13. 半導体A（シリコン）

17a-S - 1〜8


• 1Siナノ構造中のLOフォノン緩和に関する分子動力学シミュレーション早大理工¹，早大ナノ機構²，阪大工^{3 ○}図師知文¹，鎌倉良成³，谷口研二³，大泊　巌¹，渡邉孝信^1,2
• 2分子動力学シミュレーションを用いたシリコンナノワイヤ中の格子振動解析京大院工 ^○三枝琢己，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
• 3フロロカーボンおよび水素イオン入射によるPMMA（ポリメチルメタクリレート）表面の改質に関する分子動力学シミュレーション阪大工 ^○森田泰光，礒部倫郎，浜口智志
• 4イオン注入Pearson分布パラメータ抽出のための負の領域まで追跡するMonte Carlo シミュレーション富士通研 ^○鈴木邦広
• 5Joined tail関数を媒介関数として用いたPearson分布パラメータ抽出法富士通研 ^○鈴木邦広
• 6FinFET中の3次元イオン注入分布解析モデル富士通研 ^○鈴木邦広
• 7超微細ＧＡＡ 細線ＭＯＳＦＥＴの設計指針モデルORDIST¹，関西大システム理工²，関西大院^{3 ○}仲野駿佑^1,3，大村泰久^1,2,3
• 8ナノワイヤMOSFETにおける電子エネルギー準位の伝導方向プロファイルの簡易モデル名大院工¹，阪大院工²，JST, CREST^{3 ○}沼田達宏^1,3，宇野重康^1,3，中里和郎¹，ゲナディ ミリニコフ^2,3，鎌倉良成^2,3，森　伸也^2,3
•  昼食　11:30〜13:00

17p-S - 1〜8

• 1コンタクトサイズがコンタクト抵抗の不純物揺らぎに与える影響東芝ＬＳＩ基盤技術ラボ ^○松沢一也
• 2GAA MOSFET構造でのポテンシャル揺らぎに伴ったバンドテール効果筑波大院電物 ^○唐澤貴彦，佐野伸行
• 3DGおよびGAA型MOSFETにおいて単一ドナーがしきい値シフトに与える影響阪大工¹，JST CREST^{2 ○}森　伸也^1,2，ゲナディ ミリニコフ^1,2，鎌倉良成^1,2，三成英樹^1,2
• 4強結合非平衡グリーン関数を用いたバンド間トンネリングの選択則日本ＩＢＭ東京基礎研 ^○中村　肇
• 5シリコンナノワイヤFETの正孔輸送に対するひずみの効果阪大工¹，JST CREST^{2 ○（PC）}三成英樹^1,2，北山達郎¹，山本将央¹，森　伸也^1,2
• 6ショットキーバリアトンネルFETのサブスレッショルドスイングの評価早大理工 ^○高井　一，川村祐士，鹿浜康寛，渡邉孝信
• 7トンネルトランジスタの電流電圧特性に対するひずみの効果阪大工¹，JST CREST² 山本将央¹，^○三成英樹^1,2，森　伸也^1,2
• 8被覆Si量子細線における電子-変調音響フォノン相互作用に与える電子波動関数染み出しの影響に関する理論研究名大院工¹，阪大院工²，JST, CREST^{3 ○}服部淳一^1,3，宇野重康^1,3，森　伸也^2,3，中里和郎¹