15. 結晶工学

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• 1Globalひずみ基板のひずみ緩和を抑制するstress-retainer技術の開発MIRAI-東芝¹，MIRAI-AIST^{2 ○}臼田宏治¹，守山佳彦¹，Vladimir Poborchii²，多田哲也²，手塚　勉¹
• 2スパッタエピタキシー法による均一歪を有する平坦歪Si層の形成東京農工大院工¹，情報通信研究機構²，サザンプトン大^{3 ○}花房宏明¹，広瀬信光²，笠松章史²，三村高志²，松井敏明²，Harold M. H. Chong³，水田　博³，須田良幸¹
• 3(110)面を表面に有する歪みSiの正孔移動度と結晶モフォロジーとの関係山梨大クリスタル研¹，東北大金研²，東京都市大総研³ 八木聡介¹，^○有元圭介¹，中川清和¹，宇佐美徳隆²，中嶋一雄²，澤野憲太郎³，白木靖寛³
• 4Ar⁺およびSi⁺イオン注入欠陥がSiGe層の歪緩和に与える影響東京都市大¹，東北大²，山梨大^{3 ○}星　裕介¹，澤野憲太郎¹，宇佐美徳隆²，有元圭介³，中川清和³，白木靖寛¹
• 5イオン注入法によるSi(111)基板上緩和SiGeバッファ層の作製東京都市大¹，山梨大^{2 ○}久保智史¹，澤野憲太郎¹，星　裕介¹，中川清和²，白木靖寛¹
• 6選択的イオン注入法により作製される一軸性歪みSiGeの表面構造評価東京都市大¹，東北大²，山梨大^{3 ○}永倉　壮¹，星　裕介¹，澤野憲太郎¹，宇佐美徳隆²，中川清和³，白木靖寛¹
• 7スパッタエピタキシー法で形成したGe薄膜の応力解析東京農工大院工¹，情報通信研究機構²，サザンプトン大^{3 ○}花房宏明¹，広瀬信光²，笠松章史²，三村高志²，松井敏明²，Harold M. H. Chong³，水田　博³，須田良幸¹
• 8Ge(111)への高濃度Sbデルタドーピングによる低抵抗コンタクト形成東京都市大¹，九大²，JST さきがけ^{3 ○}竹田圭吾¹，星　裕介¹，笠原健司²，山根一高²，澤野憲太郎¹，浜屋宏平^2,3，宮尾正信²，白木靖寛¹
•  休憩　15:30〜15:45
• 9スピンMOSFET用Fe₃Si/SOI(111)高品質接合の作製九大院シス情¹，JSTさきがけ²，阪大院基礎工³，コバレントシリコン^{4 ○}馬場雄三¹，村上達彦¹，橋本直樹¹，安藤裕一郎¹，浜屋宏平^1,2，吉川　純³，中村芳明³，豊田英二⁴，泉妻宏治⁴，酒井　朗³，宮尾正信¹
• 10四探針型Pseudo-MOS トランジスタ法を用いた貼り合せGermanium(111)-on-Insulator 基板の電気特性評価阪大院基礎工¹，コバレントシリコン²，九大･院システム情報³ 南　圭祐¹，^○中村芳明¹，吉川　純¹，豊田英二²，泉妻宏治²，浜屋宏平³，宮尾正信³，酒井　朗¹
• 11急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製阪大院工 ^○（M1）荻原伸平，吉本千秋，細井卓治，志村考功，渡部平司
• 12急速加熱液相エピタキシャル成長法により作製したSGOI構造のGe濃度のアニール温度依存性阪大院工 ^○荻原伸平，鈴木雄一朗，吉本千秋，細井卓治，志村考功，渡部平司
• 13SiGeミキシング誘起溶融成長法による網目状GOI成長の大面積方位制御九大・院システム情報 ^○大田康晴，都甲　薫，佐道泰造，宮尾正信
• 14SiGeミキシング誘起溶融成長法によるGOI(Ge on Insulator)モザイク成長とテンプレート応用九大・院システム情報 ^○横山裕之，東條友樹，坂根　尭，都甲　薫，佐道泰造，宮尾正信
• 15Si基板上サブミクロン領域にエピタキシャル成長したGe薄膜の転位構造阪大院基礎工¹，IMEC^{2 ○}原田進司¹，海老原洪平¹，吉川　純¹，中村芳明¹，酒井　朗¹，Wang Gang²，Caymax Matty²
• 16歪Ge_1-xSn_x層への高濃度不純物ドーピング名大院工¹，学振特別研究員²，IMEC³，KUL⁴，コバレントシリコン^{5 ○}志村洋介^1,2，竹内正太郎^1,5，Benjamin Vincent³，Geert Eneman³，Trudo Clarysse³，Andre Vantomme⁴，Johan Dekoster³，Matty Caymax³，Roger Loo³，中塚　理¹，財満鎭明¹