15. 結晶工学

16a-ZT - 1〜11


• 1P(VDF/TrFE)圧電薄膜を用いた超音波測定によるシリコン原子空孔評価法の開発新潟大院自然¹，エムテーシー²，富山大機器分析セ³，新潟大物質量子セ^{4 ○}岡部和樹¹，三本啓輔¹，柳瀬隆志²，赤津光洋¹，馬場正太郎¹，小松　悟¹，小野恭史³，根本祐一¹，金田　寛⁴，後藤輝孝¹
• 2第一原理計算によるシリコン単原子空孔の局在電子状態新潟大院自然¹，岡山大院自然²，新潟大物質量子セ^{3 ○}小川貴史¹，鶴田健二²，家富　洋¹，根本祐一¹，金田　寛³，後藤輝孝¹
• 3Si(110)/(100)接合界面に存在するらせん欠陥に関する第一原理解析(2)岡山県立院情報工¹，コバレントマテリアル^{2 ○（D）}仮屋崎弘昭¹，青木竜彦^1,2，泉妻宏治²，末岡浩治¹
• 4Cu飽和拡散Si結晶中Cuセンタの深さプロファイルのDLTS測定日立、日立研 ^○中村　稔，村上　進
• 5PL法によるシリコンウェーハ中の低濃度炭素不純物定量への取り組み(1)コバレントシリコン¹，JAXA宇宙研^{2 ○}中川聰子¹，鹿島一日兒¹，田島道夫²
• 6「結晶工学分科内招待講演」（30分）
  Siにおけるドナー･アクセプタ対発光の微細構造宇宙研¹，ミラノ-ビコッカ大²，オーストラリア国立大^{3 ○}田島道夫¹，岩井隆晃¹，豊田裕之¹，シモナ ビネッティ²，ダン マクドナルド³
•  休憩　11:00〜11:15
• 7Si結晶中に形成されるUltrashallow Thermal Donorについて東北学院大工¹，東北大金研^{2 ○}原　明人¹，淡野照義¹，大野　裕²，米永一郎²
• 8ナノ構造を有するSi切りくずの熱処理効果物材機構¹，筑波大院数理²，東北大院工³，東北大金研^{4 ○}小野寺尚志^1,2，閻　紀旺³，伊藤　俊⁴，関口隆史^1,2
• 9Si基板上に直接成長させたGeのDLTS測定物材機構¹，MIT²，東大工学部^{3 ○}河野健一郎¹，Luan Hsin-Chiao²，和田一実³，Lionel Kimerling²
• 10CVD法を利用したGeナノワイヤの成長制御と不純物ドーピング物材機構¹，JST さきがけ^{2 ○}深田直樹^1,2，佐藤慶介¹，関口隆史¹，三留正則¹，坂東義雄¹
• 11MOCVD法によるAlC薄膜の成長徳島大院ATS¹，徳島大院STS^{2 ○}堀江郁哉¹，直井美貴^1,2，酒井士郎^1,2