シンポジウム

16p-E - 1〜8


• 1イントロダクトリートーク：機能性酸化物が活躍する次世代ナノエレクトロニクス技術研究開発の最前線（10分）産総研ナノ電子デバイス ^○秋永広幸
• 2フレキシブル透明ReRAMの作製と評価（40分）鳥取大工¹，鳥取大ディスプレイセンター²，尾池工業^{3 ○}木下健太郎^1,2，奥谷　匠¹，田中隼人¹，檜木利雄^1,3，大観光徳^1,2，岸田　悟^1,2
• 3ReRAM用NiO薄膜における酸素組成と電気的特性との相関（40分）京大院工¹，京大光電子理工セ^{2 ○}西　佑介¹，岩田達哉¹，木本恒暢^1,2
• 4スピネルフェライトを用いたスピンフィルタ素子の微細構造と磁気・伝導特性（40分）物材機構 ^○高橋有紀子，葛西伸哉，古林孝夫，三谷誠司，猪俣浩一郎，宝野和博
•  休憩　15:40〜15:50
• 5モット絶縁体のスピントロニクス（40分）東北大金研¹，JST²，JAEA^{3 ○}齊藤英治^1,2,3
• 6酸化物ナノワイヤにおける不揮発性メモリ効果（40分）阪大産研¹，ＪＳＴさきがけ^{2 ○}柳田　剛^1,2，長島一樹¹，岡　敬祐¹，金井真樹¹，川合知二¹
• 7不揮発メモリ実現に向けた金属酸化物抵抗スイッチング素子の集積化（40分）シャープ ^○粟屋信義
• 8機能性酸化物が活躍する次世代ナノエレクトロニクス技術研究開発の最前線：Closing Remarks（10分）阪大産研 ^○田中秀和