シンポジウム

不純物機能活性型半導体の物性制御とデバイス応用

9月15日 13:00〜17:40  会場:教育別-NB

15p-NB - 1〜9

  • 1イントロダクトリートーク:不純物による物性制御と機能発現(10分)阪大院工 藤原康文
  • 2ドーピングによる新規物性創出(35分)高知工科大総研 山本哲也,佐藤泰史,牧野久雄,山本直樹
  • 3Cu(InGa)Se2薄膜太陽電池と粒界・界面評価(35分)東工大院1,東工大PVREC2 山田 明1,2,大西 智1,黒川康良1,小長井誠1,2
  • 4希土類添加半導体発光デバイス(35分)阪大院工 藤原康文,西川 敦,寺井慶和
  •  休憩 14:55〜15:10
  • 5プラズマチューブアレイを用いたフィルム型水銀フリー深紫外光源(35分)神戸大院1,篠田プラズマ2,ユメックス3,兵庫県立工業技術センター4 喜多 隆1,郭 濱剛2,粟本健司2,篠田 傳2,千木慶隆3,西本哲朗3,田中寛之3,小林幹弘3,石原嗣生4,泉 宏和4
  • 6近赤外発光センタードープナノ構造(35分)神戸大工1,物材機構2 藤井 稔1,Hong-Tao Sun2
  • 7ダイヤモンド中の単一NV中心の高機能化・高特性化(35分)筑波大数理1,さきがけ2 水落憲和1,2
  • 8III-V半導体中不純物制御と励起子物性(35分)神戸大院工 原田幸弘,喜多 隆
  • 9クロージングトーク(10分)神戸大院 喜多 隆