15. 結晶工学

15.6 IV族系化合物

9月14日　9:30〜17:45　　会場：工学1-ZS

14a-ZS - 1〜10

  • 1PVTを用いたSiC結晶成長における化学量論的数値解析九大応力研1，産総研2 ○高　　冰1，中野　智1，陳　雪江1，西澤伸一2，柿本浩一1
  • 2SiC溶液成長における低周波電磁撹拌の影響九大院工1，九大応研2 ○乾　史憲1，高　　冰2，中野　智2，寒川義裕1,2，柿本浩一1,2
  • 3Numerical simulation of the AC magnetic field influence on silicon melt for SiC bulk crystal growth産業技術総合研究所 ○（B）Frederic Mercier，西澤伸一
  • 4Liフラックス法におけるCH4ガス連続供給によるSiCのポリタイプ制御阪大院工 ○中川雄介，武内　紳，今出　完，吉村政志，北岡康夫，佐々木孝友，森　勇介
  • 5CH4連続供給によるSiC厚膜の溶液成長阪大院・工 ○武内　紳，中川雄介，今出　完，吉村政志，北岡康夫，佐々木孝友，森　勇介
  •  休憩　10:45〜11:00
  • 6モノメチルシランガスを用いたSiC薄膜の低温堆積横国大院工 ○安藤裕介，羽深　等
  • 76H-SiC上への3C-SiCヘテロ成長における多形変換過程名大院工1，MINATEC-LMGP2 ○関　和明1，サンダー アレキ1，小澤茂太1，宇治原徹1，Patrick ChaudouëT2，Didier Chaussende2，竹田美和1
  • 8モノメチルシランULPCVDによるSi基板上3C-SiC低温・超高速製膜東北大1，JST-CREST2 ○齋藤英司1，末光眞希1,2
  • 9近接垂直ブロー型CVD炉を用いた4H-SiCエピ膜の高速・厚膜成長産総研 ○石田夕起，高橋徹夫，奥村　元，荒井和雄，吉田貞史
  • 104H-SiC高濃度n型単結晶における積層欠陥の抑制産総研1，デンソー2，豊田中研3，トヨタ自動車4 ○児島一聡1，加藤智久1，伊藤佐千子1，小島　淳2，廣瀬富佐雄2，木藤泰男2，山内庄一2，西川恒一3，安達　歩4
  •  昼食　12:15〜13:15

14p-ZS - 1〜17

  • 1断面TEM及びAFMによる4H-SiC熱酸化膜の表面･界面構造評価阪大院工1，ローム2 ○上西悠介1，小園幸平1，箕谷周平2，中野佑紀2，中村　孝2，細井卓治1，志村孝功1，渡部平司1
  • 2SiC熱酸化膜の信頼性低下を引き起こす外的要因の検討阪大院工1，ローム2 ○上西悠介1，箕谷周平2，中野祐紀2，中村　孝2，細井卓治1，志村孝功1，渡部平司1
  • 3SiC熱酸化膜絶縁破壊に及ぼす界面ラフネスの影響産総研 ○先崎純寿，下里　淳，児島一聡，加藤智久，田中保宣，奥村　元
  • 4SiC熱酸化膜の発光解析産総研1，浜松ホトニクス2 ○先崎純寿1，下里　淳1，越川一成2，田中保宣1，福田憲司1，奥村　元1
  • 5a面およびm面4H-SiCにおける熱酸化膜厚のオフ角依存性奈良先端科学技術大学院大 ○上岡義弘，矢野裕司，畑山智亮，冬木　隆
  • 6SiO2/4H-SiC界面構造と伝導帯オフセットの相関阪大院工1，原子力機構2，ローム3 ○桐野嵩史1，Chanthaphan Atthawut1，池口大輔1，吉越章隆2，寺岡有殿2，箕谷周平3，中野佑紀3，中村　孝3，細井卓治3，志村考功1，渡部平司1
  • 7SiC表面上におけるSiON超薄膜の誘電率電通大電子1，電通大先進理工2 ○大杉拓也1，中村　淳1,2
  • 84H-SiC MOSFETの堆積酸化膜および熱酸化膜に対するNOアニールの効果京大工 ○（D）南園悠一郎，須田　淳，木本恒暢
  • 9絶縁層埋め込み型3C-SiC (SiC-OI) 基板におけるゲート酸化膜の界面準位密度の評価九州工大工 ○（M1）浦田憲一，池野　慎，中尾　基
  •  休憩　15:30〜15:45
  • 104H-SiCへのAlイオン注入二次元モデルの適用性評価ＦＵＰＥＴ1，日立中研2 ○望月和浩1,2，横山夏樹1,2
  • 11C−ƒ測定による4H-SiCにイオン注入されたAl活性化エネルギーの導出新日本無線 ○許　恒宇，小野修一，新井　学，山崎王義
  • 12ECR スパッタカーボン膜とECR プラズマエッチングを用いたSiC キャップアニール技術MESアフティ1，千葉工大2，神奈川産技セ3 ○田嶌哲也1，鳥居博典1，廣野　滋1，鎌田智之2，秋山賢輔3，平林康男3
  • 134H-SiCとの反応組織および接触特性に及ぼすNi/Nb電極の厚さ比率の影響東北大院工 ○（D）丁　建華，伊藤敬一，須藤祐司，小池淳一
  • 14陽極酸化法による4H-SiCショットキーダイオードの整流特性の改善名工大 ○（M1）木村允哉，加藤正史，市村正也
  • 15N 型エピ層の不純物濃度と厚みを変えて作成したQPG(Quasi P-type Guard-ring)構造を有するSiC-SBD の逆方向電圧-電流特性新日本無線 ○小野修一，小野　悟，片上崇治，許　恒宇，新井　学，山崎王義
  • 16窒化堆積酸化膜パッシベーションによる4H-SiC BJTのゲイン向上京大院工1，京大光・電子理工学セ2 ○（D）三宅裕樹1，木本恒暢1,2，須田　淳1
  • 17SiC素子Au-Ge共晶はんだ接合系の高温放置信頼性次世代パワエレ機構1，日産自動車2，富士電機HD3，東芝4，サンケン電気5，産総研6 ○谷本　智1,2，松井康平1,3，高尾和人1,4，佐藤伸二1,5，村上善則1,2，佐藤　弘1,6，山口　浩1,6

15.6 IV族系化合物

9月15日　9:15〜12:30　　会場：工学1-ZS

15a-ZS - 1〜12

  • 1三フッ化塩素ガスによる炭化珪素エッチング装置の設計横国大院工1，関東電化2，産総研3 ○弓矢武蔵1，福元裕介1，羽深　等1，飯塚晋司2，深江功也2，加藤智久3
  • 2三フッ化塩素ガスにより4H-SiC表面に形成されるエッチピット横国大院工1，関東電化2，産総研3 ○古川和親1，羽深　等1，飯塚晋司2，深江功也2，加藤智久3
  • 3高濃度n型4H-SiC結晶のファノ干渉効果産総研 ○三谷武志，中島信一，加藤智久，児島一聡，奥村　元
  • 44H-SiCエピ膜中のフランクタイプ欠陥のＰＬ発光特性電中研 ○鎌田功穂，張　　旋，土田秀一
  • 5超厚膜n- 4H-SiCエピタキシャル膜のキャリア寿命評価電中研 ○宮澤哲哉，伊藤雅彦，土田秀一
  • 64H-SiC中の熱ストレスと界面転位形成の相関電力中央研究所 ○張　　旋，長野正裕，土田秀一
  •  休憩　10:45〜11:00
  • 7紫外線照射によるSiC加工表面の非接触評価名工大院1，フジミ2 ○西尾和真1，永利一幸2，江龍　修1
  • 8高温アニールによるSiC変形におよぼすSiH4添加の影響富士電機ホールディングス1，筑波大院2 ○河田泰之1,2，俵　武志1，中村俊一1，俵　　妙1，後藤雅秀1，岩室憲幸1，秋本克洋2
  • 9熱酸化によるSiC中の深い準位低減および生成メカニズムの解析京大工学研究科 ○川原洸太朗，須田　淳，木本恒暢
  • 10酸化中のSiC層へのSiおよびC原子放出についての理論的検討埼玉大院理工研1，産総研先進パワエレ研2 ○土方泰斗1，八木修平1，矢口裕之1，吉田貞史2
  • 11SiCダイオードの過渡電荷収集における電子線誘起欠陥の影響電通大1，原子力機構2，産総研3 ○岩本直也1,2，小野田忍2，牧野高紘2，大島　武2，児島一聡3，小池俊平1，小泉　淳1，内田和男1，野崎眞次1
  • 12200keV電子線照射によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中の耐放射線性大阪電通大1，原子力機構2 ○野尻琢慎1，西野公三1，柳澤英樹1，小野田忍2，大島　武2