16. 非晶質・微結晶

16.2 プロセス技術・デバイス

9月17日 9:00〜12:45  会場:薬学-ZB

17a-ZB - 1〜14

  • 1常圧Cat-CVD装置開発のための基礎的検討北陸先端大1,JST さきがけ2 山田貴哉1,Kieu Thi Thanh Nguyen1,大平圭介1,2,松村英樹1
  • 2CFD法によるホットワイヤ水素化処理条件の検討(3)日大 石橋大典,清水耕作
  • 3原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化日大 増田洋平,浅野英輝,清水耕作
  • 4凹凸基板を用いたディップコーティング法によるナノ結晶シリコンの集積化技術東工大量子ナノエレ研セ1,東工大院理工2 高下雅央1,石川哲也1,宇佐美浩一2,小寺哲夫1,2,内田 建2,小田俊理1,2
  • 5シリコンクラスレートにおける結晶構造の制御岐大院工1,岐阜高専2 ○(PC)大橋史隆1,姫野呂人1,纐纈隆造1,馬場達也1,鈴木敬俊1,伴 隆幸1,久米徹二1,羽渕仁恵2,飯田民雄2,夏原大宗1,野々村修一1
  • 6光音響分光法によるナトリウム内包シリコンクラスレートのバンドギャップの評価岐大院工1,岐阜高専2,明石高専3 姫野呂人1,大橋史隆1,纐纈龍造1,馬場達也1,鈴木敬俊1,伴 隆幸1,久米徹二1,羽渕仁恵2,飯田民夫2,堤 保雄3,野々村修一1
  • 7赤外線イメージセンサ用Si/Ge薄膜の特性評価東理大理工1,NEC グリーンイノベーション研2 多井高志1,関野省治2,中村 新2,八巻和宏1,吉武 務2,古川昭雄1
  •  休憩 10:45〜11:00
  • 8固相結晶成長による非結晶ゲルマニウム薄膜の結晶成長に関する検討東海大工 鈴木敦士,井口正太郎,磯村雅夫
  • 9アモルファスSi水素拡散層による多結晶Geの欠陥処理東海大工 高津貴大,磯村雅夫
  • 10FLAによるpoly-Si膜の欠陥終端化アニールを用いた太陽電池作製北陸先端大1,JST さきがけ2 石井翔平1,渡村尚仁1,大平圭介1,2,松村英樹1
  • 11FLAによるpoly-Si薄膜形成におけるガラス中の亀裂深さの評価北陸先端大1,JSTさきがけ2 渡村尚仁1,石井翔平1,大平圭介1,2,松村英樹1
  • 12薄膜シリコン太陽電池応用に向けたInverted-ALILEプロセスの研究東工大1,産総研2 竹内正芳1,近藤道雄1,2
  • 13多元同時RFスパッタ法によるInXGa1-XN薄膜の作製とその評価I岐大工 日比野峻,佐橋達朗,大橋史隆,伊藤貴司,野々村修一
  • 14多元同時RFスパッタ法によるInXGa1-XN薄膜の作製とその評価II岐大工 佐橋達朗,日比野峻,大橋史隆,伊藤貴司,野々村修一