14. 半導体B(探索的材料・物性・デバイス)

14.3 プロセス技術・界面制御

9月16日 会場:体育-P10
ポスターセッション
ポスター掲示時間9:30〜11:30

16a-P10 - 1〜19

  • 1プラズマ照射誘起欠陥生成に対する付加照射光の影響首都大理工 星野晃一,中村成志,奥村次徳
  • 2Si基板上InAlN/GaN HEMTにおける表面処理による電気特性への影響日本ガイシ1,名工大2 杉山智彦1,前原宗太1,市村幹也1,角谷茂明1,倉岡義孝1,三好実人1,田中光浩1,江川孝志2
  • 3低温成長GaN/n-GaN SBDのDLTS測定愛知工業大1,新日本無線2 柴田龍成1,徳田 豊1,脇 英司2,伏見 浩2
  • 4MCTS法によるn-GaNショットキダイオードの少数キャリアトラップ評価愛知工大1,豊田中研2 ○(M1)山田悠二郎1,徳田 豊1,上田博之2,上杉 勉2,加地 徹2
  • 5ICPエッチングn-GaN上にp-GaNを再成長したPN接合の評価愛知工大1,豊田中研2 山口真太朗1,徳田 豊1,上田博之2,上杉 勉2,加地 徹2
  • 6ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたGaN自立基板の電気的評価中部大総工研1,物材機構2,筑波大3 中野由崇1,松木伸行2,Mickael Lozac’h3,迫田和彰2,角谷正友2
  • 7XPSによるGaN上極薄InAlN内分極誘起電界の検出北大1,JST-CREST2,NTTフォトニクス研究所3 高  博1,赤澤正道1,2,橋詰 保1,2,廣木正伸3,山幡章司3,重川直輝3
  • 8XPS によるInxAl1-xN/GaN 界面の価電子帯不連続量の評価北大1,JST-CREST2,NTTフォトニクス研究所3 赤澤正道1,2,高  博1,橋詰 保1,2,廣木正伸3,山幡章司3,重川直輝3
  • 9金属-絶縁膜-金属ゲートAlGaN/GaN HFETによる電荷制御新日本無線 深澤義道,伏見 浩
  • 10低パワーRIEによりエッチングしたAlGaN表面を有するAlGaN/GaNヘテロ構造の表面ドナー準位分布情通機構1,JSTさきがけ2,UCSB3 東脇正高1,2,3,Srabanti Chowdhury3,Brian Swenson3,Umesh Mishra3
  • 11AlGaN/GaNへテロ構造の表面バリアハイトに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響情通機構1,JSTさきがけ2,UCSB3 東脇正高1,2,3,Srabanti Chowdhury3,Brian Swenson3,Umesh Mishra3
  • 12Si(111)基板上n-GaN層の電気的特性の測定名工大院 ○(M2)渡邉 新,江川孝志
  • 13光応答法によるp-GaNショットキー電極の評価福井大院工 出店克顕,塩島謙次
  • 14高Al組成を有するAlxGa1-xNの深い電子準位の評価北大量集センター1,三重大2 奥崎慎也1,菅原克也1,武富浩幸2,三宅秀人2,平松和政2,橋詰 保1
  • 15Mgドープ密度の違いと高温熱処理によるMgドープGaNの深い準位の変化北大量集センター1,JST-CREST2 小川恵理1,橋詰 保1,2
  • 16ALD-Al2O3/GaN MOS 構造における界面特性の評価と制御北大量集センター1,JST-CREST2 堀 祐臣1,水江千帆子1,橋詰 保1,2
  • 17ゲートなしAlGaN/GaNへテロ接合電界効果トランジスタの表面トラッピング効果北大量集センター 胡 成余,橋詰 保,大井幸多,田島正文
  • 18カチオン性ポリマービーズの調製とITO透明導電膜ソフト研磨材への展開熊本県産技セ1,熊大院自2,京大院エネ研3 永岡昭二1,山之内瑛生2,城崎智洋1,堀川真希1,高藤 誠2,佐川 尚3,伊原博隆2
  • 19ビニル基含有フラーレン誘導体による有機薄膜太陽電池のバルクへテロ接合構造の制御熊本県産技セ1,熊大院自2,京大院エネ研3 城崎智洋1,馬場玲輔2,堀川真希1,永岡昭二1,櫻井英夫1,佐川 尚3,伊原博隆2

14.3 プロセス技術・界面制御

9月17日 会場:体育-P13
ポスターセッション
ポスター掲示時間9:30〜11:30

17a-P13 - 1〜18

  • 1PBOマスクとHBrガスを用いたICPによるInP深堀エッチングNTTフォトニクス研 杉谷末広,堤 卓也,西村一巳,柏尾典秀
  • 2CH4/H2-RIEによるInP表面における選択的エッチングとポリマーの生成(4)回折格子のアポダイズ化の検討NTTフォトニクス研 山本知生,佐藤具就
  • 3ドライエッチングがGaAs系半導体素子構造諸特性に与える影響阪大院工 渡辺章王,石川史太郎,近藤正彦
  • 4電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と孔壁表面の機能化北大 岡崎拓行,佐藤威友
  • 5pn接合基板上に形成したInP多孔質構造の電気的評価北大 工藤智人,岡崎拓行,佐藤威友
  • 6陽極酸化法によるGaAsポーラス構造の電解液濃度依存性農工大工 山本 斉,坂下伸哉,森下義隆
  • 7ポリスチレン微小球の自己組織化配列を利用したマイクロパター二ングと半導体微細加工への応用北大量集セ 今井雄大,岡崎拓行,佐藤威友
  • 8化成電圧以外の要因による陽極酸化ポーラスアルミナの細孔間距離の変化農工大工 坂下伸哉,渡邉和人,森下義隆
  • 9ナノ加工技術と人工格子結晶成長法とを融合した3次元ナノ構造作製手法の開発阪大産研 服部 梓,Nam-Goo Cha,田中秀和
  • 101.5μm帯単一光子源に向けたナノコーン構造の作製北大電子研1,JST-CREST2,JSPS3,NICT4 許 載勲1,2,Claus Hermannstaedter1,3,赤羽浩一4,Nahid A Jahan1,和田雅樹1,笹倉弘理1,2,飯島仁史1,井田惣太郎1,佐々木雅英4,末宗幾夫1,2
  • 11InAs量子ドット形状異方性のGaAs埋め込みプロセス依存性北大電子研1,JST-CREST2 桜井誠也1,小田島聡1,末宗幾夫1,2
  • 12剥離層を用いた金属埋め込み半導体ピラー構造の作製北大電子研1,JST-CREST2,北大院理3 飯島仁史1,末宗幾夫1,2,西尾 崇3,宮村壮太1,中島秀朗1,井田惣太郎1,小田島聡1,熊野英和1,2,松尾保孝1,居城邦治1
  • 13湿潤プロセスで生成したGaAs表面上酸化ガリウム粒子のキャパシタンス測定豊田工大 ○(P)山田郁彦,神谷 格
  • 14Air-gap C-V法によるInP表面の評価-II-島根大1,北大量集セ2 吉田俊幸1,橋詰 保2
  • 15高分解能X線回折法によるGaAs上のフッ化物膜の構造評価宮崎大工 筒井康吉,前田幸治,尾関雅志
  • 16高Al組成AlGaAsの水蒸気酸化によって作製したAlOxの分光エリプソメトリー評価阪大院工 平井裕一郎,山田高寛,石川史太郎,近藤正彦
  • 17XPSによるGaAs/GaAsGd多層膜の電子状態の研究香川大教育1,香川大工2 金家弘枝1,高橋尚志1,穴吹佑太1,戎 麻里2,小坂美佳子2,杉山紀朗2,宮川勇人2,小柴 俊2
  • 18(Bi0.5Na0.5)TiO3-(Bi0.5K0.5)TiO3-BaTiO3PTCセラミックスの特性評価ニチコン亀岡 服部研作,上城政博,松浦康行