14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

14a-ZM - 1〜11


• 1錯体重合硫化法による高濃度Eu添加チオガレート蛍光体の作製長岡技科大工 ^○本多辰也，大野桂慶，加藤有行
• 2化合物原料を用いたMBE法によるGaN薄膜の作製と希土類添加の検討愛媛大工 ^○弓達新治，木村優介，宮田　晃，白方　祥
• 3ソルボサーマル法を利用したガラス封止Eu錯体におけるジクロロメタンの影響埼玉大院¹，三菱化学科技セ^{2 ○}加藤さやか¹，秋山真之介¹，福田武司¹，本多善太郎¹，鎌田憲彦¹，木島直人²
• 4疎水性量子ドットを分散した高輝度蛍光を示す微小ガラスカプセルの作製と応用産総研¹，JST-CREST^{2 ○}村瀬至生^1,2，楊　　萍^1,2，安藤昌儀^1,2，鈴木真理子¹，細川千絵^1,2，川崎一則^1,2，加藤智樹¹，上垣浩一¹，田口隆久^1,2
• 5錯体重合法によるEu添加LiY(WO₄)₂蛍光体の作製及びその評価長岡技科大工 ^○大野桂慶，本多辰也，加藤有行
• 6グリコサーマル法により合成したSc³⁺ドープYAG:Ce³⁺ナノ蛍光体の光学特性慶大理工 ^○勝呂友裕，磯部徹彦
• 7固気相法によるケイ酸塩蛍光体の合成新潟大 ^○戸田健司，坂本達矢，石垣　雅，上松和義，佐藤峰夫
• 8ブリッジマン法によるマイクロ波合成AgGaSe₂の単結晶化　(V)大阪府立高専 ^○須崎昌己
• 9Tb-Sc₂O₃,Tb-Y₂O₃の光学特性千歳科学技術大 ^○高橋拓也，成瀬寛峰，山中明生
• 10BiドープSiO_x薄膜の広帯域近赤外発光神戸大院¹，物質･材料研究機構²，浙江大^{3 ○}三輪祐司¹，Hong-Tao Sun²，藤井　稔¹，Jianrong Qiu³，林　真至¹
• 11Yb/Bi 同時ドープゼオライトの近赤外発光神戸大電気電子工学専攻¹，国立材料研究所²，神戸大応用化学専攻^{3 ○}白　振華¹，孫　洪濤²，藤井　稔¹，三輪祐司¹，長谷川敬士³，水畑　穣³，林　真至¹
•  昼食　12:45〜13:45

14p-ZM - 1〜17

• 1CuLa_1−xEu_xO₂薄膜の作製と発光特性日大文理 ^○藤代　史，関本亮平，村上真崇，橋本拓也
• 2Eu添加ZnO薄膜におけるEu³⁺発光と抵抗率の相関阪大院工 ^○辻　尭宏，ビン　カマルディン ムハマド　ハキム，吉田一樹，寺井慶和，藤原康文
• 3強励起されたEr,O共添加GaAsにおけるEr発光特性阪大院工 ^○若松龍太，西川　敦，野口恒太，辻　尭宏，高岸将之，寺井慶和，藤原康文
• 4Sm添加TiO₂薄膜の発光特性と局所構造東理大理¹，東洋大工(先端光応用計測研究センター)²，日本原子力研究開発機構^{3 ○}櫻井淳平¹，原子　進¹，小室修二²，平尾法恵³，趙　新為¹
• 5光励起誘電緩和法(2)：紫外光を使ったステップ応答特性と電荷移動過程との相関物材機構¹，東理大²，東洋大^{3 ○}石井真史¹，原子　進²，趙　新為²，小室修二³
• 6Sm³⁺添加Sb₂O₃-B₂O₃-Bi₂O₃ガラスとYb³⁺, Nd³⁺共添加Sb₂O₃-B₂O₃-Bi₂O₃ガラスを積層した近赤外広帯域ガラス蛍光体の作製名大院工 ^○渕　真悟，竹田美和
• 7スパッタリング併用MOCVD法によるEu,N共添加ZnOの作製とEu発光特性の評価阪大院工 ^○ビン　カマルディン ムハマド　ハキム，寺井慶和，吉田一樹，辻　尭宏，藤原康文
• 8紫外発光ZnAl₂O₄蛍光体の電子線励起発光特性静岡大電子研¹，山形大^{2 ○}井口　拓¹，小南裕子¹，中西洋一郎¹，原　和彦¹，大西彰正²，北浦　守²
•  休憩　15:45〜16:00
• 9決定木を用いた結晶構造組成によるEu²⁺付活蛍光体の発光波長の分析東北大院工¹，東北大未来セ^{2 ○}吉原大貴¹，大沼宏彰¹，山下　格¹，南雲　亮²，三浦隆治¹，鈴木　愛²，坪井秀行¹，畠山　望¹，遠藤　明¹，高羽洋充¹，久保百司¹，宮本　明^1,2
• 10希土類ホウ酸塩ABO₃:Ce³⁺,Tb³⁺の結晶構造と発光特性サンケン電気 ^○梅津陽介，安部具彦
• 11マンガン(IV)添加アルカリ六フッ化チタン蛍光体群馬大院工学研究科 Yan Kai Xu，古澤伸一，^○安達定雄
• 12単結晶MgO上に合成したSr-Al-O:Eu²⁺系蛍光体の還元焼成時におけるAlの脱離長岡技科大(工)¹，中部キレスト^{2 ○}小松啓志¹，渡辺拓寛¹，中村　淳^1,2，大塩茂夫¹，赤坂大樹¹，齋藤秀俊¹
• 13Mn添加ダブルペロブスカイト型酸化物蛍光体の蛍光特性九工大 ^○島　將隆，日高光一，杉野瑞樹，植田和茂
• 14VUV励起用希土類フリー赤色蛍光体(Ca, Mg)GeO₃:Mn²⁺の発光特性鳥取大院工学研究科¹，鳥取大電子ディスプレイ研究センター²，鳥取大工^{3 ○}宮本快暢^1,2，中村公彦³，大観光徳¹
• 15白色LED用透光性Ce³⁺:GdYAG セラミックス蛍光体材料の作製と光物性の評価京大院人環¹，阪大レーザー研^{2 ○（DC）}西浦聖太郎¹，田部勢津久¹，藤岡加奈²，藤本　靖²
• 16CaTiO₃:Bi蛍光体のフォトルミネッセンス特性群馬大院工 ^○京免　徹，廣住浩気，花屋　実
• 17ペロブスカイト型酸化物CaTiO₃:Biエピタキシャル薄膜の作製と蛍光特性産総研¹，群馬大院工^{2 ○}高島　浩¹，京免　徹²，廣住浩気²，花屋　実²

15a-NB - 1〜11


• 1「優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
  Room-Temperature Red Emission from a p-Type/Europium-Doped/n-Type Gallium Nitride Light-Emitting Diode under Current Injection阪大 西川　敦，川崎隆志，古川直樹，寺井慶和，^○藤原康文
• 2CaGa₂S₄：Eu発光へのHo共添加の影響日大文理 ^○日高千晴，滝沢武男
• 3CaGa₂S₄:Mn²⁺赤色発光の希土類元素添加効果と発光寿命[II]日大¹，東京理科大工^{2 ○}鈴木昭宏¹，生内俊光¹，日高千晴¹，滝沢武男¹，野村重孝²
• 4くし型電極を用いた分散型無機EL素子の評価龍大¹，奈良先端大²，イメージテック^{3 ○}野中俊宏¹，浦岡行治²，田口信義³，山本伸一¹
• 5マイクロ波加熱法による無機EL蛍光体ZnSの作製大阪府立高専¹，奈良先端大²，イメージテック^{3 ○（B）}藤井惇貴¹，堀口昌吾²，須崎昌己¹，田口信義³，浦岡行治²
•  休憩　10:30〜10:45
• 6蛍光体粉末の微粒化によるZnS無機ELの発光特性の改善奈良先端大¹，イメージテック²，CREST^{3 ○}堀口昌吾¹，堀田昌宏¹，田口信義²，浦岡行治^1,3
• 7SrGa₂S₄:Eu微粒子蛍光体を発光層に用いた無機薄膜EL素子鳥取大工¹，鳥大電子ディスプレイ研センター^{2 ○}山下雄大¹，宮本快暢^1,2，大観光徳¹
• 8緑色発光ZnS:TbOF薄膜EL素子のアニール効果愛媛大 ^○永井千尋，上村　明，大西秀臣
• 9希土類共添加((La_0.9Ga_0.1)₂O₃:Bi多元系蛍光体薄膜のPL及びEL特性金沢工大 ^○石野淳一，宮田俊弘，南　内嗣
• 10SrTiO₃: Pr, Al エピタキシャル薄膜 EL 素子の作製明大¹，産総研^{2 ○}富田　翔¹，水島裕輝¹，高島　浩²，三浦　登¹
• 11液相合成ZnOナノ結晶を用いたトップエミッション型EL素子(II)阪大院基礎工 ^○河崎勇人，板谷和樹，外山利彦，岡本博明

16a-NB - 1〜11


• 1CaGa₂S₄中のMn²⁺置換サイトのESR測定[II]日大¹，東京理科大^{2 ○}北嶋一徹¹，生内俊光¹，日高千晴¹，滝沢武男¹，野村重孝²
• 2電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンイオンの局所構造解析山形大理¹，物材機構^{2 ○}北浦　守¹，解　栄軍²，武田隆史²，広崎尚登²，大西彰正²，佐々木実²
• 3固体NMRによる白色LED部材の劣化分析東レリサーチセンター¹，日本電子²，農工大院工^{3 ○}三好理子¹，三輪優子¹，吉川正信¹，樋岡克哉²，朝倉哲郎³
• 4SiO₂/Si基板上に形成したEr-silicateのXAFS解析NTT物性基礎研 ^○尾身博雄
• 5液相合成法により作製したYAG:CeにおけるCeの局所構造解析鳥取大院工学研究科¹，TEDREC²，メルク³，高輝度光科学研究センター^{4 ○}村川琢郎¹，大倉　央^1,3，宮本快暢^1,2，大観光徳^1,2，本間徹生⁴
• 6(Sr,Ba)Si₂O₂N₂:Eu²⁺蛍光体におけるXAFSによる発光中心の価数状態の解析高輝度光科学研究セ¹，徳文大院工²，鳥大院工^{3 ○}本間徹生¹，國本　崇²，小柴貴裕³，山下雄大³，大観光徳³
•  休憩　11:00〜11:15
• 7近紫外励起用赤色蛍光体CuAlS₂:Mn,SiにおけるMnの局所構造(II)鳥取大電子ディスプレイ研究センター¹，鳥取大院工学研究科²，高輝度光科学研究センター^{3 ○}宮本快暢^1,2，大観光徳²，本間徹生³
• 8第一原理計算によるCuAlS₂:Mn蛍光体の電子構造NECライティング¹，鳥取大電子ディスプレイ研究センター²，鳥取大院工学研究科^{3 ○}吉田尚史¹，宮本快暢^2,3，大観光徳³
• 9Ca-Si-O-N:Eu青緑色蛍光体の結晶構造解析と発光特性NECライティング ^○吉田尚史，吉松　良，豊島広朗，沼田真央
• 10量子効率算出シミュレータを用いたEu²⁺付活BaMgAl₁₀O₁₇蛍光体の発光特性に対する構造欠陥の影響の解明東北大院工¹，東北大未来セ^{2 ○}大沼宏彰¹，山下　格¹，南雲　亮¹，三浦隆治¹，鈴木　愛¹，坪井秀行¹，畠山　望¹，遠藤　明¹，高羽洋充¹，久保百司¹，宮本　明^1,2
• 11Ce³⁺/Eu²⁺ 5d準位の決定因子について：共有結合性の概念は有効か？三菱化学科学技術研究センター ^○三上昌義，木島直人
•  昼食　12:30〜13:30

16p-NB - 1〜17

• 1AlNバッファー層導入による深紫外蛍光体AlGdNの発光強度向上神大院工¹，ユメックス²，兵庫工技セ^{3 ○}來山真也¹，吉富大明¹，岩橋進哉¹，中村順也¹，喜多　隆¹，千木慶隆²，西本哲朗²，田中寛之²，小林幹弘²，石原嗣生³，泉　宏和³
• 2深紫外光源用Gd添加AlN薄膜の構造と発光強度の関係ユメックス¹，神戸大院工²，兵庫工技セ^{3 ○}小林幹弘¹，千木慶隆¹，西本哲朗¹，田中寛之¹，喜多　隆²，來山真也²，石原嗣生³，泉　宏和³
• 3白色発光ダイオード(LED)蛍光体用希土類添加AlBNO薄膜の作製阪大院工 ^○升本恵子，仙波彰敏，木村千春，青木秀充
• 4常圧有機金属気相エピタキシャル法により作製されたEu添加GaNにおけるEu発光強度の増大阪大院工 ^○古川直樹，西川　敦，川崎隆志，寺井慶和，藤原康文
• 5RF-MBE法によるEu添加GaN結晶性に及ぼすシャッターシーケンスの影響豊橋技科大院¹，浜松ホトニクス^{2 ○}諏訪尊信¹，朴　志鎬¹，加藤基宏¹，関口寛人¹，岡田　浩¹，若原昭浩¹，高木康文²
• 6(ZnO)1-x(GaN)x:Mn2+粉末の作製と光学的評価明大理工 ^○辛島大亮，小田　敦，勝俣　裕，植草新一郎
• 7近紫外励起によりTb3+発光が得られる酸窒化物蛍光体東芝　研究開発センター ^○平松亮介，石田邦夫，松田直寿，福田由美，三石　巌，布上真也
• 8電子線照射によるInGaN LEDの発光スペクトルの変化熊本高専¹，東京理科大²，中央電子³，宇宙航空研究開発機構^{4 ○}永冨雄太¹，高倉健一郎¹，角田　功¹，米岡将士¹，大山英典¹，杉山　睦²，中島敏之³，緑川正彦⁴，久保山智史⁴
• 9Er,O共添加GaAsにおける光学利得/損失の評価阪大院工¹，阪大CASI-VBL^{2 ○}高岸将之¹，辻　尭宏¹，市田秀樹²，西川　敦¹，寺井慶和¹，兼松泰男²，藤原康文¹
•  休憩　15:45〜16:00
• 10Laサイアロンポリタイポイドの合成とEu賦活蛍光特性名工大¹，物材機構^{2 ○（M2）}堀江龍也¹，広崎尚登^1,2，武田隆史²，福田功一郎¹
• 11各種原料を用いたE u 積層ドープ型A l N 系蛍光体の合成物材機構 ^○武田隆史，広崎尚登，解　栄軍
• 12炭素熱還元窒化法によりY3Si6N11:Ce蛍光体の合成と発光特性物材機構ナノセラ ^○解　栄軍，劉　麗紅，広崎尚登，武田隆史，山本吉信
• 13260-270nm帯InAlGaNのフォトルミネッセンス評価埼玉大¹，理研²，JST CREST^{3 ○}五十嵐航平^1,3，石岡　亮¹，福田武司^1,3，塚田悠介^1,2,3，本多善太郎¹，平山秀樹^2,3，鎌田憲彦^1,3
• 14InP、GaAsにおける2光子吸収係数の偏光状態依存性と非線形感受率テンソルχ⁽³⁾千葉大院・融合 ^○高山裕介，坂東弘之，松末俊夫
• 15量子井戸構造半導体と量子ドット構造半導体の光励起発光スペクトルの温度特性日女大理 ^○江崎美由紀，福田綾子，今井　元
• 16層状TlGaSe₂の誘電率スペクトル大府大院工¹，千葉工大工²，アゼルバイジャン科学アカデミー^{3 ○}伊東良晃¹，沈　用球¹，脇田和樹²，Nazim Mamedov³
• 17鎖状タリウム化合物の光誘起変位測定阪府大院工¹，千葉工大工²，アゼルバイジャン科学アカデミー^{3 ○}朝日隆志¹，沈　用球¹，脇田和樹²，Nazim Mamedov³

17a-NB - 1〜10


• 1LaF₃:Eu³⁺ナノ結晶の合成とEu³⁺発光サイト分析名工大院¹，JFCC^{2 ○}早川知克¹，Xiaoting Zhang¹，野上正行¹，石川由加里^1,2
• 2Zn₂GeO₄ミクロンおよびナノ粒子の光学特性の比較慶大理工¹，シンロイヒ^{2 ○}本多渉司¹，竹下　覚¹，磯部徹彦¹，澤山友博²，新倉誠司²
• 3Mn2+をドープしたCdSナノ粒子における多体キャリア再結合とエネルギー移動過程京大化研¹，奈良先端大物質^{2 ○}田口誠二¹，石墨　淳²，金光義彦¹
• 4ナノクリスタルGe分散溶液の発光特性明大理工¹，台湾国立嘉大理^{2 ○}古森祐樹¹，大内慎也¹，Chia-Ling Lo²，勝俣　裕¹，植草新一郎¹
•  休憩　10:00〜10:15
• 5a-Si:Hナノボール膜からのPL発光特性の製膜時基板位置依存性早大院先進理工 ^○斉藤裕介，長谷川裕也，加藤　勇
• 6ポーラスシリコン層の表面および内部への有機EL膜（PPV）電解堆積農工大工¹，Univ. Aix-Marseille I, II, III - CNRS²，山梨大工^{3 ○}Bernard Gelloz¹，Romain Mentek¹，Thierry Djenizian²，Frederique Dumur²，金　連化³，越田信義¹
• 7熱酸化と遠心分離によるシリコン微結晶のサイズ制御兵庫県立大院理 ^○東　省吾，佐藤井一，八尾浩史，木村啓作
• 8陽極酸化時に超音波印加したnc-Siの形成新日本無線 ^○吉田　孝，伏見　浩
• 9Ge/Si量子ドットの光学特性とアニーリング効果京大化研¹，PRESTO-JST²，東大総合^{3 ○}上田　慧¹，太野垣健^1,2，深津　晋³，金光義彦¹
• 10シリコンカーバイドにおける電子正孔液滴発光ダイナミクス京大化研¹，京大院･工^{2 ○（P）}平野大輔¹，木本恒暢²，金光義彦¹