17. ナノカーボン

17.1 成長技術

9月16日 9:00〜19:00  会場:工学2-ZM

16a-ZM - 1〜15

  • 1Growth of epitaxial graphene on SiC(0001) and (000-1) by heat treatment in Ar atmosphere名大工 ○(PC)胡 海龍,Akkawat Ruammaitree,中原 仁,彦坂直輝,中村新男,齋藤弥八
  • 2ナノ周期構造を有するSiC(000-1)面上
    エピタキシャルグラフェンの形成
    九大院工 森下幸紘,チェンダ スレイ,田中 悟
  • 34H-SiC(000-1) C面上エピタキシャル・多層グラフェン成長におけるリッジ構造の温度依存性関学大 ○(DC)牛尾昌史,吉井 新,玉井尚登,大谷 昇,金子忠昭
  • 4空間分解ラマン分光を用いた4H-SiC(000-1)多層グラフェンの層間回転乱れ評価関学大 吉井 新,牛尾昌史,大谷 昇,金子忠昭,玉井尚登
  • 5SiC表面におけるグラフェン成長の初期過程九大院工1,九大応力研2,NIMS MANA3,JST PRESTO4,NTT物性基礎研5 ○(M2)井上仁人1,寒川義裕1,2,若林克法3,4,影島愽之5,柿本浩一1,2
  • 6SiC{0001}表面上のNi シリサイド反応によるグラフェン層の形成福井工業高等専門学校1,立命館大2,神奈川大3 米田知晃1,渋谷 誠2,光原 圭2,Anton Visikovskiy2,星野 靖3,城戸義明2
  • 7微傾斜SiC表面上に形成するエピタキシャルグラフェンの異方性成長モード-オフ方向依存性-九大院工1,NTT物性基礎研2 ○(DC)森田康平1,上原直也1,萩原好人1,日比野浩樹2,田中 悟1
  • 86H-SiC基板上微細メサ構造へのエピタキシャルグラフェン形成東北大通研1,東北大院工2,弘前大理工3,高輝度光科学研究センター4 半田浩之1,高橋良太1,今泉 京1,川合祐輔2,吹留博一1,遠田義晴3,末光眞希1,小嗣真人4,大河内拓雄4,渡辺義夫4,木下豊彦4
  •  休憩 11:00〜11:15
  • 9SiC上エピタキシャルグラフェンのステップ境界NTT物性基礎研1,徳島大2 影島博之1,日比野浩樹1,山口浩司1,永瀬雅夫2
  • 10微傾斜SiC上エピタキシャルグラフェンの表面モフォロジー制御九大院工 ○(DC)萩原好人,森田康平,田中 悟
  • 11微傾斜SiC 基板上エピタキシャルグラフェンリボンのラマン分光測定九大院工 上原直也,森田康平,田中 悟
  • 123C-SiC(111)極薄膜上エピタキシャルグラフェン形成過程のLEED観察東北大通研1,CREST/JST2,JAEA3 高橋良太1,半田浩之1,宮本 優1,阿部峻佑1,斎藤英司1,今泉 京1,吹留博一1,末光眞希1,2,寺岡有殿3,吉越章隆3
  • 13モノシランプレアニールによるグラフェン・オン・シリコンの高品質化東北大通研1,JST/CREST2 阿部峻佑1,半田浩之1,齋藤英司1,高橋良太1,今泉 京1,吹留博一1,末光眞希1,2
  • 14超低圧酸素雰囲気下でのSi基板上低温グラフェン形成過程のリアルタイム放射光光電子分光東北大1,CREST/JST2,日本原子力研究開発機構3 今泉 京1,高橋良太1,半田浩之1,斉藤英司1,吹留博一1,末光眞希1,2,寺岡有殿3,吉越章隆3
  • 15SiC極薄膜を用いた熱分解グラフェン層形成の検討静大電研 野木 努,宮坂悠太,中村篤志,田中 昭,天明二郎
  •  昼食 13:00〜14:00

16p-ZM - 1〜19

  • 1SiCナノワイヤのジュール加熱によるグラファイト化阪大院理 河野日出夫,森 祐揮
  • 2STM/STSによるカーボンナノウォールの核発生過程の観察名大院工1,片桐エンジニアリング2,名城大理工3 安田幸司1,山川晃司2,近藤博基1,平松美根男3,関根 誠1,堀  勝1
  • 3カーボンナノウォールの成長に対する基板形状の効果名大1,名城大2 渡邊 均1,近藤博基1,石川健治1,竹田圭吾1,関根 誠1,堀  勝1,平松美根男2
  • 4マイクロ波プラズマCVD法によるカーボンナノウォールの生成東洋大1,三光化成2 塩原正記1,坂口清伸2,内田貴司1,吉田善一1
  • 5低温メタンプラズマにおける球状炭素微粒子成長とその微細構造解析I九州工大1,九州共立大2 尾上雅俊1大門秀朗1,内藤正路1,長井達三2,生地文也2
  • 6赤外加熱CVDを用いたCNBの合成と微細構造評価名大院工1,名大エコトピア2 鈴木和也1,田辺 郁1,趙 星彪1,高井 治1,齋藤永宏2
  • 7低圧誘導結合プラズマCVDによるカーボンナノチューブ及びカーボンナノカプセルの合成物材機構 岡田勝行
  • 8無電解めっきによるNiB合金触媒上へのナノカーボン成長芝浦工大工 田中 亨,佐藤智美,唐澤裕介,上野和良
  • 9大容量キャパシタ用カーボン電極のパルス化直流プラズマCVDによる作製中部大 松島真央,野田三喜男,ゴラップ カリタ,脇田紘一,内田秀雄,梅野正義
  • 10カーボンナノコイル生成用Sn/Fe触媒のX線光電子分光分析豊橋技術科学大1,東海カーボン2,湘南合成樹脂製作所3,東邦ガス4 瀧本幸太郎1,シュ リン リム1,須田善行1,田上英人1,滝川浩史1,植 仁志2,清水一樹3,梅田良人4
  •  休憩 16:30〜16:45
  • 11透過型電子顕微鏡による酸化モリブデン内包カーボンナノチューブに関する研究阪大院工1,産総研2 佐川隆亮1,富樫 渉1,秋田知樹2,高井義造1
  • 12In-situ TEM observation of structural change of carbon nanofiber by electron current flow名工大1,マレーシア工大2,若狭湾エネルギー研究センター3 ユソプ ザムリ1,2,Ghosh Pradip1,笹江雅人3,林  灯1,林 靖彦1,種村眞幸1
  • 13プラズマCVDによるPdナノワイヤー/CNT複合構造の作製機構豊田工業大 Ian Thomas Clark,Gemma Ruis,松岡佑樹,吉村雅満
  • 14アルコールアーク放電法による硫化銅ナノワイヤー内包カーボンナノチューブおよび多面体グラファイト粒子の高効率形成三重大院工 小塩 明,山本 誠,小海文夫
  • 15アルコールCVD法による硫化ニッケルナノワイヤー内包カーボンナノチューブの成長三重大 ○(M2)山崎貴之,小塩 明,小海文夫
  • 16異方性エッチングをしたシリコン基板上での単層カーボンナノチューブの水平配向成長九大院総理工1,九大先導研2,JSTさきがけ3,九大院工4 カルロ オロフェオ1,吾郷浩樹1,2,3,辻 正治1,2,生田竜也4,高橋厚史4
  • 17コンビナトリアル触媒堆積法によるサファイア上での水平配向ナノチューブの高密度化九大先導研1,九大院新統合2 吾郷浩樹1,中村由美子1,小川友以2,辻 正治1
  • 18単層カーボンナノチューブの水晶基板上における水平成長メカニズム東大院工 千足昇平,井ノ上泰輝,項  榮,相川慎也,塩見淳一郎,丸山茂夫
  • 19メタンCVD法による水平配向単層カーボンナノチューブの成長におけるメタノール添加の効果阪大院工1,兵庫県立大院工2 太田佑祈1,今古賀健太1,本多信一2,久保 等1,田畑博史1,片山光浩1

17.1 成長技術

9月17日 9:00〜14:45  会場:工学2-ZM

17a-ZM - 1〜10

  • 1Cu(111)単結晶表面への大面積グラフェンの熱CVD合成産総研 石原正統,古賀義紀,金 載浩,津川和夫,長谷川雅考
  • 2エピタキシャルなCu薄膜を用いた単層グラフェンの大気圧CVD成長九大先導研1,九大院総理工2,JSTさきがけ3 胡 宝山1,吾郷浩樹1,2,3,伊藤由人2,辻 正治1,2
  • 3エピタキシャル触媒上でのCVDによるグラフェン成長 (II)九大院総理工1,九大先導研2,JSTさきがけ3 伊藤由人1,吾郷浩樹1,2,3,胡 宝山2,辻 正治1,2,水田典章1,水野清義1
  • 4異なる結晶系を持つエピタキシャル金属薄膜上でのグラフェンCVD成長パナソニック 能澤克弥,松川 望,豊田健治,吉井重雄
  • 5グラファイト生成過程の高温その場TEM観察阪大院工 八尋孝典,高井義造
  •  休憩 10:15〜10:30
  • 6低エネルギー電子顕微鏡によるグラフェン分解・形成のその場観察早大理工1,物材機構2,大阪電通大3 ○(D)小田原玄樹1,大島忠平1,大谷茂樹2,鈴木雅彦3,安江常夫3,越川孝範3
  • 7アルコールCVD法によるサファイア基板上へのグラフェン層の成長静大院工1,電研2 宮坂悠太1,中村篤志2,天明二郎1,2
  • 8エタノールを用いたガスソースMBEによるグラフェンの成長 −流量の変化が成長に及ぼす影響-NTT物性基礎研 前田文彦,日比野浩樹
  • 9光電子制御プラズマCVDによる多層グラフェン成長(10):SiO2/Si基板への直接成長東北大多元研1,CREST-JST2,富士通3 小川修一1,2,佐藤元伸2,3,二瓶瑞久2,3,高桑雄二1,2
  • 10光電子制御プラズマCVDによる多層グラフェン成長(11) : SiO2(350 nm) / Si界面からの光電子放出東北大1,CREST-JST2,富士通3 加賀利瑛1,穂積英彬1,小川修一1,2,佐藤元伸2,3,二瓶瑞久2,3,高桑雄二1,2
  •  昼食 11:45〜12:45

17p-ZM - 1〜8

  • 1化学気相合成法によるグラフェンの大面積合成とその電気特性富士通研ナノエレ研1,産総研グリーンナノエレセンター2 林賢二郎1,2,佐藤信太郎1,2,八木克典1,近藤大雄1,原田直樹1,2,横山直樹1,2
  • 2磁性金属薄膜上へのグラフェンのエピタキシャル成長原子力機構 圓谷志郎,松本吉弘,楢本 洋,境 誠司
  • 3低温CVDプロセスでのグラフェン生成と評価東大院新領域1,東大院理2 中山顕作1,小幡誠司2,斉木幸一朗1,2
  • 4Plasma Enhanced CVD法を用いたグラフェンの成長東大院理 寺澤知潮,斉木幸一朗
  • 5液体ガリウムを用いたレジストパターンからのグラフェンFET形成PRESTO-JST1,筑波大数理2 宮澤陽介1,2,植木竜一1,2,藤田淳一1,2
  • 6光電子分光による酸化グラフェンの熱処理還元過程その場観察米国ラトガーズ大1,東北大2,英国インペリアルカレッジ3,産総研4 山口尚登1,穂積英彬2,加賀利瑛2,江田剛輝3,セシリア マッテヴィ3小川修一2,山田貴壽4,高桑雄二2,マニッシュ チョワラ1,3
  • 7化学修飾したグラフェンの特性評価東大院理1,東大院新領域2 小幡誠司1,田中弘成1,斉木幸一朗1,2
  • 8多温度ゾーンCVD法によるグラフェン薄膜成長の温度依存性阪大院工応物1,阪大産研2 根岸良太1,平野博紀1,小林慶裕1,大野恭秀2,前橋兼三2,松本和彦2

17.1 成長技術

9月17日 9:00〜12:15  会場:工学1-ZQ

17a-ZQ - 1〜12

  • 1ポリイミドバッファー層を用いたステンレス上へのカーボンナノチューブ合成阪大院工 筒井俊博,平原佳織,中山喜萬
  • 2先端放電型リモートプラズマCVD を用いた垂直配向単層カーボンナノチューブの高速成長早大理工 落合拓海,大原一慶,飯塚正知,加藤良吾,川原田洋
  • 3SiC表面分解によるカーボンナノチューブ生成初期過程のその場NEXAFS測定の試み名城大理工1,KEK PF2 丸山隆浩1,榊原悟史1,成塚重弥1,雨宮健太2
  • 4時間制御プラズマCVDによる極短尺単層カーボンナノチューブの直接成長とそのカイラリティ分布制御東北大院工 加藤俊顕,畠山力三
  • 5拡散プラズマCVD法による非磁性金属触媒を利用した極めて狭いカイラリティ分布をもつ単層カーボンナノチューブの合成東北大院工 Zohreh Ghorannevis,加藤俊顕,金子俊郎,畠山力三
  • 6MgO基板上カーボンナノチューブの無金属触媒成長京都工芸繊維大1,和歌山大2 平田史彦1,鴨井 督1,蓮池紀幸1,西尾弘司1,木曽田賢治2,播磨 弘1
  •  休憩 10:30〜10:45
  • 7高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長におけるAl2Ox/Co/Al2Ox多層触媒の効果名城大理工 水谷芳裕,佐藤一徳,丸山隆浩,成塚重弥
  • 8アルコールガスソース法によるZnO単結晶表面上カーボンナノチューブ成長名城大理工 五百川隆康,丸山隆浩,成塚重弥
  • 9高温イオン注入によるSiO2/Si界面へのFeクラスター形成と評価の研究神奈川大理 星野 靖,有馬広記,斎藤保直,中田穣治
  • 10ホットイオン注入形成微粒子を種触媒とするCNT生成法の研究神奈川大理 中田穣治,有馬広記,星野 靖,斎藤保直
  • 11マイクロ波プラズマCVD法による鉄ナノ粒子からのカーボンナノチューブ生成東洋大1,立山マシン2 神倉翔一1,内田貴司1,内山英文2,浅地豊久2,吉田善一1
  • 12パルスUVレーザー補助アルコールCVD装置の開発東洋大1,立山マシン2 内田貴司1,大久根峻1,内山英史2,浅地豊久2,吉田善一1