15. 結晶工学

14a-ZV - 1〜11


• 1InGaAs/InAlAsP MQW層の光学的評価先端研¹，大阪府大工^{2 ○}山本隆子^1,2，河村裕一^1,2
• 2InGaAsP/InAlAs/InP非対称量子井戸構造の電界効果大阪府大工¹，先端研^{2 ○}正野琢也^1,2，河村裕一^1,2
• 3（In）GaAs量子細線面発光レーザ用の正弦関数型DBRミラーの表面側最終層の膜厚調整による反射率波長依存性最適化愛媛大院理工 下村　哲，^○尾坂浩太
• 4InGaAs量子細線面発光レーザーにおける活性層の作製愛媛大院 ^○梶谷昌司，尾坂浩太，下村　哲
• 5(775)InP基板上にMBE成長した量子細線のステップの挙動愛媛大院理工 ^○光成佳篤，毛利如良，松木豊和，下村　哲
• 6(775)B InP基板上のInGaAs層表面のIn組成依存性愛媛大院理工 ^○宮田哲弥，光成佳篤，下村　哲
•  休憩　11:00〜11:15
• 7Effect of growth temperature on surface morphology of the homoepitaxial growth of GaAs on (631)A substrates愛媛大・院理工¹，IICO、SLP Univ.²，CINVESTAV-IPN³ David Vazquez-Cortes¹，Esteban Cruz-Hernandez²，Victor-Hugo Mendez-Garcia²，Maximo Lopez-Lopez³，^○下村　哲¹
• 8その場X線逆格子マッピングによる傾斜組成InxGa1-xAs/GaAs(001)バッファ層の構造解析豊田工大¹，宮崎大²，原子力機構^{3 ○}佐々木拓生¹，鈴木秀俊²，高橋正光³，藤川誠司³，大下祥雄¹，山口真史¹
• 9低温AlGaAsキャップGaAs量子井戸の熱処理による発光特性変化物材機構 ^○（PC）定　昌史，間野高明，迫田和彰
• 10C₆₀ doped GaAs, AlGaAsのトラップ準位早大高等研¹，JST さきがけ²，早大理工^{3 ○}西永慈郎^1,2，堀越佳治³
• 11GaP/Siヘテロ界面から発生する欠陥の熱的挙動豊橋技科大工¹，ISSRC^{2 ○}山根啓輔¹，岡田　浩^2,1，若原昭浩^1,2
•  昼食　12:30〜13:30

14p-ZV - 1〜17

• 1極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル埼玉大院理工¹，東北大金研²，東大新領域^{3 ○}大久保航¹，石川　輝¹，八木修平¹，土方泰斗¹，吉田貞史¹，片山竜二²，尾鍋研太郎³，矢口裕之¹
• 2極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響埼玉大院理工¹，東京新領域²，東北大金研^{3 ○}新井佑也¹，遠藤雄太¹，八木修平¹，土方泰斗¹，窪谷茂幸²，尾鍋研太郎²，片山竜二³，矢口裕之¹
• 3極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性埼玉大院理工¹，東大物性研²，東大新領域³，東北大金研^{4 ○}石川　輝¹，八木修平¹，土方泰斗¹，吉田貞史¹，岡野真人²，望月敏光²，吉田正裕²，秋山英文²，窪谷茂幸³，尾鍋研太郎³，片山竜二⁴，矢口裕之¹
• 4GaAs中の窒素等電子発光中心からの単一光子発生筑波大物理¹，JSTさきがけ²，物材機構^{3 ○}池沢道男^1,2，佐久間芳樹³，曽根良則¹，張　　遼¹，濱野毅信¹，舘林　潤³，舛本泰章¹
• 5窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究埼玉大院理工¹，東大物性研²，東大新領域³，東北大金研^{4 ○}星野真也¹，遠藤雄太¹，福島俊之¹，高宮健吾¹，八木修平¹，土方泰斗¹，望月敏光²，吉田正裕²，秋山英文²，窪谷茂幸³，尾鍋研太郎³，片山竜二⁴，矢口裕之¹
• 6窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価埼玉大院理工¹，東大物性研²，東大新領域³，東北大金研⁴，チュラロンコン大^{5 ○}高宮健吾¹，遠藤雄太¹，福島俊之¹，星野真也¹，八木修平¹，土方泰斗¹，望月敏光²，吉田正裕²，秋山英文²，窪谷茂幸³，尾鍋研太郎³，片山竜二⁴，サノーピン サクンタム⁵，矢口裕之¹
• 7窒素原子層を用いたIII-V 族半導体量子構造のバンドエンジニアリング阪大院工 ^○石川史太郎，森藤正人，長原健一，近藤正彦
• 8AlGaAs/GaAs量子井戸への窒素単原子層導入がバンド構造に与える影響阪大院工 ^○古瀬慎一朗，中本弘毅，石川史太郎，近藤正彦
•  休憩　15:30〜15:45
• 9Ga(In)NAs系における発光ピークの温度変化の起源阪大産研¹，阪大工^{2 ○}江村修一¹，中本弘毅²，石川史太郎²，近藤正彦²，朝日　一¹
• 10GaInNAs 量子井戸における微細加工発光デバイス応用有効性の検討阪大院工 後藤洋昭，中本弘毅，^○石川史太郎，近藤正彦
• 11SiドープGaInNAs(Sb)薄膜におけるN-Si結合の影響東大先端研¹，ローレンスバークレー国立研^{2 ○}宮下直也¹，ナズムル アーサン¹，Kin M. Yu²，Wladek Walukiewicz²，岡田至崇¹
• 12Photo-modulated reflectance analysis of atomic hydrogen-assisted MBE grown GaNAs alloys東大先端研¹，ローレンスバークレー国立研²，佐賀大^{3 ○}Nazmul Ahsan¹，宮下直也¹，田中　徹^2,3，Kin Man Yu²，Wladek Walukiewicz²，岡田至崇¹
• 13Ge (001)基板上へのInGaAsN薄膜のMOVPE成長（2）東大新領域¹，チュラロンコン大^{2 ○}菊地健彦¹，クァントゥ ティユ¹，加藤宏盟¹，窪谷茂幸¹，サクンタム サノーピン²，尾鍋研太郎¹
• 14熱力学解析によるGaAsN成長における基盤拘束の寄与の検討九大応力研¹，豊田工大工²，農工大工^{3 ○（PC）}川野　潤¹，池田和磨^1,2，寒川義裕¹，柿本浩一¹，纐纈明伯³
• 15GaAsN 結晶中における N の安定位置の基板拘束による影響豊田工大¹，九大応力研^{2 ○}池田和磨¹，小島信晃¹，寒川義裕²，柿本浩一²，大下祥雄¹，山口真史¹
• 16基板傾斜角がCBE成長GaAsNの正孔移動度へ与える影響豊田工大¹，宮崎大IR推進機構^{2 ○（D）}稲垣　充¹，鈴木秀俊²，本多貴彦¹，田中友博¹，池田和磨¹，和田　卓¹，小島信晃¹，大下祥雄¹，山口真史¹
• 17容量-電圧法によるGaPN評価産総研 ^○坂田　功，劉　正新，川浪仁志

15a-ZV - 1〜11


• 1GaAs上InAs積層量子ドットの発光のスペーサー層厚さ制御による広帯域化名大院工 ^○谷　和馬，渕　真悟，宇治原徹，竹田美和
• 2InAs量子ドットからのPL発光スペクトルの広域分散化東大ナノ量子機構¹，ＮＥＣグリーン研²，東大生研^{3 ○}大河内俊介¹，熊谷直人¹，白根昌之^1,2，五十嵐悠一^1,2，野村政宏¹，太田泰友^1,3，萬　伸一^1,2，岩本　敏^1,3，荒川泰彦^1,3
• 3スペクトル形状制御可能な広帯域光源を目指した多色量子ドット成長和歌山大シス工¹，NEC²，物材機構³，シェフィールド大^{4 ○}尾崎信彦¹，竹内晃一¹，大河内俊介²，池田直樹³，杉本喜正³，浅川　潔³，Richard Hogg⁴
• 4歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットの電気特性徳島大 ^○上山日向，高橋朋也，森田　健，北田貴宏，井須俊郎
• 5ウェハ上の傾斜密度分布を利用した様々な荷電状態を持つInAs量子ドットの形成東大ナノ量子機構¹，NECグリーン研²，東大生研^{3 ○}熊谷直人¹，大河内俊介¹，白根昌之^1,2，五十嵐悠一^1,2，野村政宏¹，太田泰友^1,3，萬　伸一^1,2，岩本　敏^1,3，荒川泰彦^1,3
•  休憩　10:45〜11:00
• 6MBEで作製したGaAs(001)面上低密度InAs量子ドットの室温PL特性(5)パイオニア¹，情報通信研究機構²，東大工^{3 ○}沢渡義規¹，吉沢勝美¹，赤羽浩一²，山本直克²，川添　忠³，大津元一³
• 7メサ構造内のInAs 量子ドットの室温における発光観測２パイオニア¹，情報通信研究機構²，東大工^{3 ○}吉沢勝美¹，沢渡義規¹，麻生三郎¹，細田康雄¹，赤羽浩一²，山本直克²，川添　忠³，大津元一³
• 8Siを直接ドープしたInAs量子ドットにおける発光増強機構神戸大院工 ^○（P）井上知也，笹山憲吾，喜多　隆
• 9歪み補償多重積層InAs量子ドットの光学利得評価東大院工¹，東大先端研²，情通機構^{3 ○}高田彩未^1,2,3，赤羽浩一^2,3，山本直克³，岡田至崇^1,2
• 10高速成長InGaAs量子ドットの発光特性と積層数依存性首都大学東京¹，情報通信研究機構^{2 ○}田之上文彦¹，菅原宏治¹，赤羽浩一²，山本直克²
• 11MBE法による1.06μm帯InGaAs/GaAs高密度量子ドットレーザの作製東大ナノ量子機構¹，東大生研²，QDレーザ³，富士通研究所^{4 ○}渡邉克之¹，秋山知之^1,4，横山吉隆³，武政敬三³，西　研一^1,3，田中　有^1,3,4，菅原　充^1,3，荒川泰彦^1,2
•  昼食　12:30〜13:30

15p-ZV - 1〜17

• 1面内超高密度InAs量子ドットの自己形成とそのキャリア寿命測定電通大 ^○太田　潤，山口浩一
• 2自己形成InAs量子ドットの高密度・高均一化電気通信大 ^○金丸　豊，角田直輝，山口浩一
• 3断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御(5)電通大 ^○小川善秀，柳澤拓弥，山口浩一
• 4CBrCl₃その場エッチングがInAsドットの サイズと密度に及ぼす影響電通大 ^○今西　弘，小泉　淳，内田和男，野崎眞次
• 5GaAs (001)上InAs量子ドットの核生成に対するMBE成長時のAs₄流量の影響豊田工大 ^○白坂健生，下村憲一，神谷　格
• 6Biｻｰﾌｧｸﾀﾝﾄを用いたIn(Ga)As量子ﾄﾞｯﾄのMOVPE成長と評価IV弘前大院理工¹，NTT物性基礎研^{2 ○}岡本　浩¹，俵　毅彦²，舘野功太²，後藤秀樹²，鎌田英彦²，寒川哲臣²
• 7MOCVD成長GaInNAsバッファ上InAs/GaAs量子ドットの水素パッシベート効果東工大 ^○根本幸祐，鈴木亮一郎，仙石知行，田辺　悟，西尾　礼，小山二三夫，宮本智之
• 8サイドバリア層歪変調によるコラムナ量子ドットの多段積層化検討技術組合¹，富士通²，富士通研究所^{3 ○}奥村滋一^1,2，安岡奈美^1,2，河口研一³，田中　有^1,2，江川　満³
• 9GaSb/GaAsタイプII量子ドットにおけるSb/As相互拡散の効果物材機構¹，豊田工大^{2 ○}川津琢也¹，榊　裕之^1,2
•  休憩　15:45〜16:00
• 10ナノドット選択形成のMBE成長その場STM観察阿南高専 ^○東條孝志，塚本史郎
• 11MOCVD成長法に因るサーマルエッチングを用いた位置制御量子ドットの作製東大ナノ量子機構¹，東大生研²，東大先端研^{3 ○}Stephane Faure¹，ドゥニ ギマール^1,2，西岡政雄²，石田悟己³，荒川泰彦^1,2
• 12MBE法選択成長によるInAs/GaAs SKドットのサイズ制御の検討早大理工学術院 ^○渡邉直之，若林優樹，芹澤洋明，宇高勝之
• 13AlGaAs薄膜キャップを用いたGaAs量子ドットの形状制御物材機構 ^○（PC）定　昌史，間野高明，迫田和彰
• 14液滴エピタキシーによるInGaAs/InP上InAsリング構造の作製物材機構¹，豊田工大^{2 ○}野田武司¹，間野高明¹，迫田和彰¹，榊　裕之^1,2
• 15無触媒MBE-VLS法によるSi基板上InAsナノワイヤの成長名大院工¹，愛工大^{2 ○}山口雅史¹，堀内　功¹，白　知鉉¹，澤木宣彦²
• 16Ga液滴を用いた自己触媒化法によるSi基板上GaInP/GaPコア・シェル型ダブルヘテロ構造ナノワイヤの結晶成長及び光学・構造評価物材機構¹，UCLA^{2 ○（P）}舘林　潤¹，佐久間芳樹¹，迫田和彰¹，Lin Andrew²，Hicks Robert²，Huffaker Diana²
• 17MOVPE選択成長法によるシリコン基板上のInGaAsナノワイヤ成長北大院情報科学および量子集積センター¹，JSTさきがけ^{2 ○}冨岡克広^1,2，吉村正利¹，本久順一¹，原真二郎¹，比留間健之¹，福井孝志¹

16a-ZV - 1〜10


• 1GaAs(311)B基板上への高密度量子ドット太陽電池の作製と評価筑波大院　数理物質¹，東大先端研²，東大院工^{3 ○}庄司　靖^1,2，大島隆治^2,3，高田彩未^2,3，森岡孝之^2,3，岡田至崇^2,3
• 2Siダイレクトドーピングをした積層量子ドットの中間バンド型太陽電池への応用東大院工¹，東大先端研²，筑波大院　数理物質³，神戸大院工^{4 ○}森岡孝之^1,2，大島隆治^1,2，高田彩未^1,2，庄司　靖^2,3，井上知也⁴，喜多　隆⁴，岡田至崇^1,2
• 3高密度InAs/GaNAs量子ドット太陽電池構造の光学特性評価東大先端研¹，東大院工²，埼玉大³，情通機構^{4 ○}大島隆治^1,2，高田彩未^1,2，八木修平³，赤羽浩一⁴，玉置　亮²，宮野健次郎¹，岡田至崇^1,2
• 4高原料効率MOVPEにより作製したGaAs太陽電池における不純物の影響東大院工¹，東大先端研^{2 ○}鬼塚隆祐¹，杉山正和¹，中野義昭²
• 5MOVPEを用いた歪み補償超格子太陽電池におけるヘテロ界面処理東大先端研¹，東大工² 王　云鵬¹，^○杉山正和²，中野義昭¹
• 6MOVPEで作製したInGaAs/GaAsP歪み補償超格子におけるヘテロ界面急峻化の検証東大工¹，東大先端研^{2 ○}杉山正和¹，王　云鵬，中野義昭
• 7微小領域選択MOVPEにおけるSi(111)選択成長領域のInAsによる完全被覆とInGaAs横方向成長への影響東大院工¹，東大先端研^{2 ○}近藤佳幸¹，出浦桃子¹，竹中　充¹，高木信一¹，中野義昭^1,2，杉山正和¹
• 8微小領域選択MOVPEを用いたSi上InAs成長の基板表面処理条件依存性東大¹，東大先端研^{2 ○（DC）}出浦桃子¹，近藤佳幸¹，竹中　充¹，高木信一¹，中野義昭^1,2，杉山正和¹
• 9MOVPE選択成長によるGa_0.5In_0.5P微細リッジ構造の作製産総研 徐　鍾旭，^○王　学論
• 10Sbサーファクタントを用いてMOVPE成長した高濃度ZnドープInGaAsによるコンタクト抵抗の低減NTTフォトニクス研 ^○佐藤具就，満原　学，伊賀龍三，金澤　慈，井上靖之
•  昼食　12:30〜13:30

16p-ZV - 1〜14

• 1超高速光スイッチ用AlAsSb/InGaAs量子井戸界面のX線CTR散乱測定法による解析名大院工¹，名大VBL²，産総研^{3 ○（M1）}益田征典¹，田渕雅夫²，牛頭信一郎³，竹田美和¹
• 2In_0.64Ga_0.46As/Al_xGa_1-xAs x≦0.2/AlAsSb結合量子井戸の光吸収特性産総研 ^○牛頭信一郎，物集照夫，石川　浩
• 3GaAs基板上に光検出素子用に成長したInAsSb結晶浜松ホトニクス ^○田中章雅，三宅崇之，須村大介
• 4電流制御型LPEを用いたGaSb (001)の成長 −電流値依存性−名城大理工 ^○佐藤秀治郎，小島春輝，成塚重弥，丸山隆浩
• 5熱処理によるTlInGaAsNの構造変化阪大産業科学研究所 ^○金江ミン，長谷川繁彦，朝日　一
• 6TEMによるMBE成長GaAs_1-xBi_x混晶の構造評価金沢工大¹，京都工繊大^{2 ○}上田　修¹，富永依里子²，池永訓昭¹，吉本昌広²，尾江邦重²
• 7(100)および(411)AのGaAs基板上でのGaAsBi/GaAs超格子のMBE成長と基板温度依存愛媛大院理工 下村　哲，^○田中佐武郎
•  休憩　15:15〜15:30
• 8GaAs(111)A基板上InAs薄膜成長のヒロック形成抑制早大理工¹，JST さきがけ^{2 ○}伊賀一貴¹，西永慈郎^1,2，マレーネ ツァンダー¹，堀越佳治¹
• 9Migration-enhanced epitaxyによるGaAs(001)上のInAs選択成長早大理工¹，早大材研^{2 ○}マレーネ ツァンダー^1,2，西永慈郎^1,2，堀越佳治^1,2
• 10MBE法によるSiO₂/Siパターン基板上InSbの結晶性評価I東理大院基礎工 ^○西野祐一，飯田智顕，原　紳介，藤代博記
• 11MBE法によるSiO₂/Siパターン基板上InSbの結晶性評価II東理大院基礎工 ^○飯田智顕，西野祐一，原　紳介，藤代博記
• 12超高真空昇華エッチングを用いた微小GaAsファセット配列の自己安定化機能制御関西学院大理工 ^○（M2）廣川優樹，後藤大輝，石渡明日香，牛尾昌史，松田一宏，金子忠昭
• 13MBE-GaAs選択成長機構における酸化膜マスク界面エネルギー依存性関西学院大 ^○（M1C）林　将大，廣川優樹，後藤大輝，牛尾昌史，松田一宏，金子忠昭
• 14電子線照射により改質されたGaAs酸化膜マスクの熱的安定性の検証　MBE成長法を用いたSi基板上AlAs選択成長関西学院大院 ^○（M2）後藤大輝，山本悠馬，廣川優樹，牛尾昌史，松田一宏，金子忠昭