16. 非晶質・微結晶

17a-ZB - 1〜14


• 1常圧Cat-CVD装置開発のための基礎的検討北陸先端大¹，JST さきがけ^{2 ○}山田貴哉¹，Kieu Thi Thanh Nguyen¹，大平圭介^1,2，松村英樹¹
• 2CFD法によるホットワイヤ水素化処理条件の検討(3)日大 ^○石橋大典，清水耕作
• 3原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化日大 ^○増田洋平，浅野英輝，清水耕作
• 4凹凸基板を用いたディップコーティング法によるナノ結晶シリコンの集積化技術東工大量子ナノエレ研セ¹，東工大院理工^{2 ○}高下雅央¹，石川哲也¹，宇佐美浩一²，小寺哲夫^1,2，内田　建²，小田俊理^1,2
• 5シリコンクラスレートにおける結晶構造の制御岐大院工¹，岐阜高専^{2 ○（PC）}大橋史隆¹，姫野呂人¹，纐纈隆造¹，馬場達也¹，鈴木敬俊¹，伴　隆幸¹，久米徹二¹，羽渕仁恵²，飯田民雄²，夏原大宗¹，野々村修一¹
• 6光音響分光法によるナトリウム内包シリコンクラスレートのバンドギャップの評価岐大院工¹，岐阜高専²，明石高専^{3 ○}姫野呂人¹，大橋史隆¹，纐纈龍造¹，馬場達也¹，鈴木敬俊¹，伴　隆幸¹，久米徹二¹，羽渕仁恵²，飯田民夫²，堤　保雄³，野々村修一¹
• 7赤外線イメージセンサ用Si/Ge薄膜の特性評価東理大理工¹，NEC グリーンイノベーション研^{2 ○}多井高志¹，関野省治²，中村　新²，八巻和宏¹，吉武　務²，古川昭雄¹
•  休憩　10:45〜11:00
• 8固相結晶成長による非結晶ゲルマニウム薄膜の結晶成長に関する検討東海大工 ^○鈴木敦士，井口正太郎，磯村雅夫
• 9アモルファスSi水素拡散層による多結晶Geの欠陥処理東海大工 ^○高津貴大，磯村雅夫
• 10FLAによるpoly-Si膜の欠陥終端化アニールを用いた太陽電池作製北陸先端大¹，JST さきがけ^{2 ○}石井翔平¹，渡村尚仁¹，大平圭介^1,2，松村英樹¹
• 11FLAによるpoly-Si薄膜形成におけるガラス中の亀裂深さの評価北陸先端大¹，JSTさきがけ^{2 ○}渡村尚仁¹，石井翔平¹，大平圭介^1,2，松村英樹¹
• 12薄膜シリコン太陽電池応用に向けたInverted-ALILEプロセスの研究東工大¹，産総研^{2 ○}竹内正芳¹，近藤道雄^1,2
• 13多元同時RFスパッタ法によるIn_XGa_1-XN薄膜の作製とその評価I岐大工 ^○日比野峻，佐橋達朗，大橋史隆，伊藤貴司，野々村修一
• 14多元同時RFスパッタ法によるIn_XGa_1-XN薄膜の作製とその評価II岐大工 ^○佐橋達朗，日比野峻，大橋史隆，伊藤貴司，野々村修一