6. 薄膜・表面

18a-TV - 1～11

• 1 イリジウム/サファイアへのエピタキシャルダイヤモンド薄膜成長II青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング²，並木精密宝石^{3 ○（M2）}熊木大介¹，児玉英之¹，鈴木一博²，古滝敏朗³，澤邊厚仁¹
• 2 エッチピット法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング^{2 ○}市川公善¹，児玉英之¹，鈴木一博²，澤邊厚仁¹
• 3 低メタン濃度成膜中間層の導入によるボロンドープヘテロエピタキシャルダイヤモンドの電気特性の向上青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング^{2 ○}知野大仁¹，児玉英之¹，阿部　諭¹，山崎幸太¹，鈴木一博²，澤邊厚仁¹
• 4 Bドープヘテロエピタキシャルダイヤモンドのカソードルミネッセンスによる評価青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング²，物材機構^{3 ○（M2）}山崎幸太¹，児玉英之¹，鈴木一博²，寺地徳之³，澤邊厚仁¹
• 5 直流プラズマCVDを用いたリンドープn形ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製II青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング²，物材機構^{3 ○（M2）}阿部　諭¹，児玉英之¹，鈴木一博²，寺地徳之³，小泉　聡³，澤邊厚仁¹
•  休憩　11:15～11:30
• 6 人工衛星搭載ダイヤモンドPINフォトダイオード物材機構¹，ベルギー王立観測所²，ハッセルト大^{3 ○}小泉　聡¹，Ali Benmoussa²，Ken Haenen³，Milos Nesladek³
• 7 ダイヤモンド紫外線センサにおける永続的光伝導及び光伝導利得の機構-II-物材機構¹，パリ電子工研^{2 ○}小出康夫¹，廖　梅勇¹，井村将隆¹，ホセ アルバレッツ²，ジーンポール クライダー²
• 8 重元素併用型ダイヤモンド放射線検出器の評価阪大院工¹，アロカ²，阪大工^{3 ○}佐東秀徳^1,2，井上孝弘³，毎田　修^1,3，伊藤利道^1,3
• 9 ダイヤモンド・ショットキーダイオードの耐放射線性東芝研開セ¹，北大院工^{2 ○}鈴木真理子¹，酒井忠司¹，金子純一²
• 10 単結晶ダイヤモンドの接合による大面積ウェハの作成産総研ダイヤ研 ^○山田英明，茶谷原昭義，杢野由明，坪内信輝，鹿田真一，藤森直治
• 11 干渉顕微鏡による厚い単結晶ダヤモンド膜応力の評価産総研　ダイヤモンド研究センター ^○（PC）馮　宗宝，茶谷原昭義，杢野由明，山田英明，坪内信輝，鹿田真一
•  昼食　13:00～14:00

18p-TV - 1～17

• 1 ホモエピタキシャルダイヤモンド大型自立膜の結晶性評価(II)産総研ダイヤRC¹，産総研エレRI^{2 ○}坪内信輝¹，杢野由明¹，梅沢　仁¹，山口博隆²，茶谷原昭義¹，鹿田真一¹
• 2 ＣＶＤダイヤモンドにおける成長丘と貫通転位との関係NTT物性基礎研 ^○嘉数　誠
• 3 リンドープCVDダイヤモンド-電極界面構造のHRTEM解析阪大院工 ^○林　尚史，毎田　修，伊藤利道
• 4 Ｇａ-ＦＩＢ照射ダイヤモンド表面の評価産総研 ^○（PC）Kumaragurubaran Somu，山田貴壽，鹿田真一
• 5 ダイヤモンド基板上に形成したAu/TiおよびAu/Pt/Ti膜のRBS分析神奈川大理 ^○星野　靖，加藤健一，斎藤保直，中田穣治
• 6 FT-ESRを用いたダイヤモンド中の窒素の高感度定量筑波大図情¹，東京ガス²，住友電工³，物材機構^{4 ○}磯谷順一¹，中村和郎²，角谷　均³，谷口　尚⁴，神田久生⁴
• 7 ダイヤモンド系薄膜合成と熱伝導計測（１）産総研　ダイヤＲＣ¹，産総研　計測標準² ヨンソプ ユン¹，山田貴壽¹，^○鹿田真一¹，八木貴志²，竹歳尚之²，山田修史²
• 8 ダイヤモンドSBD順方向動作時のウェハ内温度分布評価産総研 ^○梅沢　仁，鹿田真一
• 9 ダイヤモンドモットダイオード物材機構 ^○寺地徳之，小出康夫
•  休憩　16:15～16:30
• 10 気相合成ダイヤモンド粒子からの電子放出の面内分布東大生研 ^○野瀬健二，光田好孝
• 11 電流注入によるn型ダイヤモンド薄膜NEA表面からの電子放出産総研エネ¹，筑波大院数物^{2 ○}竹内大輔¹，牧野俊晴¹，加藤宙光¹，平林　泉¹，大串秀世¹，山崎　聡^1,2
• 12 水素終端ダイヤモンドのNO₂吸着による正孔濃度の時間的変化NTT物性基礎研 ^○嘉数　誠，ミハエル クボヴィッチ
• 13 PTFEによる水素終端ダイヤモンドMOSFETの出力特性向上早大理工 ^○佐藤隼介，柘植恭介，津野哲也，小野　祐，川原田洋
• 14 Si終端ダイヤモンド早稲田大学 ^○小野　祐，津野哲也，石山雄一郎，石井陽子，佐藤隼介，川原田洋
• 15 様々な面のダイヤモンド基板上への窒化アルミニウム結晶成長物材機構¹，名城大^{2 ○（PC）}井村将隆¹，中島清美¹，廖　梅勇¹，小出康夫¹，天野　浩²
• 16 単結晶ダイヤモンド上の強誘電体ＰＺＴ薄膜の堆積物質材料研究機構 ^○廖　梅勇，中島清美，井村将隆，小出康夫
• 17 ダイヤモンド／ＰＺＴ接合を用いた金属‐強誘電体‐絶縁体‐半導体キャパシタの作製及びデバイス特性物質材料研究機構 ^○廖　梅勇，井村将隆，小出康夫

19a-TV - 1～10

• 1 ＣＶＤダイヤモンドのＡｓドーピングとｎ型伝導の発現NTT物性基礎研 ^○嘉数　誠
• 2 ホウ素ドープ層のナノ構造化によるp型CVDダイヤモンドの高機能化阪大院工 ^○青野雅之，毎田　修，伊藤利道
• 3 ホットフィラメントＣＶＤ法を用いた溶液原料からの高濃度ホウ素ドープダイヤモンド膜の作製岡山大自然¹，JST-CREST^{2 ○}土居智彰¹，深石　翼¹，平井正明¹，村岡祐治^1,2，横谷尚睦^1,2
• 4 選択成長法を用いた高濃度リンドープダイヤモンド層の導入による(001)面縦型PINダイオードの特性改善産総研¹，金沢大²，筑波大^{3 ○}加藤宙光¹，牧野俊晴¹，小倉政彦¹，徳田規夫^1,2，小山和博^1,3，竹内大輔¹，大串秀世¹，山崎　聡^1,3
• 5 低オン抵抗化と高耐圧化を同時に実現するダイヤモンドSchottky-pnダイオード産総研¹，金沢大²，筑波大^{3 ○}牧野俊晴¹，加藤宙光¹，徳田規夫²，小倉政彦¹，竹内大輔¹，小山和博^1,3，大串秀世¹，山崎　聡^1,3
•  休憩　11:15～11:30
• 6 スプレー熱分解法によるカーボン微粒子からのアモルファスカーボンナノファイバーの合成名工大 ^○張　剣輝，イゾール カトリ，岸　直希，曽我哲夫，神保孝志
• 7 ラジカル注入型PECVDを用いたカーボン膜のバイアス依存名大院工¹，名大プラズマナノ工学センター^{2 ○}木野徳重¹，近藤真悟¹，近藤博基¹，関根　誠^1,2，堀　　勝^1,2
• 8 低速電子線誘起反応と低温トンネル反応により合成した炭素膜のＴＥＭ観察山梨大学クリーンエネ研¹，ものづくり教育実践²，山梨大学クリスタル科学研^{3 ○}森田直樹¹，伊東佑将¹，渡辺　陵¹，荒井哲司¹，佐藤哲也¹，山本千綾²，有元圭介³，山中淳二³，中川清和³
• 9 軟X線照射による水素化DLC膜からの水素放出過程兵庫県立大高度研¹，原研^{2 ○}神田一浩¹，戸出真由美²，寺岡有殿²，松井真二¹
• 10 原子状水素を照射したダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態弘前大理工¹，東北大通研^{2 ○}遲澤遼一¹，中澤日出樹¹，遠田義晴¹，末光眞希²
•  昼食　12:45～14:00

19p-TV - 1～17

• 1 ＤＬＣ膜のトライボ化学反応による潤滑膜の生成産総研 ^○大花継頼，呉　行陽，中村挙子，田中章浩
• 2 水素化アモルファス炭素膜の摩擦・摩耗特性に与える基材の影響長岡技大¹，東工大^{2 ○}伊藤大樹¹，土屋貴晃¹，大塩茂夫¹，赤坂大樹¹，大竹尚登²，齋藤秀俊¹
• 3 SOI基板の炭化処理による極薄カーボン膜の形成九工大工学府先端機能 ^○（M1）芹川泰介，中尾　基
• 4 DLC/金属積層膜の特性の検討金沢工業大学 ^○宮本康平，東本充司，池永訓昭，作道訓之
• 5 ドライプロセスによるカーボン膜のフッ素官能基光化学修飾産総研 ^○中村挙子，大花継頼
• 6 Arのマイクロ波放電フロー中でのテトラメチルシランの分解を用いた硬質a-SiC_x膜の形成 (1) 硬度測定と組成分析長岡技科大工 ^○大柿　猛，戸田育民，赤坂大樹，齋藤秀俊，伊藤治彦
• 7 Arのマイクロ波放電フロー中でのテトラメチルシランの分解を用いた硬質a-SiC_x膜の形成 (2)局所構造解析長岡技科大¹，兵庫県大　高度研²，神戸大^{3 ○}和田　晃¹，大柿　猛¹，新部正人²，田川雅人³，齋藤秀俊¹，神田一浩²，伊藤治彦¹
• 8 DLC膜に対する酸素プラズマエッチングの効果長岡技科大¹，兵庫県大理²，兵庫県大 高度研³，長岡技科大 極エネ^{4 ○}和田　晃¹，安川智之²，水谷文雄²，新部正人³，鈴木常夫⁴，齋藤秀俊¹，伊藤治彦¹，神田一浩³
• 9 Ar/C₂H₂のECRプラズマCVDにおけるa-C:H成膜へのH₂Oの影響長岡技科大工 ^○越村克明，鈴木常生，齋藤秀俊，伊藤治彦
•  休憩　16:15～16:30
• 10 Arのマイクロ波放電フローによるCH₃CNの分解過程の解析長岡技科大工 ^○越村克明，和田　晃，新木一志，伊藤治彦
• 11 CH₃CNのマイクロ波放電分解によるa-CN_x :H膜の形成長岡技科大工 ^○福原　翔，大柿　猛，齋藤秀俊，伊藤治彦
• 12 CNラジカルの付着確率１長岡技科大工 新木一志，鈴木常生，斎藤秀俊，^○伊藤治彦
• 13 CNラジカルの付着確率 2長岡技科大工 新木一志，^○伊藤治彦
• 14 高真空下で作製したテトラヘドラルアモルファスカーボン膜の評価豊橋技科大¹，伊藤光学²，オンワード技研³，日立ツール⁴，石川県工試^{5 ○}田上英人¹，奥田浩史¹，神谷雅男^1,2，柳田太一郎¹，内藤翔太¹，須田善行¹，滝川浩史¹，長谷川祐史³，瀧　　真³，辻　信広³，石川剛史⁴，安井治之⁵
• 15 大気圧プラズマによるカーボン膜のコーティング名工大¹，中部大工^{2 ○}中田鉄兵¹，粕谷幹俊¹，安井晋示¹，野田三喜男²
• 16 高周波マグネトロンスパッタリング法によるボロンおよび窒素添加DLC膜の膜特性評価弘前大理工 ^○中澤日出樹，須藤　歩，江良浩介，佐藤佑典，真下正夫
• 17 高周波パルス放電スーパーマグネトロンプラズマによるa-CN_x:H膜CVD静大電子研 ^○木下治久，山口敦史

20a-TV - 1～11

• 1 同軸型アークプラズマガンを用いて作製した超ナノ微結晶ダイヤモンド/水素化アモルファスカーボン混相膜の作製とその成長機構九大院総理工¹，九大院工^{2 ○（D）}花田賢志¹，吉田智博¹，中川　優¹，西山貴史²，吉武　剛¹，永山邦仁²
• 2 Bドープp型超ナノ微結晶ダイヤモンド/水素化アモルファスカーボン混相膜の創製とその化学結合状態の解析九州大学大学院¹，SAGA-LS^{2 ○}大曲新矢¹，吉武　剛¹，永野　彰¹，大谷亮太²，瀬戸山寛之²，小林英一²，永山邦仁¹
• 3 液相中で堆積した窒化炭素膜の電気的特性の評価 [I]東海大産業工¹，東海大情報理工^{2 ○}東　幹晃¹，清田英夫¹，黒須楯生²
• 4 アモルファスカーボン膜を被覆した燃料電池用ステンレス製セパレータの開発東海大院工 ^○村田洋紀，庄　善之
• 5 酸素プラズマ種によるMethyl-BCN膜の膜質への影響阪大院工 ^○呂　志明，原　　誠，増住拓朗，西崎　誠，木村千春，青木秀充，杉野　隆
• 6 Methyl-BCN膜の湿度による膜質への影響大阪大学 ^○西崎　誠，原　　誠，増住拓郎，呂　志明，青木秀充，木村千春，杉野　隆
•  休憩　10:30〜10:45
• 7 FT-IRを用いたDLC膜のC-H結合の定量分析広島大・院先端研 ^○本山裕彬，鷹林　将，山根大典，坂上弘之，鈴木　仁，高萩隆行
• 8 ニューラルネットワークを用いたDLC検索システムの構築東京電機大学 ^○金井太一，加藤綾子，大越康晴，平栗健二，福井康裕
• 9 円筒状構造物内壁面への炭素系薄膜形成東京電機大理工¹，東京電機大工^{2 ○}武田直幸¹，星野祐太²，大越康晴¹，平栗健二²
• 10 人工心臓血液ポンプ上へ形成した窒素添加a-C:H膜の細胞親和性評価東京電機大理工¹，東京電機大工^{2 ○}世良穂高¹，鳥生敦子²，大越康晴¹，平栗健二²
• 11 抗感染性を目指した炭素系薄膜コーティング東京電機大理工¹，東京電機大工^{2 ○}岩月正人¹，星野祐太²，大越康晴¹，平栗健二²