
13. 半導体A(シリコン)
15a-ZD - 1〜10
- 1自立型シリコンワイヤの作製と構造評価電機大工 ○福家 優,中路義久,安藤 光,渡辺晃次,本橋光也,本間和明
- 2スズを触媒体とするシリコンナノワイヤーの成長過程日工大1,東京農工大・工2 ○菱沼裕太1,内山 悠2,根本勇樹2,青柳 稔1,上迫浩一2
- 3VLS法によるシリコンナノワイヤ成長 イールドの改善キヤノン1,関西大2 ○古藤 誠1,石田康晴2,清水智弘2,新宮原正三2
- 4Small-diameter Ge nanowires grown at 280°C by VLS − CVDQNERC1,Tokyo Tech.2,PREST-JST3 ○Marolop Simanullang1,宇佐美浩一1,小寺哲夫1,内田 建2, 3,小田俊理1
- 5シリコンナノウォールの作製と電子の透過特性II電機大工 ○中路義久,渡辺晃次,清水文隆,仲田英起,丹羽雅昭,本橋光也
- 6ナノシリコン弾道電子エミッタの金属塩溶液中動作による薄膜堆積農工大・院・工 ○(PC)太田敢行,Bernard Gelloz,越田信義
- 7極低濃度のHF水溶液を用いたナノ構造シリコンの形成II電機大工 ○安藤 光,福家 優,中路義久,渡辺晃次,本橋光也,本間和明
- 8ナノポーラスシリコンへのH2-N2プラズマ処理電機大工 ○渡辺晃次,安藤 光,福家 優,須田健一,仲田英起,本橋光也
- 9YSZ層上の直接堆積Si薄膜の低温結晶化におけるF+Y単分子層のパッシベイション効果北陸先端大 ○堀田 將
- 10球殻状タンパク質を用いたSi薄膜結晶化領域の位置制御奈良先端大1,台湾交通大2,Panasonic3,CREST4 ○東條陽介1,三浦篤志1,2,石河泰明1,山下一郎1,3,4,浦岡行治1,4
- 昼食 12:00〜13:00
15p-ZD - 1〜21
- 1MILC結晶成長の温度依存性と高速化の検討九大シ情 ○永田 翔,中川 豪,浅野種正
- 2Al誘起層交換法によるSiGe結晶の配向成長機構九大・院システム情報1,学振特別研究員2 ○川畑直之1,黒澤昌志1,2,朴ジョンヒョク1,佐道泰造1,宮尾正信1
- 3Au誘起層交換成長法による多結晶Si/絶縁膜の極低温形成(∼250oC)九大・院システム情報1,学振特別研究員2 ○朴ジョンヒョク1,黒澤昌志1,2,川畑直之1,宮尾正信1,佐道泰造1
- 4レイヤー・バイ・レイヤー法を用いて作製したa-Si/Au多層膜の金属誘起結晶化におけるAu膜厚依存性防大 青野祐美,滝口裕章,○宮崎 尚,岡本庸一,守本 純,渡邉芳久
- 5レーザーを用いたSi蒸着膜の直接プリント法高知高専 ○(B)清岡雅弘,池上 浩
- 6ポリカーボネート基板上における多結晶シリコン薄膜のレーザ波長依存性山口大院理工1,帝人2 ○河本直哉1,今村哲也2,富澤由香2,只友一行1,三好正毅1
- 7グリーンレーザーアニールによる積層多結晶シリコン薄膜の形成と結晶性評価奈良先端大1,戦略的創造研究推進事業2 ○山崎浩司1,町田絵美1,堀田昌宏1,石河泰明1,浦岡行治1,2
- 休憩 14:45〜15:00
- 8Line-Beam CLCによる2軸配向性の高いPoly-Si薄膜形成東北大院工 ○川崎雄也,黒木伸一郎,藤井俊太郎,小谷光司
- 9連続発振レーザによるガラス基板上SiGe薄膜のフロー状成長島根大総理工1,東北学院大工2 ○広瀬研太1,鈴木順季1,近藤健二2,北原邦紀1,原 明人2
- 10ブルーレーザアニールしたスパッタSi膜の特性評価琉球大 工1,日立コンピュータ機器2 ○(D)Jean De Dieu Mugiraneza1,白井克弥1,鈴木俊治1,岡田竜弥1,野口 隆1,松島英紀2,橋本隆夫2,荻野義明2,佐保田英司2
- 11ブルーレーザアニール法を用いたSi薄膜の結晶化における膜厚効果琉球大 工1,日立コンピュータ機器2 ○岡田竜弥1, ムジラネザ1,白井克也1,鈴木俊治1,野口 隆1,松島英紀2,橋本隆夫2,荻野義明2,佐保田英司2
- 12ブルーレーザアニール法によるSi薄膜の結晶化の走査速度依存性琉球大工1,日立コンピュータ機器2 ○白井克弥1,ジョン デュ ムジラネザ1,鈴木俊治1,岡田竜弥1,野口 隆1,松島英紀2,橋本隆夫2,荻野義明2,佐保田英司2
- 13BLDAによるスパッタSi薄膜の低抵抗化琉球大1,日立コンピュータ機器2 ○野口 隆1,じぇーでぃー むぎらねーざ1,岡田竜弥1,白井克弥1,鈴木俊治1,松島英紀2,橋本隆夫2,荻野義明2,佐保田英司2
- 休憩 16:30〜16:45
- 14レーザ活性化トップゲート水素化微結晶シリコンTFT東北学院大工1,島根大総合理工2 ○原 明人1,佐藤 旦1,近藤健二1,鈴木順季2,北原邦紀2
- 15135℃以下の低温プロセスによるポリカーボネート基板上へのpoly-Si TFTの作製九州大院シ情1,山口大院理工2,帝人3 ○中川 豪1,河本直哉2,今村哲也3,富澤由香3,三好正毅2,只友一行2,浅野種正1
- 16マイクロ熱プラズマジェット結晶化Si膜を用いたTFTの電気特性評価広大院 先端研1,名大院工2 ○林 将平1,東清一郎1,村上秀樹1,宮崎誠一2
- 17マイクロ熱プラズマジェット結晶化によるSi結晶粒位置制御広大院 先端研1,名大院工2 ○林 将平1,東清一郎1,村上秀樹1,宮崎誠一2
- 18三次元基板を用いた低温poly-Si TFTフラッシュメモリのチャネル層の結晶性の影響神戸高専1,奈良先端大2 ○市川和典1,松江将博1,赤松 浩1,山崎浩司2,堀田昌宏2,浦岡行治2
- 19ガラス上に形成された自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFT東北学院大工1,島根大総合理工2 ○近藤健二1,佐藤 旦1,広瀬研太2,北原邦紀2,原 明人1
- 20TDTFT電気伝導特性のトンネリング誘電体膜非対称性への依存性兵庫県立大1,関西大2,広島大3 ○小林孝裕1,松尾直人1,部家 彰1,大村泰久2,横山 新3
- 21Cu-Mn合金配線を用いた液晶ディスプレイ用TFTの電気特性東北大工 ○内藤まゆみ,廣田和彦,須藤祐司,小池淳一
16a-ZD - 1〜12
- 1マイクロ秒急速熱処理によるSiウェハ表面の高効率不純物活性化広大院 先端研1,名大院工2 ○松本和也1,東清一郎1,宮崎誠一2
- 2低エネルギーイオン注入のためのレーザープラズマからの高速イオンの特性研究兵庫県立大院工1,兵庫県立大高度研2 ○関岡嗣久1,天野 壯2,井上智章2,望月孝晏2
- 3基板バイアス印加による単一イオン個数制御性の検証早大理工1,早大高等研2,NTT基礎研3,東北大4 堀 匡寛1,○小松原彰1,品田賢宏2,小野行徳3,平 圭吾1,谷井孝至1,遠藤哲郎4,大泊 巌1
- 4Siエピタキシャル層にドープされたボロンの軟X線光電子分光東工大総理工1,東工大フロンティア研2,高輝度光科学研究センター3,東京都市大4,東北大5 ○田中正興1,金原 潤1,宮田陽平1,角嶋邦之1,パールハット アヘメト2,室隆桂之3,木下豊彦3,野平博司4,筒井一生1,室田淳一5,服部健雄2,岩井 洋2
- 5グリーンレーザーアニーリングによる極浅接合形成慶大院理工1,SEN2,住友重機械工業3 ○Binti Aid Siti Rahmah1,松本 智1,布施玄秀2,桜木 進3
- 6SSRMを用いたスパイクアニールとレーザアニールの組み合わせによる不純物活性化の比較阪大極限センター1,ルネサスエレクトロニクス2 ○牛込直弥1,西川和久1,阿保 智1,若家冨士男1,岩松俊明2,尾田秀一2,高井幹夫1
- 7シリコン結晶中の高濃度δドーピング層ビスマス不純物のハイブリッドレーザアニール法による活性化物材機構1,筑波大院数物2,東大院総合3,産総研4 ○(D)村田晃一1,2,安武裕輔3,日塔光一1,坂本邦博4,深津 晋3,三木一司1,2
- 8P導入したNiGe/Geにおける電気特性と不純物プロファイルの関係MIRAI-東芝 ○小池正浩,上牟田雄一,手塚 勉
- 9Siへのクラスターイオン注入III − クラスターC低温co-implantの欠陥回復への効果 −日新イオン機器 ○鉄田 博,濱本成顕,永山 勉,酒井茂樹,丹上正安,海勢頭聖,古賀雄二,前原憲明,河村泰典,中島良樹,田中浩平,橋野義和,橋本昌大,吉見英樹,瀬崎伸一
- 10圧電性結晶振動子を用いたCVDプロセスその場観察法横国大院工 ○小手健一,羽深 等
- 11シリコンエピタキシャル成長におけるリン・ボロンの外方拡散富士電機システムズ1,富士電機ホールディングズ2,横国大3 ○矢嶋理子1,栗林 均1,今井朋弘1,遠藤孝子2,松本悟史2,羽深 等3
- 12水素脱離によるGe-pinダイオードの逆方向電流の低減東大 ○(M2)高田陽一,鈴木亮太,朴 成鳳,大坂次郎,石川靖彦,和田一実
- 昼食 13:00〜14:00
16p-ZD - 1〜18
- 1横方向液相エピタキシャル成長によるチップサイズGOI (Ge on Insulator) の形成と高キャリヤ移動度九大・院システム情報 ○坂根 尭,大田康晴,都甲 薫,佐道泰造,宮尾正信
- 2Ni(Ge1-ySny)/Ge1-xSnx/Geコンタクトの形成と結晶構造評価名大院工1,日本学術振興会2 西村剛志1,○中塚 理1,志村洋介1,2,竹内正太郎1,Benjamin Vincent3,Andre Vantomme4,Johan Dekoster3,Matty Caymax3,Roger Loo3,財満鎭明1
- 3Niナノ粒子を用いたa-Ge薄膜の低温結晶化奈良先端大1,阪大2,Panasonic3,CREST4 ○今澤孝則1,東條陽助1,4,上沼睦典1,4,石河泰明1,4,渡部平司2,4,山下一郎1,3,4,浦岡行治1,4
- 4微小融液滴下による疑似エピタキシャルGe / Siの形成広大院 先端研1,名大院工2 ○(M2)松本竜弥1,東清一郎1,牧原克典1,赤澤宗樹1,宮崎誠一2
- 5CVD法による組成制御GeSbTe膜の高アスペクト比ホール埋め込み明大理工1,気相成長2,豊田工大3 ○堀池喬文1,浜田せいち1,澤本直美1,町田英明2,石川真人2,大下祥雄3,小椋厚志1
- 6ハロゲン化水素含有水素雰囲気における熱処理後のシリコン表面横国大院工 ○西田崇之,羽深 等
- 7ハーフインチシリコンエピタキシャル成長速度計算横国大院工1,産総研2 並木武史1,○鈴木奈緒子1,羽深 等1,池田伸一2,原 史朗2
- 8ClF3クラスター・インジェクションによるSiエッチング(II)岩谷産業1,京大院工2 ○吉野 裕1,妹尾武彦1,小池国彦1,瀬木利夫2,青木学聡2,松尾二郎2
- 9Epiウエハの非定常熱応力解析日立機械研1,ルネサス2 ○石塚典男1,河合直行2,齋藤滋晃2,有江寛之2
- 休憩 16:15〜16:30
- 10偏光ラマン分光法による局所ひずみ軸のダイレクト評価九大・院システム情報1,学振特別研究員2 ○黒澤昌志1,2,佐道泰造1,宮尾正信1
- 11フッ酸/硝酸/酢酸/水によるSiエッチング表面荒れのメカニズム検討東芝 生産技術センター1,東芝 セミコンダクター社2 ○秋元佳子1,戸野谷純一1,平林英明1,松村 剛2,大橋裕之2,飯島 匡2
- 12SIMOX基板においてSOI層中の局所応力が捕獲中心に与える影響東洋大バイオナノ研 ○(M2)渡邉幸俊,中島義賢,鳥谷部達,花尻達郎,菅野卓雄
- 13SIMOX基板上のGOX層における捕獲中心の評価東洋大バイオナノエレクトロニクス研究センター ○(M1)宮澤 元,中島義賢,花尻達郎
- 14ホットプレート法による酸化Si膜のパターン形成宮崎大工 ○伊藤拓也,末藤 豪,西岡賢祐
- 15Yb混晶化PtSiによるn-Siに対する障壁高さの低減機構東工大総理工 ○石川純平,高 峻,大見俊一郎
- 16極薄Hf混晶化PtSiの形成におけるHf組成依存性東工大院 ○高 峻,石川純平,大見俊一郎
- 17MAT-FPD;多数の微細Siチップが画素制御する超大型フレキシブルディスプレイ(5)北陸先端大 ○陸井秀晃,三好孝典,Thi Thanh Kieu Nguyen,大平圭介,松村英樹
- 18コンプライアントバンプによるフレキシブル基板上へのLSIチップの直接実装九大1,崇城大2 ○(M1)首藤高徳1,渡辺直也1,池田晃裕1,東町高雄2,浅野種正1