15. 結晶工学

14a-ZQ - 1〜12


• 1InP(111)A面上における双晶形成過程に対する理論的研究三重大院工 ^○山下智樹，秋山　亨，中村浩次，伊藤智徳
• 2第一原理によるInNの電子の有効質量の計算東理大工 ^○和田哲也，佐野雅敏
• 3GaAs(001)基板上のInAs表面上のIn吸着原子の振る舞いに対する量子論的アプローチ三重大院工 ^○小笠原孝介，秋山　亨，中村浩次，伊藤智徳
• 4GaAs基板上InAs(111)A表面に関する理論的検討三重大院工 ^○伊藤智徳，石牟禮直生，秋山　亨，中村浩次
• 5InGaAs(001)表面再配列構造とHfO₂/InGaAs 界面特性物材機構¹，産総研^{2 ○}大竹晃浩¹，宮田典幸²，卜部友二²，安田哲二²
• 6X線スペックル散乱を用いたエピタキシャル成長中の構造ゆらぎの解析原子力機構 ^○高橋正光
• 7(100)GaAsスターパターン基板上へのGaAs選択成長静岡大電子研 ^○Mouleeswaran Deivasigamani，小山忠信，田中　昭，早川泰弘
• 8有機金属塗布熱分解法を用いたITO薄膜の作製と評価龍大 ^○景山　豪，野中俊宏，山本伸一
• 9温度差法LPEを用いたGaAs（001）マイクロチャンネルエピタキシーのための成長条件の検討名城大理工 ^○小島春輝，佐藤秀治郎，風間正志，成塚重弥，丸山隆浩
• 10白色LED用CN薄膜の合成と評価龍谷大¹，津山高専^{2 ○}佐竹聖樹¹，岸本慎平²，伊藤國雄²，山本伸一¹
• 11高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定(3)電通大電子¹，物材機構(東大先端研)²，原子力機構^{3 ○}山本和輝¹，角田直輝¹，海津利行²，高橋正光³，藤川誠司³，山口浩一¹
• 12InAsウェッティング層表面超構造ドメインと量子ドット生成パターンの統計的解析阿南高専 ^○小西智也，塚本史郎