15. 結晶工学

14a-A - 1〜10


• 1超音波マイクロスペクトロスコピー技術によるGaN単結晶の音響関連物理定数の決定東北大院・工 ^○大橋雄二，櫛引淳一
• 2β-Ga₂O₃層とZnO犠牲層を用いた自立GaN薄膜の作成石巻専修大理工 ^○中込真二，三浦巨人，國分義弘
• 3化学気相法によるAlN粒子表面上への薄いGaN層の形成静岡大電研 ^○森　達宏，小林敬祥，河西康雅，小南裕子，中西洋一郎，原　和彦
• 4GaCl₃を用いたGaNのHVPE成長東京農工大院工 ^○山根貴好，花岡幸史，近藤秀昭，村上　尚，熊谷義直，纐纈明伯
• 5Ga₂Oを用いた気相成長におけるGaN(10-10)成長阪大院工¹，伊藤忠プラスチックス^{2 ○}隅　智亮¹，卜　　渊¹，北本　啓¹，今出　完¹，吉村政志¹，北岡康夫¹，佐々木孝友¹，森　勇介¹，伊勢村雅士²
•  休憩　10:15〜10:30
• 6Ca添加Naフラックス法による六角柱状GaN単結晶育成阪大院工 ^○小西悠介，請川紘嗣，藤森　拓，高澤秀生，村上航介，三好直哉，今出　完，吉村政志，北岡康夫，佐々木孝友，森　勇介
• 7Baを添加したNaフラックス法を用いたGaN単結晶成長における成長方位制御阪大院・工 ^○請川紘嗣，小西悠介，藤森　拓，高澤秀生，村上航介，三好直哉，今出　完，吉村政志，北岡康夫，佐々木孝友，森　勇介
• 8Naフラックス法によるロッド状GaN種結晶を用いたバルク成長阪大院・工 ^○村上航介，高澤秀生，三好直哉，今出　完，吉村政志，北岡康夫，佐々木孝友，森　勇介
• 9ヨウ化アンモニウムを鉱化剤に用いたアモノサーマル法によるGaN育成東北大多元研¹，東北大金研²，東北大WPI^{3 ○}鏡谷勇二¹，栗林岳人¹，羽豆耕治¹，尾沼猛儀¹，冨田大輔¹，志村玲子²，秩父重英¹，杉山和正²，横山千昭¹，石黒　徹¹，福田承生³
• 10気相合成した酸性鉱化剤を用いて成長したアモノサーマルGaN及びMOVPEホモエピタキシャル層の評価東北大多元研¹，東北大原子分子材料科学高等研究機構^{2 ○}秩父重英¹，鏡谷勇二¹，羽豆耕治¹，尾沼猛儀¹，石黒　徹¹，福田承生²

14a-C - 1〜11


• 11ML-InN/GaN量子ナノ構造におけるMOVPE成長モードと光学特性の相関千葉大院工¹，千葉大VBL^{2 ○}山本弥史¹，上田　篤¹，竜崎達也¹，草部一秀^1,2，石谷善博^1,2，吉川明彦^1,2
• 2N極性 MgドープInNにおけるフォトルミネッセンス温度依存特性解析千葉大院工¹，千葉大VBL²，北京大^{3 ○}今井大地¹，石谷善博^1,2，藤原昌幸¹，草部一秀^1,2，吉川明彦^1,2，王　新強³
• 3ラマン散乱によるPR-MOVPE 成長InN膜質評価京都工繊大¹，和大²，東北大³，JST-CREST^{4 ○}亀井靖人¹，金　廷坤^1,4，木村篤人¹，蓮池紀幸^1,4，木曽田賢治²，播磨　弘^1,4，劉　玉懐^3,4，松岡隆志^3,4
• 4TEMを用いたDERI法MgドープInNの極微構造評価立命館大¹，立命館大²，ソウル国立大WCUプログラム^{3 ○}坂本　務¹，山口智広²，岩本亮輔¹，荒木　努¹，名西やすし^1,3
• 5RF-MBE法によるGaNバッファ層上InN膜の成長道工大工 ^○山本泰輔，澤田孝幸，今井和明，木村尚仁
•  休憩　10:15〜10:30
• 6炭化したSi(111)基板上へのGaNのMBE成長岡山理大理¹，道工大工^{2 ○（M2）}中川駿一郎¹，斉藤　博¹，大石正和¹，今井和明²
• 7RF-MBE法を用いた疑似Al基板上GaN成長工学院大 ^○林　才人，後藤大雅，井垣辰浩，田口　悟，本田　徹
• 8高密度窒素ラジカル源を用いたMBE 法による高速GaNホモ・エピタキシャル成長の実現名大院工¹，名大ARC2²，名大PLANT³，名城大理工⁴，NUエコ・エンジニアリング⁵，片桐エンジニアリング^{6 ○}河合洋次郎^1,2，本田善央^1,2，山口雅史^1,2，天野　浩^1,2，陳　　尚¹，近藤博基¹，平松美根男⁴，堀　　勝^1,3，加納浩之⁵，山川晃司⁶，田　昭治⁶
• 9アンモニア系MOMBEを用いたGaN選択成長の結晶表面形態に与える温度の効果名城大 ^○林　家弘，阿部亮太，丸山隆浩，成塚重弥
• 10MOMBEを用いたGaNの選択成長に付随する横方向成長名城大理工 ^○（M2）阿部亮太，林　家弘，丸山隆浩，成塚重弥
• 11ECRプラズマMBE法によるSi基板上GaNの低温成長における結晶損傷とイオン低減による高品質化大工大¹，大工大・一般^{2 ○}淀　徳男¹，原田義之²
•  昼食　12:00〜13:00

14p-C - 1〜17

• 1高Al組成AlGaNのMBE成長におけるGa取り込みの著しい面方位依存性京大院工¹，京大光電子理工セ^{2 ○}上田俊策¹，堀田昌宏¹，木本恒暢^1,2，須田　淳¹
• 2RF-MBE法によるMgO(001)基板上Siドープ立方晶AlGaNの薄膜成長東大新領域 ^○角田雅弘，窪谷茂幸，尾鍋研太郎
• 3RF-プラズマ支援分子線エピタキシー法を用いたSi(111)基板上GaNナノロッド成長北大院情報科学研究科¹，北大量子集積エレクトロニクス研究センター^{2 ○（DC）}磯村暢宏¹，橋詰　保²，本久順一¹
• 4GaGdN/AlGaN多重量子ディスクの成長とその評価 (2)阪大産研 ^○丹保浩行，植中麻衣，周　逸凱，江村修一，長谷川繁彦，朝日　一
• 5InGa(Gd)N/Ga(Gd)N 超格子構造のMBE 成長阪大産研 ^○Sitinooraya Mohdtawil，Krishnamurthy Daivasigamani，垣見梨菜，江村修一，長谷川繁彦，朝日　一
•  休憩　14:15〜14:30
• 6逆格子空間マッピングを用いたGaGdNの構造解析阪大産研¹，阪大院工^{2 ○}東晃太朗¹，安部大治郎¹，満野陽介¹，小森祥央¹，石川史太郎²，長谷川繁彦¹，朝日　一¹
• 7MBE成長GaCrN結晶中の空孔型欠陥の陽電子消滅法による評価 (2)原子力機構¹，阪大産研^{2 ○（P）}薮内　敦¹，前川雅樹¹，河裾厚男¹，長谷川繁彦²，周　逸凱²，朝日　一²
• 8GaN基板上Pd固定触媒のS終端効果阿南高専 ^○平山　基，植田有紀子，小西智也，塚本史郎
• 9UHV スパッタ法によるGaN 系単結晶層の成長電機大工¹，ブルカー・エイエックスエス^{2 ○}寒河江宏介¹，小山田友樹¹，篠田宏之¹，六倉信喜¹，森岡　仁²，斎藤啓介²
• 10アニール処理したスパッタ成長GaN系単結晶層の評価電機大工¹，ブルカー・エイエックスエス^{2 ○}小山田友樹¹，寒河江宏介¹，篠田宏之¹，六倉信喜¹，森岡　仁²，斎藤啓介²
•  休憩　15:45〜16:00
• 11昇華法AlN基板上への減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長三重大工¹，名工大²，山口大^{3 ○}野村拓也¹，奥村建太¹，三宅秀人¹，平松和政¹，江龍　修²，山田陽一³
• 12減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのAlN横方向成長三重大工¹，理研^{2 ○}藤田浩平¹，三宅秀人¹，平松和政¹，乗松　潤²，平山秀樹²
• 13a面sapphire基板上c面AlN HVPE成長における面内配向性の制御東京農工大院工¹，トクヤマ^{2 ○（D）}田島純平¹，越前　史¹，富樫理恵¹，村上　尚¹，高田和哉²，熊谷義直¹，纐纈明伯¹
• 14非c軸配向AlNグレインを利用した6H-SiC(0001)基板上AlNのSelf-ELO東京農工大院工¹，トクヤマ^{2 ○}関口修平¹，石附正成²，富樫理恵¹，村上　尚¹，熊谷義直¹，高田和哉²，纐纈明伯¹
• 15アルミナの炭素熱還元析出法による高品質AlNバルク単結晶の作製東北大多元研¹，トクヤマ^{2 ○}加藤三香子¹，小畠秀和¹，大塚　誠¹，福山博之¹，服部　剛²，東　正信²，高田和哉²
• 16高温熱処理によるc面sapphire基板表面の窒化東京農工大院工¹，トクヤマ^{2 ○}猪木孝洋¹，石附正成²，富樫理恵¹，村上　尚¹，熊谷義直¹，高田和哉²，纐纈明伯¹
• 17Ga-Al融液を用いたサファイア窒化基板上へのAlNホモエピタキシャル成長東北大多元研¹，住友金属鉱山^{2 ○（PC）}安達正芳¹，前田一夫²，田中明和²，小畠秀和¹，福山博之¹

14p-NJ - 1〜18


• 1RF-MBE法による規則配列GaNナノコラム上への高In組成InGaN活性層の成長上智理工¹，上智ナノテク²，CREST^{3 ○}神山幸一¹，岸野克巳^1,2,3，神村淳平^1,3，井上涼平¹，菊池昭彦^1,2,3
• 2ＲＦ−ＭＢＥ法を用いた高In組成InGaNナノコラムの選択成長上智理工¹，上智ナノテク²，CREST JST^{3 ○（M1）}井上涼平¹，岸野克巳^1,2,3，神村淳平^1,3，神山幸一¹，菊池昭彦^1,2,3
• 3DERI法InGaN成長を応用した厚膜化への試み立命館大理工¹，立命館大R-GIRO²，ソウル大^{3 ○}上松　尚¹，山口智宏²，岩本亮輔¹，坂本　務¹，藤嶌辰也¹，荒木　務¹，名西やすし^1,3
• 4DERI法を用いたInGaN成長と組成制御への試み立命館大理工¹，立命館大R-GIRO²，ソウル国立大^{3 ○}岩本亮輔¹，山口智広²，上松　尚¹，坂本　務¹，藤嶌辰也¹，荒木　努¹，名西やすし^1,3
• 5rf-MBE法を用いた規則配列InGaN/GaNナノパラソルの成長上智大・理工¹，上智ナノテクノロジー研究センター²，科学技術振興機構 CREST^{3 ○}秦　裕史¹，岸野克己^1,2,3，光野徹也^1,3，菊池昭彦^1,2,3
•  休憩　14:15〜14:30
• 6新規酸窒化物InGaON系半導体のRF-MBE成長(1)　- 3元InON混晶のO/N組成比制御 -千葉大院工¹，千葉大VBL^{2 ○}高橋洋平¹，本間達矢¹，草部一秀^1,2，石谷善博^1,2，吉川明彦^1,2
• 7新規酸窒化物InGaON系半導体のRF-MBE成長 (2)　- InN/InONヘテロ構造の作製 -千葉大院工¹，千葉大VBL^{2 ○}本間達矢¹，高橋洋平¹，草部一秀^1,2，石谷善博^1,2，吉川明彦^1,2
• 8InNデバイス作製プロセスへのウエットエッチングの適用立命館大・理工¹，立命館大・総理研²，R-GIRO³，NTTフォトニクス研⁴，ソウル国立大 WCUプログラム^{5 ○}三木　彰¹，森本健太¹，前田就彦^2,4，山口智広³，荒木　努¹，名西やすし^1,5
• 9RF-MBE法によるInN結晶のELO成長上智理工¹，上智ナノテク²，CREST JST^{3 ○（D）}神村淳平^1,3，岸野克巳^1,2,3，神山幸一¹，井上涼平¹，菊池昭彦^1,2,3
• 10InN 量子ドットのMBE 成長と評価阪大産研 ^○（PC）Krishnamurthy Daivasigamani，Siti Nooraya Md Tawil，長谷川繁彦，朝日　一
• 11YSZ基板上に成長したInNの極性制御と成長モード東大院工¹，東大工²，東大生研³，JST-CREST^{4 ○}小林　篤¹，大久保佳奈²，太田実雄³，藤岡　洋^3,4，尾嶋正治^1,4
• 12ZnO基板上への高In組成m面InAlN薄膜の成長東大院工¹，東大生研²，JST-CREST^{3 ○}梶間智文¹，上野耕平²，小林　篤¹，太田実雄²，藤岡　洋^2,3，尾嶋正治^2,3
•  休憩　16:15〜16:30
• 13InNのMOVPE成長挙動におけるCp₂Mg供給効果福井大工 ^○（PC）杉田憲一，橋本明弘，山本あき勇
• 14N極性1分子層InN/GaNナノ構造のMOVPE成長千葉大院工¹，千葉大VBL^{2 ○}上田　篤¹，山本弥史¹，竜崎達也¹，草部一秀^1,2，石谷善博^1,2，吉川明彦^1,2
• 15電界効果MOCVDによるInNの結晶成長東海大　総合理工 ^○太田優一，犬島　喬
• 16GaAs(110)基板上半極性InNのMOVPE成長農工大院工 ^○村上　尚，趙　賢哲，末松真友，富樫理恵，熊谷義直，纐纈明伯
• 17加圧MOVPE成長InNの相純度の成長温度依存性東北大金研¹，京都工繊大工芸²，JST-CREST³ 木村健司^1,3，^○劉　玉懐^1,3，張　源涛^1,3，Kiattiwut Prasertsuk¹，金　廷坤^2,3，蓮池紀幸^2,3，播磨　弘^2,3，片山竜二^1,3，松岡隆志^1,3
• 18加圧MOVPE成長InNのバンドギャプエネルギーの温度依存性東北大金研¹，JST-CREST^{2 ○}劉　玉懐^1,2，木村健司^1,2，張　源涛^1,2，Kiattiwut Prasertsuk¹，花田　貴^1,2，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2

15a-B - 1〜11


• 1ウルツ型半導体における歪マトリックスについての再検討阪大産研 ^○江村修一，白井光雲，朝日　一
• 23d遷移金属添加窒化物半導体のイオン化ポテンシャル京都工繊大 ^○園田早紀
• 33d遷移金属添加窒化物半導体の光吸収特性京都工繊大 ^○園田早紀
• 4AlGaN混晶薄膜の励起スペクトル山口大院・理工¹，三重大院・工^{2 ○}橘高　亮¹，室谷英彰¹，武藤弘貴¹，倉井　聡¹，山田陽一¹，三宅秀人²，平松和政²
• 5AlGaN混晶薄膜における偏光特性のSi濃度依存性山口大院・理工¹，三重大院・工^{2 ○}室谷英彰¹，橘高　亮¹，武藤弘貴¹，倉井　聡¹，山田陽一¹，三宅秀人²，平松和政²
• 6Inhomogeneous Broadening in Al-rich AlGaN/AlN Single Quantum Wells京大院・工 ^○（P）Ryan Banal，Mitsuru Funato，Yoichi Kawakami
•  休憩　10:30〜10:45
• 7AlGaN混晶の広領域での複素屈折率福井大工¹，三重大工^{2 ○}岩井浩紀¹，小田　哲¹，福井一俊¹，三宅秀人²，平松和政²
• 8ZnO基板上半極性面AlGaN薄膜の偏光特性評価東大生研¹，東大院工²，JST-CREST^{3 ○（D）}上野耕平¹，小林　篤²，太田実雄¹，藤岡　洋^1,3
• 9ZnO基板上高In組成m面InGaN薄膜の構造特性及び偏光特性東大生研¹，東大院工²，JST-CREST^{3 ○}玉木啓晶¹，小林　篤²，太田実雄¹，尾嶋正治^2.3，藤岡　洋^1,3
• 10GaNヘキサゴナルマイクロディスクのウィスパリングギャラリーモード型光励起発振上智理工¹，上智ナノテク²，科学技術振興機構^{3 ○（DC）}光野徹也^1,3，岸野克巳^1,2,3，酒井　優^1,3，菊池昭彦^1,2,3
• 11GaNナノリング共振器による光励起発振特性上智大¹，上智ナノテクノロジー研究センター²，科学技術振興機構　^{3 ○}鈴木匠人¹，岸野克巳^1,2,3，光野徹也^1,3，菊池昭彦^1,2,3
•  昼食　12:00〜13:00

15p-B - 1〜21

• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  ウルツ鉱構造におけるquasicubic近似の破綻京大院工 ^○石井良太，金田昭男，船戸　充，川上養一
• 2無極性面AlGaN/AlN量子井戸の光学特性に関する理論検討京大院・工¹，金沢工大^{2 ○}小島一信¹，山口敦史²，船戸　充¹，川上養一¹，野田　進¹
• 3擬立方晶近似の妥当性についての理論的考察筑波大院数理¹，金沢工大^{2 ○}海老原康裕¹，白石賢二¹，山口敦史²
• 4非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈金沢工大¹，京大院工^{2 ○}山口敦史¹，小島一信²
• 5InGaN系量子井戸構造における発光ダイナミクスの転位密度依存性山口大院・理工¹，三菱化学・オプト技開センター^{2 ○}須戸康弘¹，廣野貴一¹，山内雅貴¹，倉井　聡¹，山田陽一¹，工藤広光²，岡川広明²
• 6InGaN量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの空間時間分解PL評価　−近接場光学顕微鏡によるEfficiency droop機構の解明−京大院・工 ^○橋谷　享，金田昭男，船戸　充，川上養一
• 7GaInN多重量子井戸構造における可飽和吸収効果東北大未来研¹，ソニー先端マテ研^{2 ○}宮嶋孝夫^1,2，渡邊秀輝²，河野俊介¹，大木智之²，幸田倫太郎^1,2，倉本　大^1,2，池田昌夫^1,2，横山弘之¹
• 8n,p-type薄膜GaNウエハのテラヘルツ反射測定古河機械金属¹，理研仙台²，東北大院理³，パウデック^{4 ○}濱野哲英¹，腹子　章¹，大野誠吾^2,3，南出泰亜²，伊藤弘昌²，薄　善行¹，渡辺泰史¹，住田行常⁴，河合弘治⁴
•  休憩　15:00〜15:15
• 9微細化対極を用いた窒化物光触媒による水素生成東京理大理 ^○佐野双美，林　智恵，小山貴裕，平子　晃，藤井克司，大川和宏
• 10n型GaNの特性が水還元水素生成光誘起電流の時間変化に与える影響東北大 ^○藤井克司，小池佳代，熱海美香，後藤武生，八百隆文
• 11グラファイト基板上への高品質GaN薄膜成長パナソニック先端研¹，パナソニック半デバ研^{2 ○}松下明生¹，長尾宣明¹，藤井映志¹，好田慎一²，瀧澤俊幸²
• 12高In濃度InGaNを用いた太陽電池の試作東大生研¹，JST-CREST^{2 ○}井上　茂¹，太田実雄¹，加藤雅樹¹，田村和也¹，藤岡　洋^1,2
• 13X線回折によるGaN系発光ダイオードMQW層評価コベルコ科研¹，阪大院^{2 ○}田口秀幸¹，北原　周¹，笠石修司¹，三宅　綾¹，三宅修吾¹，豊田　忠¹，中上明光¹，西川　敦²，藤原康文²
• 14化学エッチングを用いたGaN基板の高能率平坦化加工阪大院工¹，荏原製作所^{2 ○}定国　峻¹，村田順二¹，八木圭太²，佐野泰久¹，有馬健太¹，岡本武志¹，橘　一真¹，山内和人¹
• 15p-GaN/MgO/Alq₃無機/有機複合デバイスの電流注入発光特性上智大¹，上智ナノテク研究センター^{2 ○}辻　智之¹，菊池昭彦^1,2
•  休憩　17:00〜17:15
• 16サファイア加工基板上へ成長した非極性面GaNを用いたLEDの作製山口大院理工 ^○田渕慎一，栗栖彰宏，岡田成仁，只友一行
• 17規則配列ナノコラム構造を用いたInGaN/GaN緑色域発光ダイオード上智大¹，上智ナノテク研究センター²，JST CREST^{3 ○}後藤明輝¹，岸野克巳^1,2,3，山野晃司^1,3，菊池昭彦^1,2,3
• 18光取りだし効率に及ぼすInGaN-LEDのストライプ形状マスク層の屈折率依存性山口大院理工¹，長州産業^{2 ○}内田聡充¹，阿部結樹¹，岡田成仁¹，只友一行¹，揖斐恒治²，渡部　嘉²
• 19柱状のナノ周期パターンを有する加工基板上に作製した発光ダイオード −発光出力に対する柱の高さ依存性−山口大院理工¹，SCIVAX²，サムコ^{3 ○}品川　拓¹，岡田成仁¹，只友一行¹，谷口　豊²，田村裕宣²，丸野敦紀³，平本道広³
• 20酸化ジルコニウムを用いたサファイア基板上LEDの作製名城大・理工¹，エルシード²，名大・院工^{3 ○}田村健太¹，飯田大輔¹，山口修司¹，近藤俊行²，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智^1,2，赤崎　勇¹，天野　浩³
• 21電極および基板界面にMoth-eye構造を形成した高効率LEDの作製名城大理工¹，エルシード²，名大院・工・ARC^{3 ○}櫻井　悠¹，近藤俊行²，寺前文晴²，鈴木敦志²，北野　司²，森みどり²，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智^1,2，赤崎　勇¹，天野　浩³

15a-C - 1〜12


• 1MOVPE法によるIn_xGa_1-xN (x〜0.6)の成長とMgドーピング福井大工¹，関西電力^{2 ○}堀田　徹¹，笹本紘平¹，杉田憲一¹，橋本明弘¹，山本あき勇¹，木下勝弘²，小路泰弘²
• 2半極性面GaN ストライプ上InGaN/GaN MQW のMOVPE 選択成長(II)名大院工¹，赤崎記念研究センター^{2 ○（D）}谷川智之^1,2，村瀬　輔^1,2，本田善央^1,2，山口雅史^1,2，天野　浩^1,2
• 3GaN基板上に作製したGaInN/GaInN超格子構造の微細構造名城大・理工¹，名大・工・ARC^{2 ○（M1）}杉山　徹¹，磯部康裕¹，桑原洋介¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇¹，天野　浩²
• 4r面サファイア加工基板上へ成長した{11-22}GaN上への厚膜InGaNの成長山口大院理工 ^○栗栖彰宏，阿部結樹，岡田成仁，只友一行
• 5InGaN/GaN成長条件が非発光領域の形成に与える影響東芝研究開発センター ^○塩田倫也，彦坂年輝，原田佳幸，橘　浩一，杉山直治，布上真也
• 6オフ角の付いたn面サファイア加工基板上におけるInGaN量子井戸からの多色発光山口大院理工¹，京セラ^{2 ○}高見成希¹，栗栖彰宏¹，阿部結樹¹，岡田成仁¹，只友一行¹，梅原幹裕²，井原俊之²，坪倉　理²，藤田　航²
•  休憩　10:30〜10:45
• 7ピラミッド上半極性面InGaN/GaN多重量子井戸の気相拡散に基づく発光波長変調東大院工¹，東大先端研^{2 ○}藤原達記¹，中野義昭²，杉山正和¹
• 8MOVPE法によるSi基板上GaNの結晶成長後半におけるその場観察コバレントマテリアル技術開発センター ^○小宮山純，大石浩司，江里口健一，吉田　晃，阿部芳久，鈴木俊一，中西秀夫
• 9選択成長により形成されたボイドを利用したGaN膜の反り制御三重大工 ^○大内澄人，三宅秀人，平松和政
• 10r面サファイア上a面GaNの反り異方性三重大工¹，京工繊大^{2 ○}馬　ベイ¹，張　紀才¹，三宅秀人¹，平松和政¹，播磨　弘²
• 11サファイア基板上GaNナノワイヤのMOCVD選択成長東大生研¹，東大ナノ量子機構^{2 ○}Kihyun Choi¹，有田宗貴²，荒川泰彦^1,2
• 126H-SiC基板上へのGaNナノワイヤのMOCVD選択成長東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}有田宗貴¹，ギヒョン チェ²，荒川泰彦^1,2
•  昼食　12:15〜13:15

15p-C - 1〜21

• 1炭素取り込みを考慮したGaN-MOVPE結晶成長シミュレーション東京理科大 ^○中村健一，平子　晃，大川和宏
• 2炭素添加高抵抗化SiドープGaNエピ結晶の熱的安定性新日本無線 ^○深井雅之，柿澤秀介，伏見　浩
• 3FME成長SiドープBN薄膜の伝導度評価NTT物性基礎研 ^○小林康之，赤坂哲也
• 4加工Si基板上(1-101)GaNの不純物取り込み名大院工¹，赤崎記念研究センター^{2 ○}山下康平，本田善央，山口雅史，天野　浩
• 5MOVPE法を用いた高MgドープによるGaN極性反転構造の作製静大院工¹，静大工²，物質・材料研究機構³，浜松ホトニクス^{4 ○}舘　　毅¹，野木　努¹，中野貴之²，角谷正友³，二橋得秋⁴，萩野　實⁴，福家俊郎²
• 6MOVPEにおけるGaNスパイラルおよび核成長速度の基板温度依存性評価日本電信電話 ^○赤坂哲也，小林康之，嘉数　誠
•  休憩　14:45〜15:00
• 7触媒援用MOVPE法によるGaNの低温成長福井大院工 ^○笹本紘平，堀田　徹，田中幹康，杉田憲一，橋本明弘，山本あき勇
• 8Taマスクを用いたMOCVD再成長GaNの表面モフォロジー改善徳島大院ATS¹，徳島大院STS^{2 ○}原　航平¹，直井美貴^1,2，酒井士郎^1,2
• 9Naフラックス法により作製した非極性面LPE-GaN基板上へのMOVPE法によるGaNの初期成長名城大・理工¹，名大・工・ARC²，阪大・工^{3 ○}磯部康裕¹，飯田大輔¹，榊原辰幸¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇¹，天野　浩²，今出　完³，北岡康夫³，森　勇介³
• 10窒化処理を用いたサファイア加工基板上の非極性GaN の成長山口大院理工 ^○大下弘康，阿部結樹，岡田成仁，只友一行
• 11サファイア基板の浅いエッチングによるGaNの選択成長トクヤマ¹，山口大院理工^{2 ○}古家大士^1,2，岡田成仁²，只友一行²
• 12InAlN/GaNへテロ構造のショットキーリーク特性のMOVPE成長条件の影響NTT PH研 ^○廣木正伸，前田就彦
• 13MOVPE法による中間組成域InAlN/InGaNヘテロ構造の作製福井大工 ^○田中幹康，笹本紘平，杉田憲一，橋本明弘，山本あき勇
•  休憩　16:45〜17:00
• 14MOCVD法により作製したAlInNエピタキシャル膜の評価(2)名工大工 ^○市川淳規，酒井佑輔，陳　志涛，藤田和久，江川孝志
• 15Al_xGa_1-xN膜組成とバンドギャップ変化の分光評価京工繊大¹，和大²，三重大^{3 ○}木村篤人¹，金　廷坤¹，亀井靖人¹，蓮池紀幸¹，木曽田賢治²，播磨　弘¹，島原佑樹³，三宅秀人³，平松和政³
• 16ダイヤモンド（111）基板上のAlGaN/GaN ヘテロ接合構造の成長NTT物性基礎研 ^○平間一行，谷保芳孝，嘉数　誠
• 17電子線励起による深紫外光源用Si-doped AlGaNの作製三重大工¹，浜松ホトニクス^{2 ○}島原佑樹¹，三宅秀人¹，平松和政¹，福世文嗣²，岡田知幸²，高岡秀嗣²，吉田治正²
• 18二段階成長によるm面AlN/GaNの表面モフォロジーおよび構造特性東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}楊　学林¹，有田宗貴¹，荒川泰彦^1,2
• 19AlN/GaN短周期超格子の深紫外域での量子閉じ込め効果ＮＴＴ物性研 ^○谷保芳孝，嘉数　誠
• 20極性混在AlNバッファ層のアニール処理による新しい核形成法立命館大R-GIRO ^○黒内正仁，武内道一，黄　恩淑，青柳克信
• 21エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価三重大¹，京工繊大^{2 ○}楊　士波¹，宮川鈴衣奈¹，張　紀才¹，三宅秀人¹，平松和政¹，播磨　弘²

16a-B - 1〜13


• 1AlN/GaN多層膜反射鏡上InGaN/GaN MQWナノコラム共振器構造の制御上智大理工¹，上智ナノテク²，CREST JST^{3 ○}荒木隆一¹，岸野克巳^1,2,3，石沢峻介^1,2,3，小川高史¹，菊池昭彦^1,2,3
• 2Si基板上(1-101)InGaN/GaN MQWストライプレーザー構造の光学特性名大院工 ^○村瀬　輔，谷川智之，本田善央，山口雅史，天野　浩
• 3AlN p-n接合発光ダイオードからのB/Cエキシトン発光ＮＴＴ物性研 ^○谷保芳孝，嘉数　誠
• 4紫外発光素子用透明電極の検討名城大・理工¹，名大院・工・ARC^{2 ○（M1）}竹原孝祐¹，竹田健一郎¹，永田賢吾¹，櫻井　悠¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇¹，天野　浩¹
• 5電子線励起法による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光京大院工¹，ウシオ電機^{2 ○}大音隆男¹，Ryan Banal¹，片岡　研²，船戸　充¹，川上養一¹
• 6Ni/Al高反射ｐ型電極を用いたAlGaN深紫外LEDの高効率化理研¹，埼玉大²，JST-CREST^{3 ○}秋葉雅弘^1,2,3，平山秀樹^1,3，塚田悠介^1,2,3，前田哲利^1,3，鎌田憲彦^2,3
•  休憩　10:30〜10:45
• 7多重量子障壁（MQB）を用いた高出力AlGaN系深紫外LED理研¹，埼玉大²，JST-CREST^{3 ○（M2）}塚田悠介^1,2,3，平山秀樹^1,3，秋葉雅弘^1,2,3，前田哲利^1,3，鎌田憲彦^2,3
• 8Si基板上280nm帯InAlGaN深紫外LED理研¹，JST-CREST^{2 ○（P）}藤川紗千恵^1,2，平山秀樹^1,2
• 9連続10mW級AlGaN UV LEDチップの開発創光科学¹，名城大理工²，名大^{3 ○}深堀真也¹，シリル ペルノ¹，金　明姫¹，藤田武彦¹，稲津哲彦¹，長澤陽祐¹，平野　光¹，一本松正道¹，岩谷素顕²，上山　智²，赤崎　勇²，天野　浩³
• 10「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  GaInNモード同期レーザによる高ピークパワーピコ秒パルス光源の開発ソニー先端マテ研¹，東北大未来研^{2 ○}大木智之¹，幸田倫太郎^1,2，宮嶋孝夫^1,2，渡邊秀輝¹，倉本　大^1,2，池田昌夫^1,2，横山弘之²
• 11100WピークパワーGaInNピコ秒パルス光源の開発とナノ加工応用東北大未来研¹，ソニー先端マテ研^{2 ○}幸田倫太郎^1,2，大木智之²，宮嶋孝夫^1,2，渡邊秀輝²，倉本　大^1,2，池田昌夫^1,2，横山弘之¹
• 12405nm帯ピコ秒光パルスの高時間分解能測定東北大未来研¹，ソニー先端マテ研^{2 ○}河野俊介¹，大木智之²，幸田倫太郎^1,2，渡邊秀輝²，宮嶋孝夫^1,2，倉本　大^1,2，池田昌夫^1,2，横山弘之¹
• 13ELO AlGaN下地層上に作製した紫外レーザダイオードの特性評価名城大理工¹，名大院工・ARC²，浜松ホトニクス^{3 ○}竹田健一郎¹，永田賢吾¹，竹原孝祐¹，青島宏樹¹，伊藤　駿¹，押村吉徳¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，天野　浩¹，赤崎　勇¹，吉田治正³，桑原正和³，山下陽滋³，菅　博文³

16a-C - 1〜13


• 1ScAl合金スパッタリングターゲットを用いたScAlN薄膜の作製産総研¹，デンソー^{2 ○}秋山守人¹，田原竜夫¹，西久保桂子¹，勅使河原明彦²，加納一彦²
• 2放射光光電子分光による極性面・無極性面GaN/ZnOヘテロ界面の解析東大 ^○劉　江偉，小林　篤，豊田智史，菊池　亮，太田実雄，藤岡　洋，組頭広志，尾嶋正治
• 3希薄磁性半導体GaGdNおよびGaGdN/AlGaNヘテロ構造の電気特性と磁気特性評価阪大産業 安部大治郎，東晃太朗，満野陽介，小森祥央，周　逸凱，江村修一，長谷川繁彦，^○朝日　一
• 4反応性スパッタ法で作製されたAlN膜の結晶品質に及ぼす窒素流量比および基板温度の影響東北大多元研 ^○（M2）熊田智行，大塚　誠，福山博之
• 5第一原理計算によるAlN(0001)表面へのV族原料吸着過程の解析農工大院工 ^○鈴木ひかり，富樫理恵，村上　尚，熊谷義直，纐纈明伯
• 6AlN及びAlN成長用初期基板の格子定数の温度依存性測定東京農工大院工¹，トクヤマ²，ブルカー・エイエックスエス^{3 ○}酒井美希¹，永島　徹²，田島純平¹，富樫理恵¹，村上　尚¹，森岡　仁³，山内　剣³，斎藤啓介³，熊谷義直¹，高田和哉²，纐纈明伯¹
•  休憩　10:30〜10:45
• 7レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN層の形成弘前大理工 ^○（M1）鈴木大樹，中澤日出樹
• 8Rh(111)基板上への窒化物成長初期過程の解析東大生研¹，東大院工²，JST-CREST^{3 ○}岡野雄幸¹，井上　茂¹，上野耕平¹，小林　篤²，太田実雄¹，尾嶋正治^2,3，藤岡　洋^1,3
• 9(√3ｘ√3 R30°)SiON/6H-SiCナノ表面上のAlN成長モード九大院工 ^○石山裕策，梶原隆司，田中　悟
• 106H-SiC/AlNヘテロエピタキシャル構造の熱アニール効果東海大工 ^○大根田満，犬島　喬
• 11SiC表面状態に着目した6H-SiC (0001)基板上2H-AlN成長層のさらなる貫通転位低減京大院工¹，京大　光電子理工セ^{2 ○（DC）}奥村宏典¹，木本恒暢^1,2，須田　淳¹
• 126H-SiC(0001)基板上MBE成長高品質AlNテンプレート上に成長したGaN層の結晶性評価京大院工¹，京大光電子理工セ^{2 ○}菊地諒介¹，奥村宏典¹，木本恒暢^1,2，須田　淳¹
• 13サファイア上へのAlN成長における界面層の評価三重大 ^○宮川鈴衣奈，三宅秀人，平松和政