14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

16a-NH - 1〜11


• 1TlInSe₂のキャリア輸送と電子分布千葉工大¹，大阪府立大院工²，アゼルバイジャン物理研^{3 ○}今井　慧¹，脇田和樹¹，沈　用球²，Hamidov Sadig³，Mamedov Nazim³
• 2面内X線回折によるGaAs(001)上のFe-As化合物薄膜の観察原子力機構量子ビーム ^○藤川誠司，高橋正光
• 3希土類(Ce,Eu)酸化物MIM構造の抵抗スイッチング特性東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}竇　春萌¹，Mamat Mamatrishat¹，Dariush Zade¹，佐藤創志¹，角嶋邦之²，Parhat Ahmet¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 4V,MnドープLaNbO₄の合成と磁気特性九工大院工¹，東北大金研²，物材機構^{3 ○}岡田浩一¹，川上俊輔¹，古曵重美¹，下岡弘和¹，出口博之¹，美藤正樹¹，宍戸統悦²，三留正則³
• 5カーボンナノチューブを含有したMgO薄膜の構造制御II龍谷大¹，兵庫工技セ^{2 ○}中川拓哉¹，吉岡秀樹²，富崎欣也¹，黒澤貴大¹，山本伸一¹
•  休憩　10:45〜11:00
• 6ノボラック樹脂の熱分解により調製したアモルファスカーボン薄膜の光起電力特性東工大応セラ研 ^○安達大悟，平野栄樹，井上泰徳，北野政明，原　亨和
• 7伝導帯の非放物線性とFermi-Dirac分布を考慮した粒界散乱移動度の解析島根大総合理工 ^○梶川靖友
• 8混晶半導体の電子状態の理論的研究和歌山大院 ^○原　愛美，篠塚雄三
• 9Tiをドープした酸化アルミニウム(Al₂O₃)単結晶の青色発光千歳科学技術大 ^○大門智範，成瀬寛峰，渡邉弘幸，小田久哉，山中明生
• 10β-Ga₂O₃の発光に対する遷移金属のドーピング効果千歳科学技術大 ^○若井宏文，山中明生
• 11Si添加したβ-Ga₂O₃薄膜の光学的特性とXPSによる化学結合状態の評価熊本高等専門学校¹，産業技術総合研究所²，中央電子^{3 ○}船崎　優¹，高倉健一郎¹，角田　功¹，大山英典¹，竹内大輔²，中島敏之³
•  昼食　12:30〜14:00

16p-NH - 1〜9

• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  n⁺-BaSi₂/p⁺-Siトンネル接合上BaSi₂膜の分光感度特性評価筑波大院　電子・物理 ^○齋藤隆允，Khan Ajmal，藤　克昭，岡田淳史，末益　崇
• 2Epitaxial Growth and Electrical Characterization of Cu-doped BaSi₂ films on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy筑波大院　電子・物理 ^○ムハマド カーン，齋藤隆允，藤　克昭，岡田淳史，末益　崇
• 3BaSi₂薄膜太陽電池のためのAZO/SiO₂基板上でのAIC法によるSi薄膜配向成長筑波大院　電子・物理工学専攻¹，東北大 金研²，若狭湾エネ研^{3 ○（M1）}岡田淳史¹，齋藤隆允¹，藤　克昭¹，宇佐美徳隆²，笹瀬雅人³，末益　崇¹
• 4BaSi2への炭素導入によるバンドギャップ制御の可能性産総研 ^○今井庸二，渡邊昭雄
• 5アルカリ土類金属ダイシリサイドの格子定数の温度依存性物材機構 ^○今井基晴
• 6新規太陽電池材料マグネシウムシリサイド膜の作製と評価岐阜大工 ^○（M1）加藤　敬，藤原裕之
• 7Naを利用したβ-MoSi₂の合成と熱電特性評価東北大多元研 ^○山田高広，山根久典
• 8溶液から成長した単相Mn₁₁Si₁₉結晶の熱電特性茨城大¹，サレジオ高専²，東京理大^{3 ○}鵜殿治彦¹，高橋良幸¹，氏家裕介¹，大杉　功²，飯田　努³
• 9Mn₁₁Si₁₉とMn₄Si₇結晶の磁気特性日立ケンブリッジ研¹，茨城大工²，育英高専³ 半村清孝¹，Elisa De Ranieri¹，八島健一，氏家裕介²，鵜殿治彦²，^○青野友祐²，大杉　功³

17a-NH - 1〜14


• 1β-FeSi₂表面構造の第一原理による電子状態解析茨大工 ^○根本　怜，谷本　悟，永野隆敏
• 2第一原理計算を用いたＳｉ基板上のβーＦｅＳｉ_２からの発光の解明東理大理工¹，筑波大数理^{2 ○（M2）}野村貴仁¹，浜田典昭¹，舩島洋紀¹，末益　崇²
• 3鉄シリサイド薄膜作製における低速イオンビームによる基板前処理効果原子力機構 ^○山口憲司，北條喜一
• 4MBE法で形成したβ-FeSi₂膜のEBICによる拡散長評価筑波大院 電子・物理工学専攻¹，物材機構^{2 ○}川上英輝¹，鈴野光史¹，阿久津恵一¹，陳　　君²，Karolin Jiptner²，関口隆史²，末益　崇¹
• 5原子状水素援用MBE法によるβ-FeSi₂膜のキャリア密度の低減と電気特性評価筑波大院　電子・物理工学専攻 ^○阿久津恵一，鈴野光史，川上英輝，末益　崇
• 6半絶縁性4H-SiC基板上エピタキシャルβ-FeSi₂薄膜の電気伝導特性神奈川県産技セ ^○秋山賢輔，金子　智，平林康男
• 7SOI 基板上に成長したβ-FeSi₂ エピタキシャル膜における残留キャリア濃度の評価阪大院工 ^○米田圭佑，寺井慶和，野田慶一，三浦直行，藤原康文
•  休憩　10:45〜11:00
• 8β-FeSi₂エピタキシャル膜における光伝導スペクトルの評価阪大院工 ^○寺井慶和，米田圭佑，野田慶一，三浦直行，藤原康文
• 9β-FeSi₂薄膜を用いた分光選択赤外線源の開発京大院・工¹，神奈川産技センター^{2 ○}兼子泰幸¹，鈴木基史¹，中嶋　薫¹，木村健二¹，春次良彦¹，若林英信¹，牧野俊郎¹，秋山賢輔²
• 10イオンビーム合成したCoドープβ-FeSi₂の赤外吸収京大院エネルギー科学¹，英国サリー大^{2 ○（M1）}中島孝仁¹，松倉武偉¹，市川貴之¹，ケビン ホームウッド²，前田佳均¹
• 11鉄ホイスラー合金薄膜/Ge(111)界面の低温イオンチャネリング京大院エネ科学¹，原研機構先端基礎²，阪大院工³，九大院システム情報^{4 ○（M1）}松倉武偉¹，中島孝仁¹，前田佳均^1,2，鳴海一雅²，寺井慶和³，佐道泰造⁴，浜屋宏平⁴，宮尾正信⁴
• 12MBE法によるFe₃Si/CaF₂/Fe₃Si MTJ構造の作製と磁気抵抗効果筑波大院¹，産総研^{2 ○（M1）}原田一範¹，眞壁健司¹，末益　崇¹，秋永広幸²
• 13Fe₃Si/CaF₂ 多層構造による強磁性RTDの電気特性の測定筑波大院 電子･物理工学専攻(物理工学系¹，産総研^{2 ○}眞壁健司¹，鈴野光史¹，原田一範¹，末益　崇¹，秋永広幸²
• 14MBE法によるSi(100)基板上への強磁性体γ'-Fe₄Nのエピタキシャル成長筑波大 ^○李　根衡，伊藤啓太，末益　崇