休憩　11:15～11:30
• 6 TiO₂:Nb薄膜のGaNへのヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー東北大多元研¹，住友金属鉱山^{2 ○}羽豆耕治¹，アリィ フォウダ¹，中山徳行²，田中明和²，秩父重英¹
• 7 ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO₂薄膜の堆積(2)東北大多元研¹，住友金属鉱山^{2 ○}アリィ フォウダ¹，羽豆耕治¹，中山徳行²，田中明和²，秩父重英¹
• 8 室温強磁性半導体Ti_1-xCo_xO_2-dの電界誘起強磁性東北大金研¹，東北大WPI材料機構²，科技機構さきがけ³，科技機構戦略⁴，東大工^{5 ○}山田良則¹，上野和紀²，福村知昭^1,3，袁　洪涛^1,4，下谷秀和^1,4，岩佐義宏^5,4，川崎雅司^1,2,4
• 9 化学溶液析出法を用いたZnO系薄膜のキャラクタリゼーション豊技大¹，大阪立工研²，産総研^{3 ○（M1）}草野雄也¹，品川　勉²，石塚尚吾³，仁木　栄³，伊崎昌伸¹
• 10 SrTiO₃/LaTiO₃/SrTiO₃構造における磁気抵抗特性東大新領域¹，東大物性研^{2 ○（M2）}大塚怜奈^1,2，西尾和記^1,2，ミッコ マトウ゛ィエフ²，ミック リップマー^1,2
• 11 CaFeO_2.5薄膜の還元・再酸化による配向の変化京大科研 ^○境口　綾，松本和也，河合正徳，市川能也，島川祐一
•  昼食　13:00～14:00

18p-TQ - 1～17

• 1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  SrTiO₃におけるδドープ電界効果型トランジスタ東大新領域¹，東大工学部²，JST^{3 ○（D）}小塚裕介¹，栗田　萌²，金　民祐¹，クリストファー ベル^1,3，疋田育之¹，ハロルド ファン^1,3
• 2 内部光電効果法を用いた強内部電場下におけるSrTiO₃の誘電率測定東大新領域¹，JST^{2 ○}川村元秀¹，疋田育之¹，ハロルド ファン^1,2
• 3 Au/Nb:SrTiO₃界面におけるSrTiO₃の誘電率の温度依存性東大新領域¹，JST^{2 ○}疋田育之¹，川村元秀¹，ハロルド ファン^1,2
• 4 マンガン酸化物をベースとした磁気トランジスタの作製東大新領域¹，JST^{2 ○（D）}矢嶋赳彬¹，疋田育之¹，ハロルド ファン^1,2
• 5 終端面制御したLa_0.6Sr_0.4MnO₃/Nb:SrTiO₃ へテロ接合のポテンシャル深さ分布東大院工¹，JST-CREST²，東大放射光機構³，JST さきがけ⁴，高輝度科学センター^{5 ○（P）}簑原誠人¹，堀場弘司^1,2,3，組頭広志^1,2,4，池永英司⁵，尾嶋正治^1,2,3
• 6 PLD法により組成制御されたSrMnO₃薄膜の原子構造解析東大新領域¹，NIMS²，東大総研³，JFCC-NSRL⁴，東北大WPI^{5 ○}小林俊介¹，徳田祥典¹，大西　剛²，溝口照康³，柴田直哉³，幾原雄一^3,4,5，山本剛久^1,4
• 7 EuTiO₃ エピタキシャル薄膜の磁気誘電効果(2)東大院理¹，KAST²，東北大^{3 ○（D）}畑林邦忠¹，広瀬　靖^1,2，近松　彰¹，中尾祥一郎^1,2，一杉太郎^2,3，島田敏宏^1,2，長谷川哲也^1,2
• 8 磁歪基板上に堆積したVO2薄膜の磁場センサーへの応用東大新領域¹，東大物性研^{2 ○（M2）}菊月達也¹，Mikk Lippmaa^1,2
•  休憩　16:00～16:15
• 9 V_1-xW_xO₂ (0 ≤ x ≤ 0.33) エピタキシャル薄膜の金属-絶縁体転移理研CMRG¹，東北大WPI²，東大工³，ERATO-MF^{4 ○（P）}渋谷圭介¹，川崎雅司^1,2，十倉好紀^1,3,4
• 10 PLD法によるNd_1-xSm_xNiO₃薄膜の製膜と物性評価産総研¹，CREST^{2 ○}浅沼周太郎^1,2，向　平華^1,2，山田浩之¹，井上　公^1,2，佐藤　弘¹，澤　彰仁^1,2，赤穗博司^1,2
• 11 NiO単結晶薄膜ReRAMの熱フォーミング京大化研¹，NECデバプラ研^{2 ○（D）}河合正徳¹，伊藤仁彦²，市川能也¹，島川祐一¹
• 12 NiO多結晶-ReRAMにおける結晶性とメモリ特性鳥大工¹，TEDREC^{2 ○}土橋一史¹，木下健太郎^{1, 2}，牧野達也¹，依田貴稔¹，岸田　悟^{1, 2}
• 13 遷移金属酸化物抵抗スイッチング素子におけるForming時の酸素拡散イメージング東大新領域¹，理研²，MST^{3 ○}矢島　健¹，藤原宏平²，中尾愛子²，小林知洋²，田中俊之²，洲之内啓²，鈴木嘉昭²，小島健太郎³，武田麻衣³，中村吉伸¹，谷口耕治¹，高木英典^1,2
• 14 平面型ReRAM素子におけるフォーミング現象初期過程の直接観察芝浦工大工 ^○鈴木和典，小酒慎也，弓野健太郎
• 15 電極/Pr_0.7Ca_0.3MnO₃界面電子状態の電極依存性東大院工¹，JST-CREST²，JST さきがけ³，東大放射光機構^{4 ○（DC）}安原隆太郎¹，山本大貴¹，大久保勇男^1,2，組頭広志^1,3,4，尾嶋正治^1,2,4
• 16 抵抗変化を示すAl/La_0.33Sr_0.67FeO₃界面における電子状態解析東大院工¹，JSTさきがけ²，東大放射光機構³，JST-CREST^{4 ○（M1）}山本大貴¹，安原隆太郎¹，大久保勇男^1,2，組頭広志^1,2,3，尾嶋正治^1,3,4
• 17 高温におけるAlSiON/AlN/SiCの電気特性阪大院工 ^○小松直佳，本城正智，木村千春，青木秀充，杉野　隆

19a-TQ - 1～11

• 1複合微粒子テンプレートを用いた噴霧熱分解法によるマルチスケール多孔構造をもつNa₂W₄O₁₃結晶薄膜の作製信州大院工¹，信州大工²，大阪工大工^{3 ○}藤澤真紀¹，手嶋勝弥²，李　先炯²，藤井秀司³，大石修治²
• 2 熱によりCu2O ナノワイヤーの合成名古屋工業大学 ^○（D）梁　剣波，岸　直希，曽我哲夫，神保孝志
• 3 陽極酸化アルミナのバンド構造物材機構 ^○原田善之，児子精祐，李　政祐，加藤誠一，大吉啓司，中野嘉博，北澤英明，木戸義勇
• 4 同時スパッタ法を用いて作製したAl₂O₃薄膜のスイッチング特性物質・材料研究機構¹，日本GIT^{2 ○}李　政祐¹，中野嘉博²，原田善之¹，児子精祐¹，加藤誠一¹，北澤英明¹，木戸義勇¹
• 5 シリコン基板上に成長した短い格子定数のMgO薄膜神奈川県産技センター¹，茨城大工²，東工大総理工^{3 ○}金子　智¹，永野隆敏²，秋山賢輔¹，伊藤　健¹，安井　学¹，曽我雅康¹，平林康男¹，舟窪　浩³，吉本　護³
•  休憩　11:15～11:30
• 6 パーヒドロポリシラザンから作製したSiO₂膜のガスバリア特性共同印刷 ^○渕田泰司，高橋　敦
• 7 急速熱処理還元法で作製したマグネタイト（Fe₃O₄）薄膜の磁気伝導特性甲南大理工¹，甲南大ナノテク研²， 阪大院理³，産総研　ﾅﾉﾃｸ研^{4 ○}村上智彦¹，小堀裕己^1、2，山崎篤志^1、2，杉村　陽^1、2，谷口年史³，田中深幸⁴，内藤泰久⁴，清水哲夫⁴
• 8 高アスペクト比Moマスクを利用したエピタキシャル酸化物ナノ構造の作製阪大産研 ^○車　南構，神吉輝夫，田中秀和
• 9 酸化物ナノアイランドを用いた紫外線センサの開発香川高専 ^○桟敷　剛，黒田真実，田中智彦，岡野　寛
• 10 ZnO系色素増感太陽電池における色素吸着電通大　量子・物質工 ^○山梨裕介，権田智洋，小林直樹
• 11 酸化物半導体ヘテロ接合を用いたソーラーセルの検討産総研ナノ電子デバイス ^○野田周一，島　　久，秋永広幸
•  昼食　13:00～14:00

19p-TQ - 1～17

• 1 ナノ結晶酸化タングステン薄膜を用いたメタノールの気相光触媒分解京大院工¹，京大ICC^{2 ○}シワジ サダレ¹，野田　啓¹，小林　圭²，松重和美¹
• 2 硬X線光電子分光測定による室温巨大相転移WドープVO₂薄膜の電子状態評価阪大産研¹，NIMS/SPring-8^{2 ○（M1）}高見英史¹，神吉輝夫¹，上田茂典²，小林啓介²，Cha Nam-Goo¹，田中秀和¹
• 3 VO₂薄膜を用いた確率共振素子のマルチチャネル特性評価阪大産研¹，群馬大院工^{2 ○}神吉輝夫¹，堀田育志¹，浅川直紀²，川合知二¹，田中秀和¹
• 4 ハーフメタル酸化物Sr₂FeMoO₆薄膜のコンビナトリアル手法による合成と評価東工大 応セラ研 ^○門田祥悟，松本祐司，笹川崇男
• 5 LaSrNiO₄の低温還元による構造変化京大化研 ^○市川能也，境口　綾，松本和也，河合正徳，島川祐一
• 6 La_1-xSr_xMnO₃ 薄膜成長におけるSrO のサーファクタント効果の検証東大院工¹，JST さきがけ²，JST-CREST³，東大放射光機構^{4 ○}古川陽子¹，簑原誠人¹，組頭広志^1,2,4，尾嶋正治^1,3,4
• 7 Aサイトオーダーペロブスカイト型酸化物強磁性体CaCu₃Mn₄O₁₂のエピタキシャル薄膜の作製 (2)東大院工¹，東工大応セラ研²，東大新領域³，JST-CREST⁴，SRRO^{5 ○（M1）}磯部真里¹，大久保勇男¹，下山淳一¹，松本祐司²，鯉沼秀臣³，尾嶋正治^4,5
• 8 サファイア基板上に成長したバナジウム酸化膜の相転移特性に対するポストアニール効果東海大工 ^○沖村邦雄
•  休憩　16:00～16:15
• 9 反強磁性体Sr_2-xLa_xVMoO₆のキャリアドープ効果名大院工 ^○松島宏行，後藤大尚，竹田陽一，植田研二，浅野秀文
• 10 RMnO₃/ZnOヘテロ構造デバイスのチャネル伝導特性阪府大工 ^○（B）山田裕明，福島匡泰，吉村　武，藤村紀文
• 11 HfO₂固体電解質メモリの作製と評価鳥取大学工学研究科¹，鳥取大学工学部付属電子ディスプレイ研究センター^{2 ○}中林竜也¹，木下健太郎^1,2，岸田　悟^1,2
• 12 Cu/Ta₂O₅/Pt構造におけるスイッチ動作の温度依存性物材機構¹，JST-CREST^{2 ○}鶴岡　徹^1,2，寺部一弥¹，長谷川剛^1,2，青野正和¹
• 13 非平衡電流計算による酸素欠陥移動の評価東北大院工 ^○（D）三浦基人，清水幸弘
• 14 王水エッチングを用いたSrTiO₃(100)基板の表面観察東北大WPI-AIMR¹，東大院理^{2 ○}清水亮太^1,2，大澤健男¹，岩谷克也¹，長谷川哲也²，橋詰富博¹，一杉太郎¹
• 15 PLD-STM/STS によるSrTiO₃ホモエピタキシャル薄膜の局所電子状態解析東北大学WPI-AIMR ^○大澤健男，岩谷克也，清水亮太，橋詰富博，一杉太郎
• 16 界面ダイポールを用いたSrRuO₃/Nb:SrTiO₃ショットキー障壁高さの制御東大新領域¹，JST^{2 ○（D）}矢嶋赳彬¹，疋田育之¹，ハロルド ファン^1,2
• 17 水電気分解によるSrTiO₃の金属-絶縁体可逆変化名大院工&JSTさきがけ¹，JFCC²，東工大フロンティア³，JST ERATO-SORST⁴，東大総研^{5 ○}太田裕道¹，佐藤幸生²，加藤丈晴²，金　聖雄³，野村研二⁴，幾原雄一⁵，細野秀雄^3,4

20a-TQ - 1～11

• 1密度汎関数理論に基づくReRAM動作原理に関する解析阪大院工 ^○岸　浩史，中西　寛，笠井秀明
• 2 金ナノ粒子による抵抗変化型メモリ中の導電パスの制御奈良先端大¹，CREST^{2 ○}川野健太郎^1,2，上沼睦典^1,2，鄭　　彬^1,2，山下一郎^1,2，浦岡行治^1,2
• 3 CoOナノ粒子の抵抗変化メモリ応用奈良先端大¹，CREST^{2 ○}上沼睦典^1,2，川野健太郎^1,2，吉井重雄¹，山下一郎^1,2，浦岡行治^1,2
• 4 TiY_xO_y膜の化学結合状態分析および抵抗変化特性評価広大院　先端研 ^○大田晃生，カマルザマン モハマドファイルズ，後藤優太，村上秀樹，東清一郎，宮崎誠一
• 5 NiO-ReRAMにおけるフィラメント物性の解明鳥取大工¹，鳥取大ディスプレイ研究センター^{2 ○}木下健太郎^1,2，牧野達也¹，土橋一史¹，依田貴稔¹，岸田　悟^1,2
•  休憩　10:15～10:30
• 6 抵抗変化メモリ(ReRAM)のフォーミングレス化に関する研究鳥取大工¹，TEDREC^{2 ○（B）}依田貴稔¹，木下健太郎^1,2，牧野達也¹，土橋一史¹，岸田　悟^1,2
• 7 Mo酸化物による抵抗変化型メモリの電気的特性評価北海道大学大学院情報科学研究科 ^○梶　宏道，川西敬仁，近藤洋史，藤井孝史，有田正志，高橋庸夫
• 8 AFM電流同時測定によるReRAM用アルミ陽極酸化膜の電流経路の観察物材機構 ^○大吉啓司，児子精祐，井上純一，酒井　治，北澤英明，木戸義勇
• 9 RFスパッタ法によるTaO_x-ReRAM素子の作製と信頼性評価アルバック半導体電子技術研究所 ^○福田夏樹，栗原秀直，堀田和正，吉田善明，小風　豊，西岡　浩，鄒　弘綱
• 10 HfO₂-RRAM のフォーミングにおける電極材料と熱処理の影響シャープ基盤研¹，産総研ナノ電子^{2 ○}中野貴司¹，島　　久²，玉井幸夫¹，大西茂夫¹，粟屋信義¹，秋永広幸²
• 11 Tiと反応した抵抗スイッチング層における化学結合状態のナノスケール分析産総研ナノ電子¹，シャープ基盤研^{2 ○}島　　久¹，中野貴司²，秋永広幸¹