シンポジウム
16p-ZW - 1〜8
- 1イントロダクトリートーク(10分)産総研エネルギー部門 ○山崎 聡
- 2パワーエレクトロニクスと表面・界面(40分)産総研 ○大橋弘通
- 3パワーデバイス用MCZ-Si基板の開発(30分)コバレントシリコン ○鹿島一日兒
- 4GaN on Si基板作製技術(30分)名工大極微センター ○江川孝志
- 休憩 15:20〜15:40
- 5シリコンウエハー直接貼り合わせ技術のパワーデバイスへの適用(30分)九工大 ○松本 聡
- 6SiCエピ成長技術(30分)産総研 ○西澤伸一
- 7シリコン上高配向ダイヤモンド成長技術(30分)神戸製鋼電研 ○横田嘉宏,橘 武史
- 8まとめ(10分)阪大院工 ○渡部平司