シンポジウム

16p-B - 1〜8


• 1イントロダクトリートーク -AlGaNエピタキシャル成長-（10分）三重大・工 ^○三宅秀人
• 2AlN/サファイア上AlGaN層の成長過程と貫通転位の挙動（30分）九州大産学連携センター¹，三重大工^{2 ○}桑野範之¹，藤田智彰¹，三宅秀人²，平松和政²
• 3AlGaN混晶薄膜の励起子系光物性（30分）山口大院・理工 ^○山田陽一
• 4陽電子消滅によるAlGaN中の欠陥評価（30分）筑波大数理¹，三重大工²，産総研ナノシステム^{3 ○}上殿明良¹，三宅秀人²，平松和政²，石橋章司³
• 5MOVPE法によるAlGaN中の深い準位（30分）北大　量集センター、JST-CREST ^○橋詰　保
•  休憩　15:40〜16:00
• 6電子線励起による深紫外光源の開発（30分）浜松ホトニクス¹，三重大^{2 ○}福世文嗣¹，岡田知幸¹，高岡秀嗣¹，吉田治正¹，島原佑樹²，武富浩幸²，三宅秀人²，平松和政²
• 7220-280nm AlGaN系深紫外LEDの進展（30分）理研 ^○平山秀樹
• 8総合討論「ここまでわかった！　AlGaN系光デバイスの物理」（30分）名大院工¹，赤崎記念研究センター^{2 ○}天野　浩^1,2