14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

14p-NH - 1〜15


• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  縦型InGaAsチャネルMISFETの高電流密度動作東工大院理工 ^○齋藤尚史，楠崎智樹，松本　豊，宮本恭幸，古屋一仁
• 2縦型InGaAs-MISFETの高周波に向けた研究東工大院理工 ^○松本　豊，齋藤尚史，楠崎智樹，平井　準，藤松基彦，宮本恭幸
• 3InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistorsのゲート‐ソース間電圧による光応答時間の依存性東理大基工材料 ^○是枝勇太，安藤貴寿，遠藤　裕，佐藤宏一，芳澤研哉，田口博久，高梨良文
• 4InAlAs/InAs/InGaAs-PHEMT の直流及び高周波応答特性東理大基工材料 ^○遠藤　裕，安藤貴寿，是枝勇太，佐藤宏一，芳澤研哉，田口博久，高梨良文
• 5パラジウム・ゲートInAs素系HEMT電気特性評価北大量集センター ^○崔　志欣，石倉丈継，松田　喬，陽　完治
• 6格子整合系歪みInAs HEMTのモンテカルロ解析東理大院基礎工 ^○（M1）町田史晴，西野啓之，原　紳介，藤代博記
• 7InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の影響の解析東理大院基礎工 ^○（M1）本間嵩広，渡邉久巨，原　紳介，藤代博記
• 8モンテカルロ計算によるInP 系HEMT 中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響（２）情報通信研究機構¹，富士通研^{2 ○}遠藤　聡¹，渡邊一世¹，広瀬信光¹，三村高志^1,2，松井敏明¹
•  休憩　15:30〜15:45
• 9High-kゲート絶縁膜を用いたInAs/AlGaSb系HFETの作製と評価大阪工大，ナノ材研　 ^○吉川大生，木曽達也，石橋祐太郎，前元利彦，佐々誠彦，井上正祟
• 10MBE 法によるGaAs(100)基板上AlInSb/InSb QW 構造の特性評価東理大院基礎工 ^○内田明憲，堀井宏之，原　紳介，藤代博記
• 11Si基板上貼付された裏面電極付InP/InGaAs MOSFET東工大院理工 ^○金澤　徹，寺尾良輔，山口裕太郎，池田俊介，米内義晴，加藤　淳，宮本恭幸
• 12Al₂O₃ゲート絶縁膜および再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs n-MOSFET東工大院理工 ^○（M2）寺尾良輔，金澤　徹，池田俊介，米内義晴，加藤　淳，宮本恭幸
• 13電子線照射Ge p-MOSFETの熱処理による電気特性の回復熊本高等専門学校¹，中央電子工業²，IMEC^{3 ○}塚本真幹¹，高倉健一郎¹，角田　功¹，米岡将士¹，大山英典¹，中島敏之²，Eddy Simoen³，Cor Claeys³
• 14CVDにより作製した歪みGeチャネルの電気伝導特性東京都市大¹，Warwick大²，東北大^{3 ○}榑林　徹¹，星　裕介¹，那須賢太郎¹，澤野憲太郎¹²，宇佐美徳隆³，白木靖寛¹
• 15GaAs JFET ICを用いた極低温多チャンネル読み出しシステム国立天文台¹，宇宙航空研究機構²，情報通信研究機構^{3 ○}日比康詞¹，松尾　宏¹，大川泰史¹，永田洋久²，池田博一²，藤原幹生³

15a-NH - 1〜11


• 1高品質AlNテンプレート上AlGaN紫外線受光素子名工大 ^○酒井佑輔，市川淳規，江川孝志
• 2GaInNチャネルヘテロ接合電界効果トランジスタの検討名城大理工¹，名大工　赤崎記念研究センター²，昭和電工^{3 ○}一木宏充¹，磯部康裕¹，飯田大輔¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇¹，天野　浩²，坂東　章³，宇田川隆³
• 3Pnp AlGaN/InGaN/GaN系DHBTsにおけるエミッタサイズ効果の抑制NTT物性科学基礎研究所 ^○熊倉一英，牧本俊樹
• 4AlGaN/GaN横型ショットキーダイオードのSパラメータ解析徳島大院ソシテク研 ^○原内健次，細川大志，敖　金平，大野泰夫
• 5AlGaN/GaN横型ショットキーダイオードの二次元デバイスシミュレーション徳島大ソシテク研 ^○細川大志，原内健次，敖　金平，大野泰夫
• 6AlGaN/GaN HEMTの電流コラプスに与えるフィールドプレートと裏面電極の影響の解析芝浦工大システム工 ^○小野寺啓，堀尾和重
•  休憩　11:00〜11:15
• 7GIT構造を持つAlGaN/GaN HEMTにおけるホール注入効果の数値解析産総研 ^○長南紘志，井手利英，清水三聡
• 8分極電荷埋め込みチャネル構造を有するE-mode GaN FETの試作NTTフォトニクス研¹，NTT物性基礎研^{2 ○}前田就彦¹，廣木正伸¹，佐々木智²，山幡章司¹
• 9自己整合型シリサイドゲートノーマリーオフGaN MISFETに関する研究法政大工¹，ケミトロニクス^{2 ○}田口真也¹，長谷川一也¹，野本一貴¹，葛西　武²，稲田太郎¹，中村　徹¹
• 10Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性名工大 ^○（M2）永井一弘，セルバラージ ローレンス，江川孝志
• 11高濃度CドープGaNによるSi基板上高耐圧AlGaN/GaN HFET次世代パワーデバイス ^○古川拓也，賀屋秀介，池田成明，加藤禎宏
•  昼食　12:30〜13:30

15p-NH - 1〜18

• 1高耐圧GaN-HEMTの連続スイッチング動作における電界の影響東芝セミコンダクター社 ^○齋藤　渉，新田智洋，垣内頼人，齋藤泰伸，野田隆夫，藤本英俊，吉岡　啓，大野哲也
• 2Field Plate構造を適用したAlGaN channel HEMTの特性三菱電機先端総研¹，立命館大^{2 ○}南條拓真¹，武内道一²，今井章文¹，鈴木洋介¹，塩沢勝臣¹，吹田宗義¹，阿部雄次¹，柳生栄治¹，吉新喜市¹，青柳克信²
• 3ECRスパッタを用いたSiN/AlGaN/GaN MIS-HFETの電流コラプス評価新日本無線¹，名工大^{2 ○}脇　英司¹，伏見　浩¹，江川孝志²
• 4GaNキャップ層を用いた電流コラプス抑制方法の検討産業技術総合研究所 ^○坂村祐一，長南紘志，清水三聡
• 5Si基板上 リセスゲートMIS-AlGaN/GaN-HEMTの電流コラプス特性沖研開セ ^○丸井俊治，戸田典彦，伊藤正紀，大来英之，玉井　功，関　昇平
• 6リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETのゲートリーク電流評価福井大院工 ^○向野美郷，徳田博邦，葛原正明
• 7AlGaN/GaN HEMT への埋め込み酸化膜ゲートの形成と評価北大量集センター,情報科学研究科¹，JST-CREST^{2 ○}原田脩央¹，橋詰　保^1,2
• 8ALD-Al2O3/AlGaN/GaN 構造におけるポテンシャル制御および界面特性北大院 RCIQE¹，JST-CREST^{2 ○}水江千帆子¹，橋詰　保^1,2
• 9ゲート絶縁膜に酸化アルミニウムを用いたハイブリッドGaN-HEMTの検討東芝 セミコンダクター社¹，東芝 研究開発センター^{2 ○}吉岡　啓¹，大野哲也¹，藤本英俊¹，齋藤　渉¹，齋藤泰伸¹，津田邦男²
•  休憩　15:45〜16:00
• 10AlGaN/GaN系MIS-HEMTの入出力特性 (2)情報通信研究機構¹，富士通研究所^{2 ○}渡邊一世¹，山下良美¹，遠藤　聡^1,2，広瀬信光¹，三村高志^1,2，松井敏明¹
• 11AlGaN/GaN HEMT に於けるソース・ドレイン電極間短縮の検討（III）情報通信研究機構¹，富士通研^{2 ○}山下良美¹，渡邊一世¹，遠藤　聡¹，広瀬信光¹，松井敏明¹，三村高志^1,2
• 12微細T型ゲートイオン注入GaN-HEMT に関する研究法政大工¹，ケミトロニクス²，山梨大院^{3 ○}片寄秀雄¹，太田理奈雄¹，野本一貴¹，葛西　武²，小野島紀夫³，中村　徹¹
• 13AlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタにおけるDC-RF周波数分散に対するAlGaN障壁薄層化の影響情通機構¹，JSTさきがけ²，UCSB^{3 ○}東脇正高^1,2,3，Yi Pei³，Rongming Chu³，Umesh Mishra³
• 14Si基板上AlInN/GaN HEMT構造の作製評価名工大 ^○（M1）小笠原和弥，渡邉　新，江川孝志
• 15InAlN/AlGaN/GaN HEMTのAlGaN中間層の高Al組成化の検討NTT PH研 ^○廣木正伸，西村一巳，前田就彦
• 16GaN基板上AlGaN/GaN HFETのドレインリーク電流の低減名城大理工¹，名大院工²，赤崎記念研究センター^{3 ○（M2）}押村吉徳¹，杉山貴之^2,3，竹田健一郎¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇¹，天野　浩^2,3
• 17多重台形チャネルAlGaN/GaN HEMTにおける電流制御性と熱的安定性北大量集センター¹，北大院情報科学²，JST-CREST^{3 ○}大井幸多^1,2，橋詰　保^1,2,3
• 18GaNオペアンプの高温動作法政大 ^○長谷川一也，野本一貴，中村　徹