合同セッション

15a-ZJ - 1〜11


• 1MBE 成長した単結晶ZnO 薄膜に対するプロトンビーム照射と熱処理効果大阪工大 ナノ材研センタ¹，若狭湾エネ研センタ^{2 ○（M2）}天野武志¹，小池一歩¹，佐々誠彦¹，矢野満明¹，權田俊一¹，石神龍哉²，久米　恭²
• 2透明フレキシブルPEN基板上へのZnO-TFTの作製と特性評価大阪工大　ナノ材研 ^○橘　達也，日垣友宏，前元利彦，佐々誠彦，井上正崇
• 3酸化亜鉛を用いた透明電子デバイスに関する研究九工大 ^○大場康隆，冨江晃弘，中尾　基
• 4ZnO薄膜トランジスタのHump特性の解析京大工¹，龍大理工²，高知工大ナノデバイス研^{3 ○}鎌田雄大¹，藤田静雄¹，木村　睦²，平松孝浩³，古田　守³，平尾　孝³
• 5Pt/ZnOショットキーコンタクトと過酸化水素処理効果静大電子研 ^○中村篤志，山守俊哉，天明二郎
• 6ウェットエッチング法による酸化亜鉛透明電極形成技術高知工科大総研 ^○山本直樹，大曽根聡，牧野久雄，山田高寛，山本哲也
•  休憩　10:30〜10:45
• 7ZnMgO:Sb/ZnO:Gaヘテロ接合における整流特性の劣化秋田県大システム科学技術 ^○櫻井貴之，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山　隆
• 8ZnOナノ粒子を用いて作製したpn接合膜の評価島根大総合理工 ^○岡本　洋，舩木修平，藤田恭久
• 9ZnOホモ接合ダイオードにおける紫外線発光特性の改善岩手大¹，岩手県工業技術センター²，仙台高専^{3 ○}中川　玲¹，阿部貴美¹，田中雅志²，遠藤治之²，千葉鉄也²，中川美智子²，柏葉安宏³，小島　勉¹，青田克己¹，新倉郁生¹，柏葉安兵衛^1,2，藤原民也¹
• 10ZnMg合金を用いたPARE法によるZn_1-xMg_xO薄膜の作製岩手大¹，岩手県工業技術センター²，仙台電波^{3 ○}阿部貴美¹，中川　玲¹，田中雅志²，遠藤治之²，中川美智子²，千葉茂樹¹，柏葉安宏³，長田　洋¹，新倉郁生¹，柏葉安兵衛^1,2，藤原民也¹
• 11β-Ga₂O₃に対するオーミック電極の形成石巻専修大理工 ^○國分義弘，岡　靖晃，中込真二
•  昼食　12:00〜13:00

15p-ZJ - 1〜19

• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  Zn(Mg,Cd)O混晶の構造並びに光学特性評価静大創造科技院¹，静大電子研²，NTT物性基礎研^{3 ○（PC）}山本兼司¹，坪井貴子²，大橋俊哉²，俵　毅彦³，後藤秀樹³，中村篤志²，天明二郎^1,2
• 2β-Ga₂O₃に対するSiドーピング効果千歳科学技術大 ^○若井宏文，山中明生
• 3Crドープβ-Ga₂O₃の時間分解分光による光学特性千歳科学技術大 ^○安川　大，若井宏文，小田久哉，山中明生
• 4PMMA層に埋め込まれたZnOナノ粒子の時間分解フォトルミネッセンス測定早大理工¹，漢陽大^{2 ○}中西奏太¹，Jae Hun Jung²，Dong Yeol Yun²，Tae Whan Kim²，貫井貴夫¹，笹山和俊¹，竹内　淳¹
• 5PI+PVKまたはPI層に埋め込まれたZnOナノ粒子の時間分解フォトルミネッセンス測定早大理工¹，漢陽大^{2 ○}笹山和俊¹，Jae Hun Jung²，Jin Ku Kwak²，Tae Whan Kim²，Young-Ho Kim²，佐伯　悠¹，和泉壮太朗¹，貫井貴夫¹，竹内　淳¹
• 6TiO₂単結晶における新奇青色発光とキャリアダイナミクス京大化研 ^○山田泰裕，金光義彦
• 7近赤外での金属伝導性酸化物半導体In-Sn-Oにおける光学特性の解析東大工¹，京都工繊大^{2 ○}わさんたまーらー ばだらわ¹，松井裕章¹，蓮池紀幸²，播磨　弘²，田畑　仁¹
•  休憩　14:45〜15:00
• 8テルビウム添加酸化スズ薄膜の緑色発光特性熊大自 ^○田中俊洋，中　良弘，中村有水
• 9バイアス電圧印加PLD法によるZnO:V薄膜の磁性秋田県大システム科学技術 ^○浅野　慶，土井槙悟，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山　隆
• 10イオン照射法によるCドープZnOの形成と磁性特性評価名工大院工¹，香港理工大^{2 ○}赤池裕平¹，林　　灯¹，林　靖彦¹，種村眞幸¹，Lau S.p²
• 11大気圧CVD法Cu-Ga-O薄膜のフォトルミネッセンス特性愛媛大院理工¹，愛媛大工^{2 ○}寺迫智昭¹，栗林聖介¹，小倉佳典²，高橋敏洋²，宮田　晃²，白方　祥¹
• 12ミスト法における局所反応場でのミスト液滴の挙動高知工大 ナノ研 ^○川原村敏幸，平尾　孝
• 13HOPG基板を用いた電着法による酸化亜鉛の厚膜作製和歌山大システム工 ^○田内康大，宇野和行，田中一郎
• 14電気化学堆積法による微細電極上ZnO 成長II阪府大・院工 ^○近藤雄祐，能津直哉，芦田　淳，藤村紀文
•  休憩　16:45〜17:00
• 15スパッタエピタキシー法によるZnO層の成長(I)東京電機大¹，ブルカー・エイエックスエス^{2 ○}吉田圭佑¹，田中洋平¹，落久保隆¹，篠田宏之¹，六倉信喜¹，森岡　仁²，斎藤啓介²
• 16スパッタエピタキシー法によるZnO層の成長（II）電機大工¹，ブルカー・エイエックスエス^{2 ○}落久保隆¹，吉田圭佑¹，田中洋平¹，篠田宏之¹，六倉信喜¹，森岡　仁²，斎藤啓介²
• 17スパッタエピタキシー法によるZnO層の成長(III)電機大工¹，ブルカー・エイエックスエス^{2 ○}田中洋平¹，落久保隆¹，吉田圭佑¹，篠田宏之¹，六倉信喜¹，森岡　仁²，斎藤啓介²
• 18単結晶ZnO基板上に作製したAl添加ZnO薄膜の極性反転物材機構 ^○安達　裕，大橋直樹，坂口　勲，上田茂典，山下良之，吉川英樹，小林啓介，羽田　肇
• 19光電子回折法による酸化亜鉛表面の評価物・材機構 Jesse Williams，^○大橋直樹，小林啓介，Igor Pis，小畠雅明，安達　裕

16a-ZJ - 1〜11


• 1スパッタ法によるAl-Zn-Sn-OチャネルTFTの作製東工大精研 ^○羽賀健一，徳光永輔
• 2Cu-Mn合金電極を用いた非晶質IGZO薄膜トランジスタのバックチャネルエッチング特性東北大院工 ^○（D）尹　弼相，小池準一
• 3マイクロ波光導電減衰法によるIGZO薄膜のキャリアライフタイム測定神戸製鋼所　¹，コベルコ科研^{2 ○}安野　聡¹，森田晋也¹，釘宮敏洋¹，尾嶋　太²
• 4低温作製SiN_xゲート絶縁層が透明アモルファス酸化物半導体特性へ与える影響凸版印刷 ^○宮崎ちひろ，池田典昭，伊藤　学
• 5a-IGZO TFTのAC電圧ストレスによる不安定性奈良先端大¹，戦略的創造研究推進事業^{2 ○（D）}藤井茉美¹，堀田昌宏¹，石河泰明¹，浦岡行治^1,2
•  休憩　10:15〜10:30
• 6a-IGZO TFTのバイアスストレス安定性におけるチャネル層・界面欠陥の影響東工大フロンティア研¹，東工大応セラ研^{2 ○}野村研二¹，神谷利夫²，細野秀雄^1,2
• 7n型a-In-Ga-Zn-O / p型c-Si ヘテロ接合型太陽電池の発電特性東工大¹，東工大・フロンティア研²，山梨大^{3 ○}Kyeongmi Lee¹，野村研二²，柳　　博³，神谷利夫¹，細野秀雄^1,2
• 8MBE法を用いたAl₂O₃基板上ZnO whisker のVLS成長早大理工 ^○萩原裕和，堀越佳治
• 9Cd粉末とH₂Oを原料に用いた大気圧CVD法によるCdOナノロッドの作製(III)愛媛大院理工¹，香川高専²，愛媛大工学部^{3 ○}藤原哲郎¹，寺迫智昭¹，中田裕華里²，宮田　晃³，矢木正和²，白方　祥¹
• 10水熱合成ZnOナノロッドへのAlドーピングとピエゾ抵抗特性名古屋工大院 ^○竹内宏樹，伊藤広顕，壁谷裕樹，平松沙奈恵，小野晋吾，市川　洋
• 11表面構造に依存したZnOナノワイヤーの電気伝導特性：第一原理的解析サイバネットシステム ^○井上鑑孝，臼井信志
•  昼食　12:00〜13:00

16p-ZJ - 1〜21

• 1ZnO、GZO透明導電膜の電気伝導性における膜厚効果NTT MI研 ^○赤沢方省
• 2B添加ZnO透明導電膜の得られる膜特性と成膜方法との関係金沢工大　O.E.D.S. R&Dセンター ^○野本淳一，平野友康，宮田俊弘，南　内嗣
• 3ZnO系透明導電膜の表面構造形成に及ぼす成膜技術等の影響金沢工大　O.E.D.S. R&Dセンター ^○平野友康，野本淳一，宮田俊弘，南　内嗣
• 4直流スパッタリングによりPET基板上にRoll to Roll法で連続作製したGZO透明導電膜鳥取大院工¹，尾池工業²，鳥取大電子ディスプレイ研^{3 ○}檜木利雄^1,2，安倉秀明²，矢沢健児²，木下健太郎^1,3，大観光徳^1,3，岸田　悟^1,3
• 5PLD法により作製したAlF₃添加AZO透明導電膜の特性大阪産大工 ^○前川雄也，渡辺友章，中村吉伸，青木孝憲，松下辰彦，鈴木晶雄
• 6PLD法により作製した耐熱特性を有するAZO/ZnO系積層型透明導電膜大阪産大工 ^○渡辺友章，前川雄也，安居利将，青木孝憲，松下辰彦，鈴木晶雄
• 7色素増感太陽電池用ZnO系透明導電膜の作製大阪産大工 ^○中村吉伸，青木孝憲，鈴木晶雄
•  休憩　14:45〜15:00
• 8反応性プラズマ蒸着法により作製したGaドープZnO薄膜の耐湿熱性に対する成膜時の酸素流量依存性高知工科大総研¹，阪大院工^{2 ○}佐藤泰史¹，山田高寛²，牧野久雄¹，山本直樹¹，山本哲也¹
• 9Ga 高添加 ZnO 透明導電膜における構造・電気特性の膜厚依存性高知工科大総研¹，阪大院工^{2 ○}山本哲也¹，山田高寛²，佐藤泰史¹，牧野久雄¹，山本直樹¹
• 10ポリエステル基板上の基板表面状態が与えるGa添加ZnO薄膜(GZO)の電気・光学特性とその影響リンテック　研究所¹，高知工科大　総研^{2 ○}永元公市¹，松林由美子¹，近藤　健¹，佐藤泰史²，牧野久雄²，山本直樹²，山本哲也²
• 11CEW-CVD法によるAl³⁺およびGa³⁺ドープ透明ZnO薄膜の作製長岡技大 ^○西山　洋，田村一成，三浦仁嗣，井上泰宣
• 12ITOおよびIZO薄膜のキャリア密度と仕事関数の相関性青学大理工¹，出光興産^{2 ○}高崎愛子¹，岡　伸人¹，宇都野太²，矢野公規²，重里有三¹
• 13XPS分析によるIZO膜の電子状態に関する考察東レリサーチセンター¹，青学大理工^{2 ○}安居麻美¹，小川慎吾¹，山元隆志¹，竹田正明¹，遠藤　亮¹，岡　伸人²，重里有三²
• 14固体ソースECRプラズマ成膜法によるエピタキシャルITO薄膜エム・イー・エス・アフティ ^○鳥居博典，天沢敬生，嶋田　勝，松尾誠太郎
•  休憩　16:45〜17:00
• 15省インジウム組成ITOスパッタ薄膜の低抵抗化東北大 多元研¹，東北大 NICHe^{2 ○}大塚　誠¹，Svitlana Petrovska²，Leandro Voisin²，中村　崇¹
• 16反応性スパッタ法によるSnO₂系透明導電膜の高速成膜青山学院大¹，ブリヂストン^{2 ○}武藤　優¹，中臣　聡¹，塚本直樹¹，岡　伸人¹，岩淵芳典²，小坪秀史²，重里有三¹
• 17シード層を用いたW:SnO₂系透明導電膜の作製神奈川科学技術アカデミー¹，東大院理²，中部大³，東北大^{4 ○}中尾祥一郎^1,2，山田直臣³，一杉太郎^1,4，廣瀬　靖^1,2，長谷川哲也^1,2
• 18パルス光加熱サーモリフレクタンス法によるTiO₂およびNbドープTiO₂薄膜の熱物性測定青学大理工¹，産総研²，AGCセラミックス^{3 ○}田崎ちひろ¹，岡　伸人¹，八木貴志²，竹歳尚之²，馬場哲也²，神山敏久³，重里有三¹
• 19F:TiO2透明導電体におけるドーパント特性の評価東大院理¹，KAST²，中部大³，北大^{4 ○}毛利　聖^1,2，廣瀬　靖^1,2，中尾祥一郎^1,2，山田直臣³，島田敏宏⁴，長谷川哲也^1,2
• 20アモルファスNb:TiO₂薄膜の結晶化過程の解析東大院理¹，KAST^{2 ○}ゴクランフン ホァン^1,2，広瀬　靖^1,2，中尾祥一郎^1,2，平　健二^1,2，長谷川哲也^1,2
• 21無機ナノシート上に成長したNb_xTi_1-xO₂結晶粒の微視的評価東大院理¹，KAST²，CREST³，NIMS^{4 ○（M2）}平　健治^1,2,3，廣瀬　靖^1,2,3，中尾祥一郎^1,2，小暮敏博¹，柴田竜雄^3,4，佐々木高義^3,4，長谷川哲也^1,2,3

17a-ZJ - 1〜11


• 1H₂-O₂触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の結晶構造長岡技科大工 田原将巳，三浦仁嗣，黒田朋義，西山　洋，^○安井寛治
• 2H₂-O₂触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oを用いて成長したZnOエピタキシャル膜の光学特性長岡技科大工 三浦仁嗣，永田一樹，黒田朋義，西山　洋，^○安井寛治
• 3H₂-O₂触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の電気的特性長岡技科大工 三浦仁嗣，田原将巳，黒田朋義，西山　洋，^○安井寛治
• 4サファイア基板上へのZnOヘテロエピタキシャル成長名工大院工 ^○榊原吉宏，安部功二
• 5バルク窒化ガリウム単結晶上への酸化亜鉛のエピタキシャル電析岐大院工 ^○市瀬圭吾，吉田　司
• 6ハライド気相成長法によるc面sapphire基板上ZnO二段階成長東京農工大院工 ^○篠塚俊克，増田　塁，富樫理恵，村上　尚，熊谷義直，纐纈明伯
•  休憩　10:30〜10:45
• 7大気圧CVD法による無添加及びGa添加ZnO薄膜の作製とフォトルミネッセンス特性愛媛大院理工¹，香川高専^{2 ○}寺迫智昭¹，谷口浩太²，平良啓介¹，矢木正和²，白方　祥¹
• 8ジエチルジンクと水を原料とするMOCVD法で作製したZnO薄膜の成長時間依存性愛媛大院理工¹，香川高専²，愛媛大工^{3 ○}山中貴裕¹，束村　将¹，中田裕華里²，寺迫智昭¹，宮田　晃³，矢木正和²，白方　祥¹
• 9ジエチル亜鉛（DEZ）を原料に用いたスプレー法によるZnO薄膜の大気作製宮崎大工¹，東ソーファインケム^{2 ○}竹元裕仁¹，小嶋　稔¹，吉野賢二¹，豊田浩司²，稲葉孝一郎²，羽賀健一²，徳留功一²
• 10ゾル-ゲル法を用いた酸化亜鉛薄膜の攪拌時間による影響秋田県立大 ^○石井　慧，阿部一徳，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山　隆
• 11古典分子動力学法によるZnO膜形成シミュレーション富士通研 ^○高橋憲彦，大淵真理，山崎隆浩，金田千穂子
•  昼食　12:00〜13:00

17p-ZJ - 1〜8

• 1オゾンを用いた分子線エピタキシー法による高移動度ZnO/MgZnOヘテロ界面の作製東北大金研¹，ローム²，東大院工³，JST-PRESTO⁴，JST-CREST⁵，東北大WPI材料機構^{6 ○}小塚裕介¹，ジョセフ フォルソン¹，赤坂俊輔²，中原　健²，塚崎　敦^3,4，川崎雅司^1,5,6
• 2窒素原子を介した固相結晶化法による酸化亜鉛薄膜の作製九大シス情¹，九大高等教育開発推進セ^{2 ○}板垣奈穂¹，桑原和成¹，中原賢太¹，山下大輔¹，鎌瀧晋礼²，内田儀一郎¹，古閑一憲¹，白谷正治¹
• 3RFマグネトロンスパッタ法で作製したZnO薄膜の真空熱処理効果早大理工 ^○吉川正晃，タナワット ブンプラサット，竹内登志男，堀越佳治
• 4RFマグネトロンスパッタ法で作製したCuドープZnO薄膜の特性早大 ^○タナワット ブンプラサット，吉川正晃，竹内登志男，堀越佳治
• 5DCマグネトロンスパッタリング法によるZnO薄膜の作製東ソー東研 ^○内海健太郎，尾身健治，飯草仁志，倉持豪人，渋田見哲夫
• 6還元雰囲気熱処理を施した酸化亜鉛薄膜の膜厚と構造及び光学特性の関係高知工大 ^○王　大鵬，李　朝陽，川原村敏幸，松田時宜，古田　守，平尾　孝，成沢　忠
• 7LSMO/ZnO 積層膜形成における下層ZnOの膜質の自己改善三重大¹，タテホ化学²，金沢工大³，河村産業^{4 ○}遠藤民生¹，吉井竜也¹，上原賢一¹，庭野一久²，遠藤和弘³，林　拓郎⁴
• 8La(Sr)MnO₃/ZnO積層膜の配向と格子マッチングの検討三重大工¹，豊島製作所²，産総研(つくば)³，河村産業^{4 ○}上原賢一¹，吉井竜也¹，本林秀文²，土屋哲男³，與倉三好^1,4，遠藤民生¹