17. ナノカーボン

16a-ZM - 1〜15


• 1Growth of epitaxial graphene on SiC(0001) and (000-1) by heat treatment in Ar atmosphere名大工 ^○（PC）胡　海龍，Akkawat Ruammaitree，中原　仁，彦坂直輝，中村新男，齋藤弥八
• 2ナノ周期構造を有するSiC(000-1)面上
  エピタキシャルグラフェンの形成九大院工 ^○森下幸紘，チェンダ スレイ，田中　悟
• 34H-SiC(000-1) C面上エピタキシャル・多層グラフェン成長におけるリッジ構造の温度依存性関学大 ^○（DC）牛尾昌史，吉井　新，玉井尚登，大谷　昇，金子忠昭
• 4空間分解ラマン分光を用いた4H-SiC(000-1)多層グラフェンの層間回転乱れ評価関学大 ^○吉井　新，牛尾昌史，大谷　昇，金子忠昭，玉井尚登
• 5SiC表面におけるグラフェン成長の初期過程九大院工¹，九大応力研²，NIMS MANA³，JST PRESTO⁴，NTT物性基礎研^{5 ○（M2）}井上仁人¹，寒川義裕^1,2，若林克法^3,4，影島愽之⁵，柿本浩一^1,2
• 6SiC{0001}表面上のNi シリサイド反応によるグラフェン層の形成福井工業高等専門学校¹，立命館大²，神奈川大^{3 ○}米田知晃¹，渋谷　誠²，光原　圭²，Anton Visikovskiy²，星野　靖³，城戸義明²
• 7微傾斜SiC表面上に形成するエピタキシャルグラフェンの異方性成長モード-オフ方向依存性-九大院工¹，NTT物性基礎研^{2 ○（DC）}森田康平¹，上原直也¹，萩原好人¹，日比野浩樹²，田中　悟¹
• 86H-SiC基板上微細メサ構造へのエピタキシャルグラフェン形成東北大通研¹，東北大院工²，弘前大理工³，高輝度光科学研究センター^{4 ○}半田浩之¹，高橋良太¹，今泉　京¹，川合祐輔²，吹留博一¹，遠田義晴³，末光眞希¹，小嗣真人⁴，大河内拓雄⁴，渡辺義夫⁴，木下豊彦⁴
•  休憩　11:00〜11:15
• 9SiC上エピタキシャルグラフェンのステップ境界ＮＴＴ物性基礎研¹，徳島大^{2 ○}影島博之¹，日比野浩樹¹，山口浩司¹，永瀬雅夫²
• 10微傾斜SiC上エピタキシャルグラフェンの表面モフォロジー制御九大院工 ^○（DC）萩原好人，森田康平，田中　悟
• 11微傾斜SiC 基板上エピタキシャルグラフェンリボンのラマン分光測定九大院工 ^○上原直也，森田康平，田中　悟
• 123C-SiC(111)極薄膜上エピタキシャルグラフェン形成過程のLEED観察東北大通研¹，CREST/JST²，JAEA^{3 ○}高橋良太¹，半田浩之¹，宮本　優¹，阿部峻佑¹，斎藤英司¹，今泉　京¹，吹留博一¹，末光眞希^1,2，寺岡有殿³，吉越章隆³
• 13モノシランプレアニールによるグラフェン・オン・シリコンの高品質化東北大通研¹，JST/CREST^{2 ○}阿部峻佑¹，半田浩之¹，齋藤英司¹，高橋良太¹，今泉　京¹，吹留博一¹，末光眞希^1,2
• 14超低圧酸素雰囲気下でのSi基板上低温グラフェン形成過程のリアルタイム放射光光電子分光東北大¹，CREST/JST²，日本原子力研究開発機構^{3 ○}今泉　京¹，高橋良太¹，半田浩之¹，斉藤英司¹，吹留博一¹，末光眞希^1,2，寺岡有殿³，吉越章隆³
• 15SiC極薄膜を用いた熱分解グラフェン層形成の検討静大電研 ^○野木　努，宮坂悠太，中村篤志，田中　昭，天明二郎
•  昼食　13:00〜14:00

16p-ZM - 1〜19

• 1SiCナノワイヤのジュール加熱によるグラファイト化阪大院理 ^○河野日出夫，森　祐揮
• 2STM/STSによるカーボンナノウォールの核発生過程の観察名大院工¹，片桐エンジニアリング²，名城大理工^{3 ○}安田幸司¹，山川晃司²，近藤博基¹，平松美根男³，関根　誠¹，堀　　勝¹
• 3カーボンナノウォールの成長に対する基板形状の効果名大¹，名城大^{2 ○}渡邊　均¹，近藤博基¹，石川健治¹，竹田圭吾¹，関根　誠¹，堀　　勝¹，平松美根男²
• 4マイクロ波プラズマCVD法によるカーボンナノウォールの生成東洋大¹，三光化成^{2 ○}塩原正記¹，坂口清伸²，内田貴司¹，吉田善一¹
• 5低温メタンプラズマにおける球状炭素微粒子成長とその微細構造解析I九州工大¹，九州共立大² 尾上雅俊¹，^○大門秀朗¹，内藤正路¹，長井達三²，生地文也²
• 6赤外加熱CVDを用いたCNBの合成と微細構造評価名大院工¹，名大エコトピア^{2 ○}鈴木和也¹，田辺　郁¹，趙　星彪¹，高井　治¹，齋藤永宏²
• 7低圧誘導結合プラズマＣＶＤによるカーボンナノチューブ及びカーボンナノカプセルの合成物材機構 ^○岡田勝行
• 8無電解めっきによるNiB合金触媒上へのナノカーボン成長芝浦工大工 ^○田中　亨，佐藤智美，唐澤裕介，上野和良
• 9大容量キャパシタ用カーボン電極のパルス化直流プラズマCVDによる作製中部大 ^○松島真央，野田三喜男，ゴラップ カリタ，脇田紘一，内田秀雄，梅野正義
• 10カーボンナノコイル生成用Sn/Fe触媒のX線光電子分光分析豊橋技術科学大¹，東海カーボン²，湘南合成樹脂製作所³，東邦ガス^{4 ○}瀧本幸太郎¹，シュ　リン リム¹，須田善行¹，田上英人¹，滝川浩史¹，植　仁志²，清水一樹³，梅田良人⁴
•  休憩　16:30〜16:45
• 11透過型電子顕微鏡による酸化モリブデン内包カーボンナノチューブに関する研究阪大院工¹，産総研^{2 ○}佐川隆亮¹，富樫　渉¹，秋田知樹²，高井義造¹
• 12In-situ TEM observation of structural change of carbon nanofiber by electron current flow名工大¹，マレーシア工大²，若狭湾エネルギー研究センター^{3 ○}ユソプ ザムリ^1,2，Ghosh Pradip¹，笹江雅人³，林　　灯¹，林　靖彦¹，種村眞幸¹
• 13プラズマCVDによるPdナノワイヤー/CNT複合構造の作製機構豊田工業大 ^○Ian Thomas Clark，Gemma Ruis，松岡佑樹，吉村雅満
• 14アルコールアーク放電法による硫化銅ナノワイヤー内包カーボンナノチューブおよび多面体グラファイト粒子の高効率形成三重大院工 ^○小塩　明，山本　誠，小海文夫
• 15アルコールCVD法による硫化ニッケルナノワイヤー内包カーボンナノチューブの成長三重大 ^○（M2）山崎貴之，小塩　明，小海文夫
• 16異方性エッチングをしたシリコン基板上での単層カーボンナノチューブの水平配向成長九大院総理工¹，九大先導研²，JSTさきがけ³，九大院工^{4 ○}カルロ オロフェオ¹，吾郷浩樹^1,2,3，辻　正治^1,2，生田竜也⁴，高橋厚史⁴
• 17コンビナトリアル触媒堆積法によるサファイア上での水平配向ナノチューブの高密度化九大先導研¹，九大院新統合^{2 ○}吾郷浩樹¹，中村由美子¹，小川友以²，辻　正治¹
• 18単層カーボンナノチューブの水晶基板上における水平成長メカニズム東大院工 ^○千足昇平，井ノ上泰輝，項　　榮，相川慎也，塩見淳一郎，丸山茂夫
• 19メタンCVD法による水平配向単層カーボンナノチューブの成長におけるメタノール添加の効果阪大院工¹，兵庫県立大院工^{2 ○}太田佑祈¹，今古賀健太¹，本多信一²，久保　等¹，田畑博史¹，片山光浩¹

17a-ZM - 1〜10


• 1Cu(111)単結晶表面への大面積グラフェンの熱CVD合成産総研 ^○石原正統，古賀義紀，金　載浩，津川和夫，長谷川雅考
• 2エピタキシャルなCu薄膜を用いた単層グラフェンの大気圧CVD成長九大先導研¹，九大院総理工²，JSTさきがけ^{3 ○}胡　宝山¹，吾郷浩樹^1,2,3，伊藤由人²，辻　正治^1,2
• 3エピタキシャル触媒上でのCVDによるグラフェン成長 (II)九大院総理工¹，九大先導研²，JSTさきがけ^{3 ○}伊藤由人¹，吾郷浩樹^1,2,3，胡　宝山²，辻　正治^1,2，水田典章¹，水野清義¹
• 4異なる結晶系を持つエピタキシャル金属薄膜上でのグラフェンCVD成長パナソニック ^○能澤克弥，松川　望，豊田健治，吉井重雄
• 5グラファイト生成過程の高温その場TEM観察阪大院工 ^○八尋孝典，高井義造
•  休憩　10:15〜10:30
• 6低エネルギー電子顕微鏡によるグラフェン分解・形成のその場観察早大理工¹，物材機構²，大阪電通大^{3 ○（D）}小田原玄樹¹，大島忠平¹，大谷茂樹²，鈴木雅彦³，安江常夫³，越川孝範³
• 7アルコールCVD法によるサファイア基板上へのグラフェン層の成長静大院工¹，電研^{2 ○}宮坂悠太¹，中村篤志²，天明二郎^1,2
• 8エタノールを用いたガスソースMBEによるグラフェンの成長　−流量の変化が成長に及ぼす影響-ＮＴＴ物性基礎研 ^○前田文彦，日比野浩樹
• 9光電子制御プラズマCVDによる多層グラフェン成長(10)：SiO₂/Si基板への直接成長東北大多元研¹，CREST-JST²，富士通^{3 ○}小川修一^1,2，佐藤元伸^2,3，二瓶瑞久^2,3，高桑雄二^1,2
• 10光電子制御プラズマCVDによる多層グラフェン成長(11) : SiO₂(350 nm) / Si界面からの光電子放出東北大¹，CREST-JST²，富士通^{3 ○}加賀利瑛¹，穂積英彬¹，小川修一^1,2，佐藤元伸^2,3，二瓶瑞久^2,3，高桑雄二^1,2
•  昼食　11:45〜12:45

17p-ZM - 1〜8

• 1化学気相合成法によるグラフェンの大面積合成とその電気特性富士通研ナノエレ研¹，産総研グリーンナノエレセンター^{2 ○}林賢二郎^1,2，佐藤信太郎^1,2，八木克典¹，近藤大雄¹，原田直樹^1,2，横山直樹^1,2
• 2磁性金属薄膜上へのグラフェンのエピタキシャル成長原子力機構 ^○圓谷志郎，松本吉弘，楢本　洋，境　誠司
• 3低温CVDプロセスでのグラフェン生成と評価東大院新領域¹，東大院理^{2 ○}中山顕作¹，小幡誠司²，斉木幸一朗^1,2
• 4Plasma Enhanced CVD法を用いたグラフェンの成長東大院理 ^○寺澤知潮，斉木幸一朗
• 5液体ガリウムを用いたレジストパターンからのグラフェンFET形成PRESTO-JST¹，筑波大数理^{2 ○}宮澤陽介^1,2，植木竜一^1,2，藤田淳一^1,2
• 6光電子分光による酸化グラフェンの熱処理還元過程その場観察米国ラトガーズ大¹，東北大²，英国インペリアルカレッジ³，産総研⁴ 山口尚登¹，穂積英彬²，加賀利瑛²，江田剛輝³，セシリア マッテヴィ³，^○小川修一²，山田貴壽⁴，高桑雄二²，マニッシュ チョワラ^1,3
• 7化学修飾したグラフェンの特性評価東大院理¹，東大院新領域^{2 ○}小幡誠司¹，田中弘成¹，斉木幸一朗^1,2
• 8多温度ゾーンCVD法によるグラフェン薄膜成長の温度依存性阪大院工応物¹，阪大産研^{2 ○}根岸良太¹，平野博紀¹，小林慶裕¹，大野恭秀²，前橋兼三²，松本和彦²

17a-ZQ - 1〜12


• 1ポリイミドバッファー層を用いたステンレス上へのカーボンナノチューブ合成阪大院工 ^○筒井俊博，平原佳織，中山喜萬
• 2先端放電型リモートプラズマCVD を用いた垂直配向単層カーボンナノチューブの高速成長早大理工 ^○落合拓海，大原一慶，飯塚正知，加藤良吾，川原田洋
• 3SiC表面分解によるカーボンナノチューブ生成初期過程のその場NEXAFS測定の試み名城大理工¹，KEK PF^{2 ○}丸山隆浩¹，榊原悟史¹，成塚重弥¹，雨宮健太²
• 4時間制御プラズマＣＶＤによる極短尺単層カーボンナノチューブの直接成長とそのカイラリティ分布制御東北大院工 ^○加藤俊顕，畠山力三
• 5拡散プラズマＣＶＤ法による非磁性金属触媒を利用した極めて狭いカイラリティ分布をもつ単層カーボンナノチューブの合成東北大院工 ^○Zohreh Ghorannevis，加藤俊顕，金子俊郎，畠山力三
• 6MgO基板上カーボンナノチューブの無金属触媒成長京都工芸繊維大¹，和歌山大^{2 ○}平田史彦¹，鴨井　督¹，蓮池紀幸¹，西尾弘司¹，木曽田賢治²，播磨　弘¹
•  休憩　10:30〜10:45
• 7高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長におけるAl₂O_x/Co/Al₂O_x多層触媒の効果名城大理工 ^○水谷芳裕，佐藤一徳，丸山隆浩，成塚重弥
• 8アルコールガスソース法によるZnO単結晶表面上カーボンナノチューブ成長名城大理工 ^○五百川隆康，丸山隆浩，成塚重弥
• 9高温イオン注入によるSiO₂/Si界面へのFeクラスター形成と評価の研究神奈川大理 ^○星野　靖，有馬広記，斎藤保直，中田穣治
• 10ホットイオン注入形成微粒子を種触媒とするCNT生成法の研究神奈川大理 ^○中田穣治，有馬広記，星野　靖，斎藤保直
• 11マイクロ波プラズマCVD法による鉄ナノ粒子からのカーボンナノチューブ生成東洋大¹，立山マシン^{2 ○}神倉翔一¹，内田貴司¹，内山英文²，浅地豊久²，吉田善一¹
• 12パルスUVレーザー補助アルコールCVD装置の開発東洋大¹，立山マシン^{2 ○}内田貴司¹，大久根峻¹，内山英史²，浅地豊久²，吉田善一¹