17. ナノカーボン

17.4 デバイス応用

9月15日　9:30〜18:30　　会場：工学2-ZK

15a-ZK - 1〜11

  • 1CNTトランジスタにおけるバンド間トンネルを利用したS係数60 mV/dec未満を実現するデバイスパラメータの研究東工大院理工1，東工大量子ナノエレ研セ2 ○（D）ベッリン　ピナー アルグル1，小寺哲夫2，小田俊理2，内田　建1
  • 2孤立性半導体単層カーボンナノチューブを用いた薄膜トランジスタ名大院理1，名大院工2 ○塩澤一成1，宮田耕充1，浅田有紀1，大野雄高2，北浦　良1，水谷　孝2，篠原久典1
  • 3エンドコンタクト型CNTFETにおける電気特性評価旭川高専1，北大院情報科学2 ○中村基訓1，スバギョ アグス2，末岡和久2
  • 4PZT-CNT-FETに向けたPZTドメインの圧電応答解析大阪府大院工 ○（M1）片岡翔吾，有江隆之，秋田成司
  • 5カーボンナノチューブFETの高周波特性に対する寄生抵抗低減効果名大1，名大VBL2 ○畑　謙佑1，大野雄高1，岸本　茂1,2，水谷　孝1
  •  休憩　10:45〜11:00
  • 6簡易転写法による高性能カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製名大1，アアルト大2 ○（P）孫　東明1，Marina Zavodchikova2，Albert G. Nasibulin2，岸本　茂1，水谷　孝1，Esko I. Kauppinen2，大野雄高1
  • 7単層カーボンナノチューブ量子効果素子における近藤効果と近藤温度の可制御性産総研1，学振2，CREST-JST3，阪大産研4 ○上村崇史1,2,3，松本和彦1,3,4
  • 8浮遊ゲート構造CNTFETによる単電子メモリ動作阪大産研 ○大堀貴大，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦
  • 9転写SWCNTで作製した単電子トランジスタの特性評価阪大院工1，理研2，東理大3 ○田畑博史1，清水麻希2,3，秋元彦太2，石橋幸治2
  • 10Investigation of coupling characteristics between carbon nanotube integrated single electron transistor and field effect transistorAdvanced Device Laboratory, RIKEN1，Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka University2，Department of Physics, Tokyo University of Science3 ○Xin Zhou1，Hiroshi Tabata1,2，Maki Shimizu1,3，Tomoko Fuse1，Koji Ishibashi1
  • 11n型及びp型単層カーボンナノチューブ薄膜を用いた太陽電池の作製東北大院工 ○兒玉宗一郎，加藤達也，李　永峰，金子俊郎，畠山力三
  •  昼食　12:30〜13:30

15p-ZK - 1〜19

  • 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
    グラフェンFETの伝達特性に現れる電極に起因する歪み    東北大WPI1，東北大理2 ○野内　亮1，齊藤達也2，谷垣勝己1,2
  • 2光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線富士通1，東北大2，JASRI/SPring-83，CREST-JST4，産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター5 ○佐藤元伸1,2,5，小川修一2,4，加賀利瑛2，池永英司3,4，高桑雄二2,4，二瓶瑞久1,2,5，横山直樹5
  • 3連結厚さ変調ゲートによる2層グラフェンpn接合物材機構MANA1，CREST-JST2，NEC3，産総研4，理研5，筑波大数理物質・TIMS6 ○宮崎久生1,2，黎　松林1，日浦英文1,3，塚越一仁1,2,4,5，神田晶申2,6
  • 4周期ナノホールを持つグラフェンシートの第一原理計算富士通研 ○實宝秀幸，大淵真理，金田千穂子
  • 5酸化グラフェン薄膜トランジスタのチャネル長依存性ソニー先端マテ研 ○小林俊之，木村　望，奇　俊斌，平田晋太郎，保原大介
  • 6PZT-Graphene- FETへ向けたPZT薄膜上におけるグラフェンの光学的観察大阪府大院工 ○（M1）鈴木淳也，有江隆之，秋田成司
  • 7電極からグラフェンへドープされるキャリア種の決定東北大WPI1，東北大理2 ○野内　亮1，齊藤達也2，谷垣勝己1,2
  • 8H2アニールによるエピタキシャルグラフェンの電気特性への影響東北大通研1，JST-CREST2 ○久保真人1，Hyun-Chul Kang1，高橋良太1，半田浩之1，鷹林　将1,2，吹留博一1,2，末光哲也1,2，尾辻泰一1,2
  •  休憩　15:30〜15:45
  • 9グラフェン/白金コンタクト界面の化学結合東北大・通研1，JST-CREST2 ○（P）鷹林　将，高橋良太，末光哲也，吹留博一，末光眞希，尾辻泰一
  • 10ポリマーゲート絶縁膜を用いたグラフェントランジスタの電気特性東北大工 ○鄭　明鎬，半田浩之，高橋良太，吹留博一，末光眞希
  • 11Pd微粒子/保護膜被膜単層カーボンナノチューブの水素ガスセンシング特性阪大院工1，King Mongkut's工科大2，兵庫県立大院工3 ○南　真司1，ウィナッダー ウォンウィリヤパン1,2，板橋健太1，岡林勇介1，本多信一3，久保　等1，田畑博史1，片山光浩1
  • 12ショットキー障壁制御ゲート型CNT-FETを用いたバイオセンシング産総研1，CREST/JST2，阪大産研3 ○（P）阿部益宏1,2，大野恭秀2,3，松本和彦1,2,3
  • 13二層カーボンナノチューブFETを用いた高感度バイオセンシング理研1，産総研2，東京理科大3 ○（PC）森本崇宏1，矢嶋翔太1，久野晃弘1，森　貴洋2，内田勝美3，土屋好司3，矢島博文3，石橋幸治1
  • 14絶縁膜中に分散させたCNTによる冷陰極の構成信州大 ○斎藤裕史，大池　匠，山下将弘，山上朋彦，林部林平，上村喜一
  • 15電界放出走査電子顕微鏡用カーボンナノチューブ電子源の開発名大院工 ○中原　仁，市川俊介，落合知弥，齋藤弥八
  • 16生体分子相互作用力計測に向けた片持ち梁カーボンナノチューブの変位検出大阪府大院工1，CREST-JST2 ○澤野峻一1，有江隆之1,2，秋田成司1,2
  • 17複合紙中カーボンナノチューブの配向制御手法の検討横国大院工 ○藤塚祐己，大矢剛嗣
  • 18Phase Locked Loopによる片持ち梁カーボンナノチューブの自励発振大阪府立大院1，CREST-JST2 ○吉仲　淳1,2，有江隆之1,2，秋田成司1,2
  • 19長期充放電測定によるRAカーボンゲル電極の安定性の評価関大院工1，関大・HRC2 ○土田　光1，中川清晴1，小田廣和1,2