シンポジウム

15p-ZE - 1〜9


• 1イントロダクトリートーク：SRAMの技術動向（10分）東大生研 ^○平本俊郎
• 2NEDOにおけるSRAM研究開発の方向性（25分）NEDO電子部 ^○安藤　淳，山崎智宏，万田純一，河本　滋，島津高行
• 3ディープサブミクロン世代におけるSRAMロバスト設計（25分）ルネサスエレクトロニクス ^○新居浩二，薮内　誠，塚本康正
• 440nm世代SRAMにおけるNBTI起因VMINシフトの抑制（25分）東芝セミコン社 ^○北村陽介，佐貫朋也，松尾浩司，清水　敬，太田　篤，新屋敷悠介，福井大伸，星野隆明，植木悠介，安本明弘，吉村尚郎，浅見哲也，親松尚人
• 5SRAMのばらつき一括自己修復手法（25分）東大生研¹，STARC^{2 ○}平本俊郎¹，鈴木　誠¹，更屋拓哉¹，宮野信治²，桜井貴康¹
•  休憩　14:50〜15:05
• 67T/14TディペンダブルSRAMとそのマイクロプロセッサキャッシュへの応用（25分）神戸大 ^○川口　博
• 7独立ダブルゲート型FinFETを用いたSRAM技術（25分）産総研エレクトロニクス部門 ^○遠藤和彦，大内真一，Yongxun Liu，松川　貴，坂本邦博，昌原明植
• 8極低電圧動作チャージトラップSRAM・強誘電体SRAM（25分）東大¹，半導体理工学研究センター^{2 ○}竹内　健¹，宮地幸祐¹，田中丸周平¹，本田健太郎¹，宮野信治²
• 9不揮発性メモリ素子を用いた不揮発性/ばらつき補償SRAM技術（25分）東工大像情報¹，東工大院総理工²，科技機構CREST^{3 ○}菅原　聡^1,3，周藤悠介^1,3，山本修一郎^2.3