14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

14a-NC - 1〜12


• 1Si/SiGe系2DEGのPdショットゲート制御による結合量子ドットの作製東工大量子ナノエレ研セ¹，東大工²，東京都市大総研^{3 ○}福岡佑二¹，小寺哲夫¹，大塚朋廣²，武田健太²，小幡利顕²，吉田勝治²，澤野憲太郎³，内田　建¹，白木靖寛³，樽茶清悟²，小田俊理¹
• 2Ge/Si量子ドットにおける高密度励起ダイナミクス京大化研¹，JSTさきがけ²，東大総合^{3 ○}太野垣健^1,2，深津　晋³，金光義彦¹
• 3Stabilization and Tuning of Silicon Nanocrystals Properties by DC microplasma and Laser Processing in Liquid MediaAIST ^○Vladimir Svrcek
• 4Siナノ結晶集合体の光伝導特性甲南大理工¹，関西大システム理工^{2 ○}寺嶋　秀¹，小泉亮太¹，稲田　貢²，齊藤　正²，梅津郁朗¹，杉村　陽¹
• 5半導体ナノワイヤでの双晶面超格子におけるバンド配列のナノワイヤ径依存性三重大院工 ^○秋山　亨，山下智樹，中村浩次，伊藤智徳
• 6VLS法を用いて作製した(311)B及び(001)基板上三角形及び梯形断面形状を持つ横方向GaAsナノワイヤNTT物性基礎研 ^○章　国強，舘野功太，後藤秀樹，寒川哲臣
•  休憩　10:45〜11:00
• 7InAsP量子ドット/InPナノワイヤのヘテロ界面の状態NTT物性基礎研 ^○舘野功太，Guoqiang Zhang，後藤秀樹，寒川哲臣
• 8AFM陽極酸化によるダッシュパターンを用いたInAs量子ナノ構造のMBE成長東大生産研¹，東大ナノ量子機構²，CREST-JST^{3 ○}堀内　功¹，車　圭晩¹，柴田憲治¹，平川一彦^1,2,3
• 9単一半導体量子リングにおけるサブバンド間多極放射確率帝京大理工¹，豊田工大^{2 ○}近藤直樹¹，榊　裕之²
• 10高密度磁気記録のためのブロック共重合体による自己組織化10nmナノドット形成群大院工¹，東芝^{2 ○（M1）}Huda Miftakhul¹，赤羽隆志¹，田村拓郎¹，尹　　友¹，保坂純男¹，木原尚子²，鎌田芳幸²，喜々津哲²
• 11高密度パターンドメディアのための電子線描画ポスト格子とガイドラインによる自己組織化パターンの規則配列制御群馬大院工学研究科¹，東芝^{2 ○（M1）}赤羽隆志¹，Huda Mifutakhul¹，田村拓郎¹，尹　　友¹，保坂純男¹，木原尚子²，鎌田芳幸²，喜々津哲²
• 12Au₂₅超クラスターの高次バンドの吸収による励起発光スペクトル甲南大理工¹，関西大システム理工²，関西大化学生命工^{3 ○}坂永　勇¹，松末和憲¹，稲田　貢²，齊藤　正²，川崎英也³，岩崎泰彦³，梅津郁朗¹，杉村　陽¹
•  昼食　12:30〜13:30

14p-NC - 1〜17

• 1Development of a Defect-Free GaAs/AlGaAs Heterostructure Etching Process by Chlorine and Argon Mix Neutral Beam東北大流体研¹，CREST²，東北大通研³，北大情報科学^{4 ○}王　宣又^{1, 2}，黄　啓賢^{1, 2}，大野裕三^{2, 3}，五十嵐誠^{1, 2}，村山明宏^{2, 4}，寒川誠二^{1, 2}
• 2誘電体ファーストプロセスによるInGaAs ナノワイヤMISFET の作製と評価北大情報科学¹，北大量集センター²，JST-PRESTO^{3 ○}小橋義典¹，佐藤拓也^1,2，冨岡克広^2,3，原真二郎^1,2，福井孝志^1,2，本久順一¹
• 3縦型pinダイオードに埋め込まれた単一量子ドット発光のゲート制御東大生研¹，東大ナノ量子機構²，上智大理工^{3 ○}田村悠悟¹，中岡俊裕^1,3，宮澤俊之²，渡邉克之²，太田泰友^1,2，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
• 4高In組成InGaAs/GaAs量子井戸のスピン緩和II早大理工¹，SINANO-CAS²，I.S.-CAS^{3 ○}浅見健志¹，牛見健則¹，中田大海¹，Shulong Lu²，Zhichuan Niu³，竹内　淳¹
• 5時間分解ポンププローブ反射計測によるGaInNAs/GaAs多重量子井戸のスピン緩和の観測早大理工¹，SINANO-CAS²，I. S. -CAS^{3 ○}中田大海¹，浅見健志¹，牛見健則¹，Shulong Lu²，Lifeng Bian²，Zhichuan Niu³，竹内　淳¹
• 6シリコン結合量子ドットにおけるスピン効果の観測東工大量子ナノエレ研セ¹，東大ナノ量子機構²，東工大院理工^{3 ○}小寺哲夫^1,2，山端元音¹，蒲原知宏¹，内田　建³，小田俊理¹
• 7Si量子ナノディスク2次元アレイ構造の電気特性の構造による制御東北大流体研¹，九工大²，JST-CREST^{3 ○}五十嵐誠^{1, 3}，黄　啓賢^{1, 3}，王　宣又^{1, 3}，ビンブディマン モハマドファイルズ^{1, 3}，森江　隆²，寒川誠二^{1, 3}
• 8シリコン（Si）ナノディスク2次元アレイによる高効率光吸収とバンドギャップエネルギー制御の実現東北大流体研¹，奈良先端大²，東大先端科技研³，JST-CREST^{4 ○}ビンブディマン モハマドファイルズ¹，黄　啓賢^{1, 4}，王　宣又^{1, 4}，海津利行^{3, 4}，五十嵐誠^{1, 4}，大島隆治^{3, 4}，岡田至崇^{3, 4}，山下一郎^{2, 4}，寒川誠二^{1, 4}
• 9CdTe/ZnTe量子ドットのドット内準位励起による時間分解フォトルミネッセンス早大¹，漢陽大²，延世大^{3 ○}貫井貴夫¹，T.W. Kim²，D.H. Kim²，H.S. Lee³，H.L. Park³，笹山和俊¹，中西奏太¹，竹内　淳¹
•  休憩　15:45〜16:00
• 10「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  MOVPE選択成長法と再成長によるシリコン基板上のGaAs/InAs/GaAsナノワイヤ量子井戸の作製北大院情報科学および量子集積センター¹，JSTさきがけ^{2 ○}冨岡克広^1,2，本久順一¹，原真二郎¹，比留間健之¹，福井孝志¹
• 11陽極酸化によるサイドゲート室温動作単電子トランジスタの作製東北大・通研 ^○水野徳夫，木村昭太，木村康男，庭野道夫
• 12ALD絶縁膜を用いたInAs/AlGaSbヘテロ構造のゲート制御NTT物性科学基礎研 ^○鈴木恭一，小野満恒二，原田裕一，前田文彦，山口　徹，村木康二
• 13キャップ層のドナー濃度によるIII−V族半導体表面フェルミレベルピニング制御豊田工大 ^○賀数広海，山田郁彦，神谷　格
• 14ヘテロ構造障壁を持つpIn形ダイオードのC-V及びI-V特性豊田工大 ^○坂下大樹，大森雅登，榊　裕之
• 15近接場光ネットワーク：積層量子ドットにおける光励起輸送の効率向上NICT¹，東大工²，イルミナウ工科大³，山梨大^{4 ○}成瀬　誠^1,2，Erich Runge³，小林　潔⁴，大津元一²
• 16希薄磁性半導体ZnMnSeと積層したCdSe自己組織化量子ドットにおける界面原子構造北大院情報科学¹，JST-CREST²，材料科学技術振興財団^{3 ○}村山明宏^1,2，田村宣裕¹，山崎達誌郎¹，木場隆之^1,2，澁谷一成³，荒木達郎³
• 17石英やGaAs基板上に作製したPbS量子ドット膜の蛍光計測豊田工大 ^○呂　　威，山田郁彦，神谷　格

16a-NC - 1〜13


• 1シリコン／弗化物共鳴トンネル構造を用いた抵抗スイッチング素子の低電圧化東工大院総理工 ^○仲正路友康，土屋和哉，渡辺正裕
• 2Ge基板上での高温成長による弗化物RTDの欠陥制御東工大総理工 ^○高橋慶太，林　優士，萱沼良介，齊藤　昇，筒井一生
• 3NiSi₂バッファ層を用いたSi基板上弗化物へテロ構造の成長東工大総理工 ^○齊藤　昇，吉住友樹，福岡佑二，萱沼良介，林　優士，高橋慶太，筒井一生
• 4歪超格子障壁の挿入に起因するSi_1-xGe_x/Si歪量子井戸の特異な励起強度依存性東大院総合（駒場） ^○寺田陽祐，田名網宣成，安武裕輔，深津　晋
• 5高分解能角度分解光電子分光によるGe(110)表面近傍の電子状態奈良先端科学技術大学院大¹，半導体理工学研究センター(STARC)^{2 ○（M2）}松岡弘憲¹，武田さくら¹，森田　誠¹，田畑裕貴¹，橋本美絵¹，服部　賢¹，大門　寛¹，吉丸正樹²
• 6GaAs/AlAs多層膜結合共振器における非線形分極構造の制御徳島大院フロンティア ^○北田貴弘，田中文也，滝本隼主，森田　健，井須俊郎
• 7非対称なGaAs/AlAs 多層膜結合共振器の作製とその光学特性徳島大院フロンティア ^○田中文也，滝本隼主，森田　健，北田貴弘，井須俊郎
•  休憩　10:45〜11:00
• 8GaAs薄膜におけるレーザースペクトル幅制御による励起子応答制御神戸大院¹，徳大院^{2 ○}大田翔平¹，小島　磨¹，喜多　隆¹，井須俊郎²
• 9微傾斜GaAs(110)基板上量子井戸における電子スピン緩和時間(II)奈良先端大物質 ^○池田和浩，黄　晋二，河口仁司
• 10量子井戸中の局在励起子に対する量子閉じ込め効果がゼーマン分裂へ与える影響甲南大院自然¹，静岡大若手グローバル^{2 ○}志智　亘¹，伊藤　哲²，宮原美保¹，市田正夫¹，安藤弘明¹
• 11非対称3重量子井戸超格子における電流発振大阪市大工¹，情報通信研究機構^{2 ○}細田　誠¹，西井雄一¹，赤羽浩一²
• 12Reflection effect of SAW single electron pump東京農工大¹，英国物理学研究所^{2 ○（PC）}掛本博文¹，片岡真哉²
• 13半導体量子井戸における輸送中スピン歳差運動の表面弾性波による制御NTT物性基礎研¹，東北大工^{2 ○}眞田治樹¹，後藤秀樹¹，好田　誠²，新田淳作²，小野満恒二¹，寒川哲臣¹
•  昼食　12:30〜13:30

16p-NC - 1〜19

• 1「半導体B分科内招待講演（30分）」
  GaAs/AlAs多重量子井戸中のコヒーレントフォノンによる高強度テラヘルツ波発生に関する研究阪府大院理 ^○溝口幸司
• 2AFM陽極酸化法を用いた単一および結合InAs量子ドットの位置・形状制御東大生研¹，ナノ量子機構²，CREST-JST^{3 ○}車　圭晩¹，柴田憲治¹，堀内　功¹，平川一彦^1,2,3
• 3サブナノ層間分離技術による積層InAs/InGaAs量子ドット光源情報通研¹，青学大^{2 ○}山本直克¹，赤羽浩一¹，川西哲也¹，外林秀之^1,2
• 4多重積層量子ドットの発光波長制御とレーザ応用情通機構 ^○赤羽浩一，山本直克，川西哲也
• 5積層量子ドットにおける偏光特性に対する電子的結合効果神戸大院工¹，情通機構^{2 ○}田中秀治¹，小島　磨¹，喜多　隆¹，赤羽浩一²
• 6多層積層量子ドットにおける高次励起子準位励起効果神戸大院工¹，情通機構^{2 ○}小島　磨¹，飛田直樹¹，喜多　隆¹，赤羽浩一²
• 7量子ドット中のトリオン励起状態のスピン緩和過程に対するRTAの影響NECグリーン研¹，東大ナノ量子機構²，東大生研^{3 ○}五十嵐悠一^1,2，白根昌之^1,2，太田泰友^2,3，野村政宏²，熊谷直人²，大河内俊介²，桐原明宏^1,2，石田悟己^2,3，岩本　敏^2,3，萬　伸一^1,2，荒川泰彦^2,3
• 8荷電量子ドットからの偏光相関光子対発生NECグリーン研¹，東大ナノ量子機構²，東大生研^{3 ○}白根昌之^1,2，五十嵐悠一^1,2，太田泰友^2,3，野村政宏²，熊谷直人²，大河内俊介²，桐原明宏^1,2，石田悟己^2,3，岩本　敏^2,3，萬　伸一^1,2，荒川泰彦^2,3
• 9量子ドットにおける最低次励起子・励起子分子の非線形PL特性NTT物性研 ^○後藤秀樹，眞田治樹，鎌田英彦，山口浩司，寒川哲臣
•  休憩　16:00〜16:15
• 10単一励起子ー光子強結合状態の励起条件依存性 IINTT物性基礎研¹，クイーンズ大²，弘前大^{3 ○}俵　毅彦¹，鎌田英彦¹，Stephen Hughes²，岡本　浩³，納富雅也¹，後藤秀樹¹，寒川哲臣¹
• 11フォトンエコー法による量子ドット集合体への光コヒーレンスの転写・再生慶應大理工¹，JSTさきがけ²，情通機構³，上智大理工^{4 ○}早瀬潤子^1,2,3，光武　慧^3,4，赤羽浩一³，山本直克³，江馬一弘⁴，佐々木雅英³
• 12単一量子ドットでのハンル測定：励起子スピンダイナミクスからの考察北大院工 ^○（D）鍜治怜奈，足立　智，武藤俊一
• 13金属埋め込み量子ドットによる強度飽和領域における高純度単一光子発生北大電子研¹，JST CREST^{2 ○}中島秀朗¹，江国晋吾¹，熊野英和^1,2，飯島仁史¹，井田惣太郎¹，笹倉弘理^1,2，末宗幾夫^1,2
• 14InAs/InP 量子ドットを用いた準共鳴励起単一光子発生器の光学特性解析東大ナノ量子機構¹，東大生研²，上智大³，物材機構⁴，富士通研^{5 ○}宮澤俊之¹，竹本一矢¹，中岡俊裕^1,3，斉藤敏夫^1,2，佐久間芳樹⁴，横山直樹^1,5，荒川泰彦^1,2
• 15臨界膜厚近傍におけるInAs/InP 濡れ層の構造評価慶大院理工¹，物材機構^{2 ○（M2）}唐仁原裕樹¹，久保田良輔¹，土屋直樹¹，佐久間芳樹²，斎木敏治¹
• 16GaSb量子ドット入りGaAsFET素子の光照射効果：過渡応答豊田工大¹，東大生研^{2 ○（M1）}伊賀健一郎¹，山附太香史²，大森雅登¹，秋山芳広¹，榊　裕之^1,2
• 17自己形成InGaAsドット列における異方的な持続性光電流豊田工大¹，物材機構²，東大生研^{3 ○}秋山芳広^1,2,3，川津琢也^2,3，野田武司²，榊　裕之^1,2,3
• 18多積層In_0.4Ga_0.6As量子ドット太陽電池におけるIn_0.2Ga_0.8Asキャップ層の効果産業技術総合研究所¹，東京都市大院^{2 ○（M2）}沼上　理^1,2，菅谷武芳¹，古江重紀¹，森　雅彦¹，小森和弘¹，仁木　栄¹，岡野好伸²
• 19中間バンド型量子ドット太陽電池のデバイスシミュレーション(II)東大院工¹，東大先端研²，筑波大^{3 ○}吉田勝尚^1,2，岡田至崇^1,2，佐野伸行³