15. 結晶工学

15.2 II-VI族結晶

9月14日 13:45〜17:30  会場:工学1-ZT

14p-ZT - 1〜14

  • 1分子線交互供給によるCdSe量子ドット多層構造の発光(II)岡山理科大 晩田雄斗,大石正和,斉藤 博,米田 稔
  • 2InP基板上BeZnSeTe II-VI族半導体混晶の発光特性評価上智大 村石一生,野村一郎,ラメッシュ バディヴェル,澤藤 豊,岸野克巳
  • 3BeZnCdSe量子井戸を用いた緑色半導体レーザーの室温連続発振産総研1,日立2,ソニー3 葛西淳一1,秋本良一1,鍬塚治彦1,挾間壽文1,石川 浩1,藤崎寿美子2,紀川 健2,田中滋久2,辻 伸二2,中島 博3,田才邦彦3,滝口由朗3,朝妻庸紀3,玉村好司3
  • 4ZnTe/ZnMgTe量子井戸構造のMBE成長と評価佐賀大 大下裕史,田中 徹,斉藤勝彦,郭 其新,西尾光弘
  • 5ZnSe-ZnTe DSB構造混晶の光による光スイッチングについて道工大 高橋和也,山本泰輔,阿部 誠,木村尚仁,木村信行,澤田孝幸,鈴木和彦,今井和明
  • 6Zn-Cd-Mn-Se系DQWの光学的特性と構造評価山梨大医学工学総合研究部 岩崎文昭,菱川正夫,深澤左興,村中 司,鍋谷暢一,松本 俊
  • 7ZnTe基板上へのZnTeナノワイヤのMBE-VLS成長佐賀大院工 持永智洋,大下裕史,田中 徹,斉藤勝彦,郭 其新,西尾光弘
  • 8PbSnTe ナノドットの自己組織化と中赤外線発光大阪工大ナノ材研センター ○(M1)中田裕紀,小池一歩,矢野満明
  •  休憩 15:45〜16:00
  • 9低温成長GaドープZnO薄膜 (1) −電気的特性−山梨大医学工学総合研究部1,中家製作所2,山梨県工業技術センター3 堀井貴大1,佐野志保1,村中 司1,鍋谷暢一1,松本 俊1,平木 哲2,古川英明2,深沢明広2,阪本慎吾2,萩原 茂3,河野 裕3,木島一広3,阿部 治3,八代浩二3
  • 10低温成長GaドープZnO薄膜 (2) -X線回折特性-山梨大院医学工学総合研究部1,中家製作所2,山梨県工業技術センター3 佐野志保1,堀井貴大1,村中 司1,鍋谷暢一1,松本 俊1,平木 哲2,古川英明2,深沢明広2,坂本慎吾2,萩原 茂3,河野 裕3,木島一広3,安部 治3,八代浩二3
  • 11電子線照射ZnOバルク単結晶の永続光伝導: 二段階光照射効果法大工1,大阪教育大2,京大原子炉3 尾賀孝宏1,井澤祐介1,栗山一男1,串田一雅2,Xu Q.3
  • 12ZnOの面極性と光電流の過渡応答.4秋田県大 石塚庸介,山口博之,小宮山崇夫,長南安紀,青山 隆
  • 13PLD法によりp-GaN上に形成したZnO薄膜の研究パナソニック先端研 伊藤彰宏,田中浩之,長尾宣明
  • 14固体原料CVD法による酸化亜鉛ナノロッドと金ナノ粒子触媒効果東大院理1,北大院工2 宮本佐和子1,長谷川哲也1,酒井利基2,清野 肇2,高橋博之2,米澤 徹2,島田敏宏2