13. 半導体A（シリコン）

14a-ZE - 1〜13


• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  微細トランジスタにおける電流ばらつきの原因MIRAI-Selete¹，東大生研²，広島市立大^{3 ○}角村貴昭¹，クマール アニル²，水谷朋子²，チホ イ²，西田彰男¹，竹内　潔¹，稲葉　聡¹，蒲原史朗¹，寺田和夫³，平本俊郎^1,2，最上　徹¹
• 2微細MOS トランジスタにおける“電流立上り電圧”ばらつきの原因東大生研¹，MIRAI-Selete²，広島市立大^{3 ○}Anil Kumar¹，水谷朋子¹，角村貴昭²，西田彰男²，竹内　潔²，稲葉　聡²，蒲原史朗²，寺田和夫³，最上　徹²，平本俊郎^1,2
• 3微細MOSトランジスタにおける“電流立上り電圧”の統計的性質東大生研¹，MIRAI-Selete²，広島市立大^{3 ○}水谷朋子¹，Anil Kumar¹，角村貴昭²，西田彰男²，竹内　潔²，稲葉　聡²，蒲原史朗²，寺田和夫³，最上　徹²，平本俊郎^1,2
• 4MOSFETアレイを用いたばらつきパラメータの抽出広島市立大¹，半導体先端テクノロジーズ^{2 ○}寺田和夫¹，繹田尚也¹，辻　勝弘¹，角村貴昭²，西田彰男²，最上　徹²
• 5DMA TEG を用いた SRAM におけるスタティックノイズマージンばらつきの直接測定東大生研¹，MIRAI-Selete² 鈴木　誠¹，^○宋　驍嵬¹，更屋拓哉¹，清水　健¹，西田彰男²，蒲原史朗²，竹内　潔²，最上　徹²，平本俊郎^1,2
• 6EMC-MDシミュレーションによる電流揺らぎのチャネル幅依存性評価早大理工¹，筑波大²，阪大院工³，JST-CREST^{4 ○}神岡武文^1,4，大毛利健治^1,4，白石賢二^2,4，鎌倉良成^3,4，渡邉孝信^1,4
• 7微細MOSFETドレイン電流ばらつきのゲート／ドレイン電圧依存性早大ナノテク研¹，筑波大²，JST-CREST^{3 ○}大毛利健治^1,3，白石賢二^2,3，山田啓作^1,2,3
•  休憩　10:45〜11:00
• 8「論文奨励賞受賞記念講演」（20分）
  Verification of Threshold Voltage Variation of Scaled Transistors with Ultralarge-Scale Device Matrix Array Test Element GroupMIRAI-Selete ^○角村貴昭
• 9Compensation of SRAM Variability using Independent-Double-Gate FinFETs産総研エレクトロニクス部門 ^○遠藤和彦，石川由紀，大内真一，Yongxun Liu，松川　貴，坂本邦博，塚田順一，山内洋実，昌原明植
• 10極薄SOI MOSFETの低周波雑音特性と動作条件の関係の解析関西大院¹，関西大シス理工^{2 ○}山本貴久¹，大杉文也²，大村泰久^1,2
• 11高性能１Ｖ動作ＤＴ−ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ実現可能性の検討関西大院 ^○井野大志，栃尾貴之，大村泰久
• 12SiON/Poly-Si NMOSFETの飽和領域における1/fノイズ特性東北大学際センター ^○今本拓也，佐々木健志，遠藤哲郎
• 13縦型構造MOSFETおよびFINFETにおける
  10nmチャネル領域への電子注入に及ぼす不純物位置効果東北大学際センター¹，JST-CREST^{2 ○}村口正和^1,2，遠藤哲郎^1,2

15a-ZE - 1〜11


• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  硫黄後打ちプロセスによる極低ショットキー障壁の実現東芝研開セ ^○西　義史，木下敦寛
• 2歪みシリコンチャネルMulti-gate Metal S/D MOSFETへの窒素イオン注入によるNiSi形成制御の適用半導体MIRAI-Toshiba¹，半導体MIRAI-NIRC^{2 ○}池田圭司¹，上牟田雄一¹，田岡紀之²，守山佳彦¹，小田　穣¹，手塚　勉¹
• 3シリサイド形成によって発生する応力がメタルソース・ドレインSOI FETの電気特性に及ぼす影響産総研　MIRAI-NIRC ^○右田真司，ポボロｯチ ウラジミール，多田哲也，森田行則，水林　亘，太田裕之
• 4トンネルFET動作に向けたNiシリサイド/Si接触におけるトンネル電流の観測東工大フロンティア研¹，東工大総合理工^{2 ○}呉　　研¹，茂森直登¹，佐藤創志¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二²，服部健雄²，岩井　洋²
• 5Ｉ−ＭＯＳのＳ-Factor特性に対するi型領域長依存性東北大¹，JST-CREST^{2 ○}板垣明宏¹，遠藤哲郎^1,2
• 6High-k/Metal Gate nMOSFETにおける駆動電流の温度依存特性東北大　学際センター ^○佐々木健志，今本拓也，遠藤哲郎
•  休憩　10:30〜10:45
• 7飽和しきい値電圧抽出のための新しい外挿法の提案MIRAI-Selete¹，広島市立大²，東大生研^{3 ○}松平将治¹，竹内　潔¹，角村貴昭¹，西田彰男¹，稲葉　聡¹，蒲原史朗¹，寺田和夫²，平本俊郎^1,3，最上　徹¹
• 8指紋センサLSIでの生体検知のためのインピーダンス検出手法の検討NTT¹，NEL²，NTT-AT^{3 ○}島村俊重¹，森村浩季¹，下山展弘¹，阪田知巳¹，重松智志²，町田克之³，中西　衛¹
• 9高密度TSVを持つ3次元積層チップとその信頼性に関する検討超先端電子技術開発機構 ^○堀部晃啓，佐久間克幸，松本圭司，小原さゆり，末岡邦昭，折井靖光，山田文明
• 10ファインピッチ金属マイクロバンプを有するチップの自己組織化積層東北大院工¹，東北大未来科学技術共同研究センター²，東北大院医工^{3 ○（M2）}岩田永司¹，福島誉史²，李　康旭²，小柳光正²，田中　徹^1,3
• 11LSI積層による曲げ応力がデバイス特性に与える影響に関する研究東北大院工¹，東北大院医工²，東北大未来研^{3 ○}木野久志¹，開　達郎¹，栗山祐介²，Murugesan Mariappan³，Jichel Bea³，李　康旭³，福島誉史³，小柳光正³，田中　徹^1,2

16a-ZE - 1〜11


• 1コンパクトモデルによるナノスケールMOSFETのキャリヤ輸送東工大フロンテイア ^○名取研二
• 2pn接合の無い極薄膜SOIトランジスタの作製と電気特性評価東工大院理工¹，東工大量子ナノエレ研セ²，PRESTO-JST^{3 ○（M2）}角谷直哉¹，高橋綱己¹，小寺哲夫²，小田俊理²，内田　建^1,3
• 3単一半導体を用いた新ソースへテロ構造の検討（III）：急峻な横方向歪み分布の実現神奈川大理¹，MIRAI-NIRC²，産総研^{3 ○}水野智久^1,2，長谷川光央¹，野尻真士³，堀川　剛²
• 4酸化濃縮法で作成された(110)面ＧＯＩｐ型ＭＯＳＦＥＴのホール移動度のチャンネル方向依存性東大電子¹，東工大理^{2 ○（DC）}Sanjeewa Dissanayake¹，趙　　毅¹，菅原　聡²，竹中　充¹，高木信一¹
• 5HfO₂/Ge-nMISFETsに対する窒化膜界面層の効果産業技術総合研究所¹，東大院工^{2 ○}前田辰郎¹，森田行則¹，高木信一^1,2
•  休憩　10:15〜10:30
• 6結晶品質を改善したInGaAsエピ層上MISFETの移動度特性産総研¹，住友化学²，東大^{3 ○（PC）}卜部友二¹，安田哲二¹，宮田典幸¹，山田　永²，福原　昇²，秦　雅彦²，竹中　充³，高木信一³
• 7Al₂O₃埋め込み酸化膜とS処理によるIII-V-OI MOSFETの電子移動度に対するチャネル膜厚依存性の改善東京大¹，産総研²，住友化学^{3 ○（PC）}横山正史¹，山田　永³，安田哲二²，高木秀樹²，卜部友二²，宮田典之²，福原　昇³，秦　雅彦³，杉山正和¹，中野義昭¹，竹中　充¹，高木信一¹
• 8自己整合プロセス用いたInGaAs MOSFETの電気特性と活性化アニール温度依存性東大¹，産総研²，住友化学^{3 ○}李　成薫¹，飯田　亮¹，金　相賢¹，横山正史¹，田岡紀之¹，安田哲二²，板谷太郎²，卜部友二²，石井裕之²，宮田典幸²，山田　永³，福原　昇³，秦　雅彦³，竹中　充¹，高木信一¹
• 9自己整合プロセスを用いたフロントゲート型InGaAs-On-Insulator MOSFET東大¹，産総研²，住友化学^{3 ○（M2）}飯田　亮¹，李　成薫¹，金　相賢¹，横山正史¹，田岡紀之¹，安田哲二²，高木秀樹²，卜部友二²，宮田典幸²，山田　永³，福原　昇³，秦　雅彦³，竹中　充¹，高木信一¹
• 10InPに格子整合したIn_0.53Ga_0.47Asバンド構造の一軸歪み依存性東工大院理工¹，東工大量子ナノエレ研セ^{2 ○}引田和宏¹，小寺哲夫²，小田俊理²，内田　建¹
• 11メタルS/D構造を用いた自己整合型InP MOSFETの作製東大院工¹，産業技術総合研究所²，住友化学^{3 ○}金　相賢¹，横山正史¹，田岡紀之¹，飯田　亮¹，李　成薫¹，中根了昌¹，卜部友二²，宮田典幸²，安田哲二²，山田　永³，福原　昇³，秦　雅彦³，竹中　充¹，高木信一¹

17a-ZD - 1〜12


• 1n⁺-poly-Si/PVD-TiNゲートスタックを用いた20nmゲートFinFETの作製および移動度評価明大¹，産総研^{2 ○}亀井貴弘¹，Yongxun Liu²，遠藤和彦²，大内真一²，塚田順一²，山内洋美²，石川由紀²，林田哲郎¹，松川　貴²，坂本邦博²，小椋厚志¹，昌原明植^1,2
• 2Si選択エピタキシャル成長によるFin-FETの特性ばらつき低減ルネサスエレクトロニクス ^○吉森宏雅，林　清志，土本淳一，岩松俊明，尾田秀一，井上靖朗
• 3Siナノワイヤp-nダイオードの作製と評価静大電研 ^○三木早樹人，小林　稔，モラル ダニエル，水野武志，田部道晴
• 4バリスティックナノワイヤトランジスタ性能の太さ依存における状態密度と静電容量のトレードオフ東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，筑波大数物^{3 ○}李　映勲^1,2，角嶋邦之²，白石賢二³，名取研二¹，岩井　洋¹
• 5窒素導入によるSiナノワイヤ内へのNiシリサイド侵入抑制機構の検討東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}小山将央¹，茂森直登¹，佐藤創志¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット²，西山　彰²，筒井一生²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 6チャージポンピング法による立体Si構造の界面準位密度の評価東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○（M1）}中島一裕¹，佐藤創志¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
•  休憩　10:30〜10:45
• 7エクステンションエピ成長による<110>及び<100>方向Siナノワイヤトランジスタの寄生抵抗低減東芝研開セ¹，東工大^{2 ○}齋藤真澄¹，中林幸雄¹，内田　建²，沼田敏典¹
• 8SiナノワイヤMOSFETの電子と正孔移動度の比較京都大 ^○（DC）吉岡裕典，森岡直也，須田　淳，木本恒暢
• 9Si量子細線における正孔有効質量の形状および幅依存性京大院工 ^○（M2）森岡直也，吉岡裕典，須田　淳，木本恒暢
• 10長方形断面Si量子細線における正孔有効質量の幅依存性の物理的解釈京大院工 ^○（M2）森岡直也，吉岡裕典，須田　淳，木本恒暢
• 11酸素エッチングによるサブ10nmの断面寸法を持つSiナノワイヤFETの形成産総研NIRC ^○森田行則，右田真司，水林　亘，太田裕之
• 12Even-Odd Electron Number Effects of a Ge Nanowire Dot理化学研究所¹，東工大²，物質材料研究機構^{3 ○}申　成權^1,2，黄　少雲¹，深田直樹³，石橋幸治^1,2
•  昼食　12:15〜13:00

17p-ZD - 1〜8

• 1高周波線形パワーアンプ用CMOSトランジスタの安定化東芝研究開発センター ^○阿部和秀，佐々木忠寛，板谷和彦
• 2オープンリング共振器無線接続における基板抵抗の影響徳大 ^○（M2）阿部まみ，敖　金平，大野泰夫
• 3RF/Mixed-Signal向け低損失MOSFETにおける寄生容量低減構造ルネサスエレクトロニクス ^○長瀬寛和，田辺　昭，林　喜宏
• 4RF MEMS N-bit可変インダクタの実現に向けた構成の検討東工大 ^○白根篤史，水落　裕，天川修平，石原　昇，益　一哉
• 5接点抵抗と接着力と押付力によるRF-MEMSスイッチの設計手法の提案NTT MI研 ^○高河原和彦，桑原　啓，佐藤康博
• 6MEMS多層カンチレバーの反りの温度依存性NTT MI研 ^○桑原　啓，高河原和彦，佐藤康博
• 7静電型MEMS発電機に向けた同期型振動構造ＮＴＴマイクロシステムインテグレーション研究所 ^○小野一善，佐藤昇男，島村俊重，宇賀神守，佐藤康博
• 8MEMS封止膜形成の検討(2)　-溝深さ依存性-NTT-AT¹，NTT MI研^{2 ○}松島隆明¹，亀井敏和¹，桑原　啓²，小野一善²，工藤和久¹，矢野正樹¹，佐藤康博²，町田克之¹

17a-ZE - 1〜12


• 1「論文奨励賞受賞記念講演」（20分）
  Resistance Switching and Formation of a Conductive Bridge in Metal/Binary Oxide/Metal Structure for Memory Devices東大，理研 ^○藤原宏平
• 2Pr系酸化膜を用いたヘテロ積層構造トンネル膜の電気特性シミュレーションと作製及び評価東工大量子ナノエレ研セ¹，東工大院理工²，都市大工^{3 ○}小林大助^1,3，栗原智之^1,2，小寺哲夫¹，内田　建²，野平博司³，小田俊理^1,2
• 3縦型メタルナノドット不揮発性メモリに関する研究東北大院工¹，東北大院医工²，東北大未来研³，東北大国際高等融合領域研^{4 ○}開　達郎¹，栗山祐介²，小島俊哉¹，Murugesan Mariappan³，裴　艶麗⁴，木野久志¹，Ji-Cheol Bea³，福島誉史³，小柳光正³，田中　徹^{1, 2}
• 4The Scalability of FG width of the 3-dimensional vertical FG NAND flash memory cell arrays with the Extended Sidewall Control Gate (ESCG) structure.東北大学際センター¹，JST-CREST^{2 ○}徐　文植¹，遠藤哲郎^1,2
• 5Bio-LBL法を利用した3次元メモリデバイスの作製奈良先端大¹，戦略的創造研究推進事業^{2 ○}小原孝介¹，鄭　　彬^1,2，上沼睦典^1,2，石河泰明¹，山下一郎^1,2，浦岡行治^1,2
•  休憩　10:20〜10:30
• 6擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性DFF：静的リーク電流とBETの削減東工大院総理工¹，東工大像情報²，科技機構CREST^{3 ○}山本修一郎^1,3，周藤悠介^2,3，菅原　聡^2,3
• 7擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM：セルリーク電流とBETの削減東工大像情報¹，東工大総理工²，科技機構CREST^{3 ○}周藤悠介^1,3，山本修一郎^2,3，菅原　聡^1,3
• 8ウエハ作製後の6T-SRAMにおける電子の局所注入による非対称アクセストランジスタを用いた読み出し安定性の改善東大¹，半導体理工学研究センター^{2 ○}本田健太郎¹，宮地幸祐¹，田中丸周平¹，宮野信治²，竹内　健¹
• 9イオンプローブを用いたBulk/SOI-SRAMのソフトエラー発生率評価阪大極限センター¹，日本原研²，ルネサスエレクトロニクス^{3 ○}阿保　智¹，増田直之¹，若家冨士男¹，小野田忍²，牧野高紘²，平尾敏雄²，大島　武²，岩松俊明³，尾田秀一³，高井幹夫¹
• 10Study of Retention Characteristics of Vertical type 1T-DRAM東北大　学際センター¹，JST-CREST^{2 ○}則房勇人³，遠藤哲郎¹
• 111GHz以上の高速電流パルス生成回路を有する2ステッププログラム手法のベースパルス特性東北大学際センター¹，東北大スピントロニクス集積化システムセンター^{2 ○}羅　炯竣¹，鈴木保彦¹，今本拓也^1,2，遠藤哲郎^1,2
• 12Current Controlled MOS Current Mode Logicによる出力基準電圧の安定化東北大学際センター ^○羅　炯竣，遠藤哲郎
•  昼食　12:15〜13:00

17p-ZE - 1〜8

• 1サイドゲートとトップゲートを用いたシリコン二重結合量子ドット形成シミュレーション東工大量子ナノエレ研セ¹，東工大院理工²，東大ナノ量子機構^{3 ○}蒲原知宏¹，小寺哲夫^1,3，山端元音¹，内田　建²，小田俊理¹
• 2PtSiナノドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートにおける多段階電子注入特性広大院先端研¹，名大院工^{2 ○}池田弥央¹，中西　翔¹，森澤直也¹，川浪　彰¹，牧原克典¹，宮崎誠一²
• 3Single-Electron Trapping in Phosphorous Doped Nanoscale FETs静大電研 ^○Julicha Tarido，Earfan Hamid，Daniel Moraru，中村竜輔，三木早樹人，水野武志，田部道晴
• 4Single-Electron Charging by Extension of Dopant-Induced Quantum Dot at Interfaces under Electric Field静大電研 ^○Earfan Hamid，Juli Cha Tarido，三木早樹人，水野武志，Daniel Moraru，田部道晴
• 5Single-, Double-, and Triple-Dot Arrays in Patterned Phosphorus-Doped Nano-FETs静大電研 ^○（P）Daniel Moraru，中村竜輔，Juli Cha Tarido，水野武志，田部道晴
• 6KFM Observation of Single-Electron Filling in Individual Dopants静大電研¹，ワルサワ工業大²，NTT 物性基礎研^{3 ○（D）}Miftahul Anwar¹，Daniel Moraru¹，Maciej Ligowski^1,2，川合雄也¹，水野武志¹，Jablonski Rizard²，小野行徳³，田部道晴¹
• 7Sensitivity Enhancement of Single-Photon Detection by Channel Patterning in Phosphorus-Doped SOI-FETs静大電研 ^○（D）Arief Udhiarto，Daniel Moraru，三木早樹人，中村竜輔，Vygantas Mizeikis，水野武志，田部道晴
• 8薄層SOI-MOSFETの電流注入発光における巨大Stark効果NTT物性研 ^○登坂仁一郎，西口克彦，小野行徳，影島博之，藤原　聡