14. 半導体B(探索的材料・物性・デバイス)

14.4 超高速・機能デバイス

9月14日 13:30〜17:30  会場:教育-NH

14p-NH - 1〜15

  • 1「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)
    縦型InGaAsチャネルMISFETの高電流密度動作
    東工大院理工 齋藤尚史,楠崎智樹,松本 豊,宮本恭幸,古屋一仁
  • 2縦型InGaAs-MISFETの高周波に向けた研究東工大院理工 松本 豊,齋藤尚史,楠崎智樹,平井 準,藤松基彦,宮本恭幸
  • 3InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistorsのゲート‐ソース間電圧による光応答時間の依存性東理大基工材料 是枝勇太,安藤貴寿,遠藤 裕,佐藤宏一,芳澤研哉,田口博久,高梨良文
  • 4InAlAs/InAs/InGaAs-PHEMT の直流及び高周波応答特性東理大基工材料 遠藤 裕,安藤貴寿,是枝勇太,佐藤宏一,芳澤研哉,田口博久,高梨良文
  • 5パラジウム・ゲートInAs素系HEMT電気特性評価北大量集センター 崔 志欣,石倉丈継,松田 喬,陽 完治
  • 6格子整合系歪みInAs HEMTのモンテカルロ解析東理大院基礎工 ○(M1)町田史晴,西野啓之,原 紳介,藤代博記
  • 7InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の影響の解析東理大院基礎工 ○(M1)本間嵩広,渡邉久巨,原 紳介,藤代博記
  • 8モンテカルロ計算によるInP 系HEMT 中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(2)情報通信研究機構1,富士通研2 遠藤 聡1,渡邊一世1,広瀬信光1,三村高志1,2,松井敏明1
  •  休憩 15:30〜15:45
  • 9High-kゲート絶縁膜を用いたInAs/AlGaSb系HFETの作製と評価大阪工大,ナノ材研  吉川大生,木曽達也,石橋祐太郎,前元利彦,佐々誠彦,井上正祟
  • 10MBE 法によるGaAs(100)基板上AlInSb/InSb QW 構造の特性評価東理大院基礎工 内田明憲,堀井宏之,原 紳介,藤代博記
  • 11Si基板上貼付された裏面電極付InP/InGaAs MOSFET東工大院理工 金澤 徹,寺尾良輔,山口裕太郎,池田俊介,米内義晴,加藤 淳,宮本恭幸
  • 12Al2O3ゲート絶縁膜および再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs n-MOSFET東工大院理工 ○(M2)寺尾良輔,金澤 徹,池田俊介,米内義晴,加藤 淳,宮本恭幸
  • 13電子線照射Ge p-MOSFETの熱処理による電気特性の回復熊本高等専門学校1,中央電子工業2,IMEC3 塚本真幹1,高倉健一郎1,角田 功1,米岡将士1,大山英典1,中島敏之2,Eddy Simoen3,Cor Claeys3
  • 14CVDにより作製した歪みGeチャネルの電気伝導特性東京都市大1,Warwick大2,東北大3 榑林 徹1,星 裕介1,那須賢太郎1,澤野憲太郎12,宇佐美徳隆3,白木靖寛1
  • 15GaAs JFET ICを用いた極低温多チャンネル読み出しシステム国立天文台1,宇宙航空研究機構2,情報通信研究機構3 日比康詞1,松尾 宏1,大川泰史1,永田洋久2,池田博一2,藤原幹生3

14.4 超高速・機能デバイス

9月15日 9:30〜18:15  会場:教育-NH

15a-NH - 1〜11

  • 1高品質AlNテンプレート上AlGaN紫外線受光素子名工大 酒井佑輔,市川淳規,江川孝志
  • 2GaInNチャネルヘテロ接合電界効果トランジスタの検討名城大理工1,名大工 赤崎記念研究センター2,昭和電工3 一木宏充1,磯部康裕1,飯田大輔1,岩谷素顕1,竹内哲也1,上山 智1,赤崎 勇1,天野 浩2,坂東 章3,宇田川隆3
  • 3Pnp AlGaN/InGaN/GaN系DHBTsにおけるエミッタサイズ効果の抑制NTT物性科学基礎研究所 熊倉一英,牧本俊樹
  • 4AlGaN/GaN横型ショットキーダイオードのSパラメータ解析徳島大院ソシテク研 原内健次,細川大志,敖 金平,大野泰夫
  • 5AlGaN/GaN横型ショットキーダイオードの二次元デバイスシミュレーション徳島大ソシテク研 細川大志,原内健次,敖 金平,大野泰夫
  • 6AlGaN/GaN HEMTの電流コラプスに与えるフィールドプレートと裏面電極の影響の解析芝浦工大システム工 小野寺啓,堀尾和重
  •  休憩 11:00〜11:15
  • 7GIT構造を持つAlGaN/GaN HEMTにおけるホール注入効果の数値解析産総研 長南紘志,井手利英,清水三聡
  • 8分極電荷埋め込みチャネル構造を有するE-mode GaN FETの試作NTTフォトニクス研1,NTT物性基礎研2 前田就彦1,廣木正伸1,佐々木智2,山幡章司1
  • 9自己整合型シリサイドゲートノーマリーオフGaN MISFETに関する研究法政大工1,ケミトロニクス2 田口真也1,長谷川一也1,野本一貴1,葛西 武2,稲田太郎1,中村 徹1
  • 10Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性名工大 ○(M2)永井一弘,セルバラージ ローレンス,江川孝志
  • 11高濃度CドープGaNによるSi基板上高耐圧AlGaN/GaN HFET次世代パワーデバイス 古川拓也,賀屋秀介,池田成明,加藤禎宏
  •  昼食 12:30〜13:30

15p-NH - 1〜18

  • 1高耐圧GaN-HEMTの連続スイッチング動作における電界の影響東芝セミコンダクター社 齋藤 渉,新田智洋,垣内頼人,齋藤泰伸,野田隆夫,藤本英俊,吉岡 啓,大野哲也
  • 2Field Plate構造を適用したAlGaN channel HEMTの特性三菱電機先端総研1,立命館大2 南條拓真1,武内道一2,今井章文1,鈴木洋介1,塩沢勝臣1,吹田宗義1,阿部雄次1,柳生栄治1,吉新喜市1,青柳克信2
  • 3ECRスパッタを用いたSiN/AlGaN/GaN MIS-HFETの電流コラプス評価新日本無線1,名工大2 脇 英司1,伏見 浩1,江川孝志2
  • 4GaNキャップ層を用いた電流コラプス抑制方法の検討産業技術総合研究所 坂村祐一,長南紘志,清水三聡
  • 5Si基板上 リセスゲートMIS-AlGaN/GaN-HEMTの電流コラプス特性沖研開セ 丸井俊治,戸田典彦,伊藤正紀,大来英之,玉井 功,関 昇平
  • 6リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETのゲートリーク電流評価福井大院工 向野美郷,徳田博邦,葛原正明
  • 7AlGaN/GaN HEMT への埋め込み酸化膜ゲートの形成と評価北大量集センター,情報科学研究科1,JST-CREST2 原田脩央1,橋詰 保1,2
  • 8ALD-Al2O3/AlGaN/GaN 構造におけるポテンシャル制御および界面特性北大院 RCIQE1,JST-CREST2 水江千帆子1,橋詰 保1,2
  • 9ゲート絶縁膜に酸化アルミニウムを用いたハイブリッドGaN-HEMTの検討東芝 セミコンダクター社1,東芝 研究開発センター2 吉岡 啓1,大野哲也1,藤本英俊1,齋藤 渉1,齋藤泰伸1,津田邦男2
  •  休憩 15:45〜16:00
  • 10AlGaN/GaN系MIS-HEMTの入出力特性 (2)情報通信研究機構1,富士通研究所2 渡邊一世1,山下良美1,遠藤 聡1,2,広瀬信光1,三村高志1,2,松井敏明1
  • 11AlGaN/GaN HEMT に於けるソース・ドレイン電極間短縮の検討(III)情報通信研究機構1,富士通研2 山下良美1,渡邊一世1,遠藤 聡1,広瀬信光1,松井敏明1,三村高志1,2
  • 12微細T型ゲートイオン注入GaN-HEMT に関する研究法政大工1,ケミトロニクス2,山梨大院3 片寄秀雄1,太田理奈雄1,野本一貴1,葛西 武2,小野島紀夫3,中村 徹1
  • 13AlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタにおけるDC-RF周波数分散に対するAlGaN障壁薄層化の影響情通機構1,JSTさきがけ2,UCSB3 東脇正高1,2,3,Yi Pei3,Rongming Chu3,Umesh Mishra3
  • 14Si基板上AlInN/GaN HEMT構造の作製評価名工大 ○(M1)小笠原和弥,渡邉 新,江川孝志
  • 15InAlN/AlGaN/GaN HEMTのAlGaN中間層の高Al組成化の検討NTT PH研 廣木正伸,西村一巳,前田就彦
  • 16GaN基板上AlGaN/GaN HFETのドレインリーク電流の低減名城大理工1,名大院工2,赤崎記念研究センター3 ○(M2)押村吉徳1,杉山貴之2,3,竹田健一郎1,岩谷素顕1,竹内哲也1,上山 智1,赤崎 勇1,天野 浩2,3
  • 17多重台形チャネルAlGaN/GaN HEMTにおける電流制御性と熱的安定性北大量集センター1,北大院情報科学2,JST-CREST3 大井幸多1,2,橋詰 保1,2,3
  • 18GaNオペアンプの高温動作法政大 長谷川一也,野本一貴,中村 徹