13. 半導体A（シリコン）

15a-ZD - 1〜10


• 1自立型シリコンワイヤの作製と構造評価電機大工 ^○福家　優，中路義久，安藤　光，渡辺晃次，本橋光也，本間和明
• 2スズを触媒体とするシリコンナノワイヤーの成長過程日工大¹，東京農工大・工^{2 ○}菱沼裕太¹，内山　悠²，根本勇樹²，青柳　稔¹，上迫浩一²
• 3ＶＬＳ法によるシリコンナノワイヤ成長　イールドの改善キヤノン¹，関西大^{2 ○}古藤　誠¹，石田康晴²，清水智弘²，新宮原正三²
• 4Small-diameter Ge nanowires grown at 280°C by VLS − CVDQNERC¹，Tokyo Tech.²，PREST-JST^{3 ○}Marolop Simanullang¹，宇佐美浩一¹，小寺哲夫¹，内田　建^{2, 3}，小田俊理¹
• 5シリコンナノウォールの作製と電子の透過特性II電機大工 ^○中路義久，渡辺晃次，清水文隆，仲田英起，丹羽雅昭，本橋光也
• 6ナノシリコン弾道電子エミッタの金属塩溶液中動作による薄膜堆積農工大・院・工 ^○（PC）太田敢行，Bernard Gelloz，越田信義
• 7極低濃度のHF水溶液を用いたナノ構造シリコンの形成II電機大工 ^○安藤　光，福家　優，中路義久，渡辺晃次，本橋光也，本間和明
• 8ナノポーラスシリコンへのH₂-N₂プラズマ処理電機大工 ^○渡辺晃次，安藤　光，福家　優，須田健一，仲田英起，本橋光也
• 9YSZ層上の直接堆積Si薄膜の低温結晶化におけるF+Y単分子層のパッシベイション効果北陸先端大 ^○堀田　將
• 10球殻状タンパク質を用いたSi薄膜結晶化領域の位置制御奈良先端大¹，台湾交通大²，Panasonic³，CREST^{4 ○}東條陽介¹，三浦篤志^1,2，石河泰明¹，山下一郎^1,3,4，浦岡行治^1,4
•  昼食　12:00〜13:00

15p-ZD - 1〜21

• 1MILC結晶成長の温度依存性と高速化の検討九大シ情 ^○永田　翔，中川　豪，浅野種正
• 2Al誘起層交換法によるSiGe結晶の配向成長機構九大・院システム情報¹，学振特別研究員^{2 ○}川畑直之¹，黒澤昌志^1,2，朴ジョンヒョク¹，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 3Au誘起層交換成長法による多結晶Si/絶縁膜の極低温形成(∼250^oC)九大・院システム情報¹，学振特別研究員^{2 ○}朴ジョンヒョク¹，黒澤昌志^1,2，川畑直之¹，宮尾正信¹，佐道泰造¹
• 4レイヤー・バイ・レイヤー法を用いて作製したa-Si/Au多層膜の金属誘起結晶化におけるAu膜厚依存性防大 青野祐美，滝口裕章，^○宮崎　尚，岡本庸一，守本　純，渡邉芳久
• 5レーザーを用いたSi蒸着膜の直接プリント法高知高専 ^○（B）清岡雅弘，池上　浩
• 6ポリカーボネート基板上における多結晶シリコン薄膜のレーザ波長依存性山口大院理工¹，帝人^{2 ○}河本直哉¹，今村哲也²，富澤由香²，只友一行¹，三好正毅¹
• 7グリーンレーザーアニールによる積層多結晶シリコン薄膜の形成と結晶性評価奈良先端大¹，戦略的創造研究推進事業^{2 ○}山崎浩司¹，町田絵美¹，堀田昌宏¹，石河泰明¹，浦岡行治^1,2
•  休憩　14:45〜15:00
• 8Line-Beam CLCによる2軸配向性の高いPoly-Si薄膜形成東北大院工 ^○川崎雄也，黒木伸一郎，藤井俊太郎，小谷光司
• 9連続発振レーザによるガラス基板上SiGe薄膜のフロー状成長島根大総理工¹，東北学院大工^{2 ○}広瀬研太¹，鈴木順季¹，近藤健二²，北原邦紀¹，原　明人²
• 10ブルーレーザアニールしたスパッタSi膜の特性評価琉球大 工¹，日立コンピュータ機器^{2 ○（D）}Jean De Dieu Mugiraneza¹，白井克弥¹，鈴木俊治¹，岡田竜弥¹，野口　隆¹，松島英紀²，橋本隆夫²，荻野義明²，佐保田英司²
• 11ブルーレーザアニール法を用いたSi薄膜の結晶化における膜厚効果琉球大 工¹，日立コンピュータ機器^{2 ○}岡田竜弥¹， ムジラネザ¹，白井克也¹，鈴木俊治¹，野口　隆¹，松島英紀²，橋本隆夫²，荻野義明²，佐保田英司²
• 12ブルーレーザアニール法によるSi薄膜の結晶化の走査速度依存性琉球大工¹，日立コンピュータ機器^{2 ○}白井克弥¹，ジョン　デュ ムジラネザ¹，鈴木俊治¹，岡田竜弥¹，野口　隆¹，松島英紀²，橋本隆夫²，荻野義明²，佐保田英司²
• 13BLDAによるスパッタSi薄膜の低抵抗化琉球大¹，日立コンピュータ機器^{2 ○}野口　隆¹，じぇーでぃー むぎらねーざ¹，岡田竜弥¹，白井克弥¹，鈴木俊治¹，松島英紀²，橋本隆夫²，荻野義明²，佐保田英司²
•  休憩　16:30〜16:45
• 14レーザ活性化トップゲート水素化微結晶シリコンＴＦＴ東北学院大工¹，島根大総合理工^{2 ○}原　明人¹，佐藤　旦¹，近藤健二¹，鈴木順季²，北原邦紀²
• 15135℃以下の低温プロセスによるポリカーボネート基板上へのpoly-Si TFTの作製九州大院シ情¹，山口大院理工²，帝人^{3 ○}中川　豪¹，河本直哉²，今村哲也³，富澤由香³，三好正毅²，只友一行²，浅野種正¹
• 16マイクロ熱プラズマジェット結晶化Si膜を用いたTFTの電気特性評価広大院　先端研¹，名大院工^{2 ○}林　将平¹，東清一郎¹，村上秀樹¹，宮崎誠一²
• 17マイクロ熱プラズマジェット結晶化によるSi結晶粒位置制御広大院　先端研¹，名大院工^{2 ○}林　将平¹，東清一郎¹，村上秀樹¹，宮崎誠一²
• 18三次元基板を用いた低温poly-Si TFTフラッシュメモリのチャネル層の結晶性の影響神戸高専¹，奈良先端大^{2 ○}市川和典¹，松江将博¹，赤松　浩¹，山崎浩司²，堀田昌宏²，浦岡行治²
• 19ガラス上に形成された自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFT東北学院大工¹，島根大総合理工^{2 ○}近藤健二¹，佐藤　旦¹，広瀬研太²，北原邦紀²，原　明人¹
• 20TDTFT電気伝導特性のトンネリング誘電体膜非対称性への依存性兵庫県立大¹，関西大²，広島大^{3 ○}小林孝裕¹，松尾直人¹，部家　彰¹，大村泰久²，横山　新³
• 21Cu-Mn合金配線を用いた液晶ディスプレイ用TFTの電気特性東北大工 ^○内藤まゆみ，廣田和彦，須藤祐司，小池淳一

16a-ZD - 1〜12


• 1マイクロ秒急速熱処理によるSiウェハ表面の高効率不純物活性化広大院　先端研¹，名大院工^{2 ○}松本和也¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
• 2低エネルギーイオン注入のためのレーザープラズマからの高速イオンの特性研究兵庫県立大院工¹，兵庫県立大高度研^{2 ○}関岡嗣久¹，天野　壯²，井上智章²，望月孝晏²
• 3基板バイアス印加による単一イオン個数制御性の検証早大理工¹，早大高等研²，NTT基礎研³，東北大⁴ 堀　匡寛¹，^○小松原彰¹，品田賢宏²，小野行徳³，平　圭吾¹，谷井孝至¹，遠藤哲郎⁴，大泊　巌¹
• 4Siエピタキシャル層にドープされたボロンの軟X線光電子分光東工大総理工¹，東工大フロンティア研²，高輝度光科学研究センター³，東京都市大⁴，東北大^{5 ○}田中正興¹，金原　潤¹，宮田陽平¹，角嶋邦之¹，パールハット アヘメト²，室隆桂之³，木下豊彦³，野平博司⁴，筒井一生¹，室田淳一⁵，服部健雄²，岩井　洋²
• 5グリーンレーザーアニーリングによる極浅接合形成慶大院理工¹，SEN²，住友重機械工業^{3 ○}Binti Aid Siti Rahmah¹，松本　智¹，布施玄秀²，桜木　進³
• 6SSRMを用いたスパイクアニールとレーザアニールの組み合わせによる不純物活性化の比較阪大極限センター¹，ルネサスエレクトロニクス^{2 ○}牛込直弥¹，西川和久¹，阿保　智¹，若家冨士男¹，岩松俊明²，尾田秀一²，高井幹夫¹
• 7シリコン結晶中の高濃度δドーピング層ビスマス不純物のハイブリッドレーザアニール法による活性化物材機構¹，筑波大院数物²，東大院総合³，産総研^{4 ○（D）}村田晃一^1,2，安武裕輔³，日塔光一¹，坂本邦博⁴，深津　晋³，三木一司^1,2
• 8P導入したNiGe/Geにおける電気特性と不純物プロファイルの関係MIRAI-東芝 ^○小池正浩，上牟田雄一，手塚　勉
• 9Siへのクラスターイオン注入III　 − クラスターC低温co-implantの欠陥回復への効果 −日新イオン機器 ^○鉄田　博，濱本成顕，永山　勉，酒井茂樹，丹上正安，海勢頭聖，古賀雄二，前原憲明，河村泰典，中島良樹，田中浩平，橋野義和，橋本昌大，吉見英樹，瀬崎伸一
• 10圧電性結晶振動子を用いたCVDプロセスその場観察法横国大院工 ^○小手健一，羽深　等
• 11シリコンエピタキシャル成長におけるリン・ボロンの外方拡散富士電機システムズ¹，富士電機ホールディングズ²，横国大^{3 ○}矢嶋理子¹，栗林　均¹，今井朋弘¹，遠藤孝子²，松本悟史²，羽深　等³
• 12水素脱離によるGe-pinダイオードの逆方向電流の低減東大 ^○（M2）高田陽一，鈴木亮太，朴　成鳳，大坂次郎，石川靖彦，和田一実
•  昼食　13:00〜14:00

16p-ZD - 1〜18

• 1横方向液相エピタキシャル成長によるチップサイズGOI (Ge on Insulator) の形成と高キャリヤ移動度九大・院システム情報 ^○坂根　尭，大田康晴，都甲　薫，佐道泰造，宮尾正信
• 2Ni(Ge_1-ySn_y)/Ge_1-xSn_x/Geコンタクトの形成と結晶構造評価名大院工¹，日本学術振興会² 西村剛志¹，^○中塚　理¹，志村洋介^1,2，竹内正太郎¹，Benjamin Vincent³，Andre Vantomme⁴，Johan Dekoster³，Matty Caymax³，Roger Loo³，財満鎭明¹
• 3Niナノ粒子を用いたa-Ge薄膜の低温結晶化奈良先端大¹，阪大²，Panasonic³，CREST^{4 ○}今澤孝則¹，東條陽助^1,4，上沼睦典^1,4，石河泰明^1,4，渡部平司^2,4，山下一郎^1,3,4，浦岡行治^1,4
• 4微小融液滴下による疑似エピタキシャルGe / Siの形成広大院 先端研¹，名大院工^{2 ○（M2）}松本竜弥¹，東清一郎¹，牧原克典¹，赤澤宗樹¹，宮崎誠一²
• 5CVD法による組成制御GeSbTe膜の高アスペクト比ホール埋め込み明大理工¹，気相成長²，豊田工大^{3 ○}堀池喬文¹，浜田せいち¹，澤本直美¹，町田英明²，石川真人²，大下祥雄³，小椋厚志¹
• 6ハロゲン化水素含有水素雰囲気における熱処理後のシリコン表面横国大院工 ^○西田崇之，羽深　等
• 7ハーフインチシリコンエピタキシャル成長速度計算横国大院工¹，産総研² 並木武史¹，^○鈴木奈緒子¹，羽深　等¹，池田伸一²，原　史朗²
• 8ClF₃クラスター・インジェクションによるSiエッチング（II）岩谷産業¹，京大院工^{2 ○}吉野　裕¹，妹尾武彦¹，小池国彦¹，瀬木利夫²，青木学聡²，松尾二郎²
• 9Epiウエハの非定常熱応力解析日立機械研¹，ルネサス^{2 ○}石塚典男¹，河合直行²，齋藤滋晃²，有江寛之²
•  休憩　16:15〜16:30
• 10偏光ラマン分光法による局所ひずみ軸のダイレクト評価九大・院システム情報¹，学振特別研究員^{2 ○}黒澤昌志^1,2，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 11フッ酸/硝酸/酢酸/水によるSiエッチング表面荒れのメカニズム検討東芝　生産技術センター¹，東芝　セミコンダクター社^{2 ○}秋元佳子¹，戸野谷純一¹，平林英明¹，松村　剛²，大橋裕之²，飯島　匡²
• 12SIMOX基板においてSOI層中の局所応力が捕獲中心に与える影響東洋大バイオナノ研 ^○（M2）渡邉幸俊，中島義賢，鳥谷部達，花尻達郎，菅野卓雄
• 13SIMOX基板上のGOX層における捕獲中心の評価東洋大バイオナノエレクトロニクス研究センター ^○（M1）宮澤　元，中島義賢，花尻達郎
• 14ホットプレート法による酸化Si膜のパターン形成宮崎大工 ^○伊藤拓也，末藤　豪，西岡賢祐
• 15Yb混晶化PtSiによるn-Siに対する障壁高さの低減機構東工大総理工 ^○石川純平，高　　峻，大見俊一郎
• 16極薄Hf混晶化PtSiの形成におけるHf組成依存性東工大院 ^○高　　峻，石川純平，大見俊一郎
• 17MAT-FPD；多数の微細Siチップが画素制御する超大型フレキシブルディスプレイ(5)北陸先端大 ^○陸井秀晃，三好孝典，Thi Thanh Kieu Nguyen，大平圭介，松村英樹
• 18コンプライアントバンプによるフレキシブル基板上へのLSIチップの直接実装九大¹，崇城大^{2 ○（M1）}首藤高徳¹，渡辺直也¹，池田晃裕¹，東町高雄²，浅野種正¹