13. 半導体A（シリコン）

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• 1熱CVD法によるナノカーボン堆積のNi触媒依存性芝浦大工 ^○太田晴之，田中　亨，唐澤裕介，涌井太一，長瀬良二，上野和良
• 2シリコン貫通電極形成のための単層CNT成長早大理工 ^○大原一慶，落合拓海，飯塚正知，庄子習一，川原田洋
• 3デバイスウェハーを用いた極薄化技術の開発東大院工¹，富士通セミコン²，富士通研³，大日本印刷⁴，ディスコ^{5 ○}前田展秀¹，金永ソク¹，彦坂幸信²，恵下　隆²，北田秀樹¹，藤本興治¹，水島賢子³，鈴木浩助⁴，中村友二³，川合章仁⁵，荒井一尚⁵，大場隆之¹
• 4高アスペクトＴＳＶエッチングにおけるエッチングレートのアスペクト比依存性パナソニック¹，imec²，Lam assignee at imec³ 西尾太一¹，^○青井信雄¹，笹子　勝¹，久保田正文¹，Maarten Kostermans²，Mohand Brouri³，Tania Dupont²
• 5NLDを用いたTSVエッチングプロセス (II)アルバック半電研 ^○村山貴英，森川泰宏，鄒　弘綱
• 6水素を用いたシリコンのドライ放電加工東京工業高等専門学校 加島重久，園田裕次郎，^○永吉　浩
• 7無電解めっき法を用いたオールウェット高アスペクト比Cu-TSV形成関大¹，大阪府大²，情報通信研究機構^{3 ○（D）}井上史大¹，横山　巧¹，清水智弘¹，近藤和夫²，田中秀吉³，照井通文³，新宮原正三¹
• 8レーザ加工と無電解銅めっきを併用したポリイミド膜上への配線形成法千葉工大院¹，千葉工大工^{2 ○}宮原佑介¹，杉浦　修²
• 9Al電極パッド上への無電解銅めっきの検討千葉工大院¹，千葉工大工^{2 ○}山内　明¹，杉浦　修²
• 10コバルト(II)錯体を還元剤に用いた無電解銀めっき千葉工大院¹，千葉工大工² 杉浦　修²，^○（M1）草島　祥¹
• 11Ｗ触媒を用いたHラジカルの生成とSiウィスカー成長東京工業高等専門学校 ^○小島　実，福田純子，永吉　浩
• 12ALD法を用いたVN_xバリヤ膜の作製北見工大¹，気相成長²，東北大金研^{3 ○}武山真弓¹，佐藤　勝¹，須藤　弘²，町田英明²，伊藤　俊³，青柳英二³，野矢　厚¹
• 13BTS試験を用いた無電解めっきバリア膜のバリア性評価芝浦工大¹，早大^{2 ○}三ツ森章祥¹，小山郁弥¹，吉野正洋²，逢坂哲彌²，上野和良^1,2
• 14超臨界アニールによるめっき銅膜の粒成長(3) 圧力及び膜厚依存性芝浦工業大¹，KISCO^{2 ○}青木和慶¹，蓬田　茂²，松山亜紀子²，矢田隆司²，上野和良¹
• 15超臨界CO₂流体内の多孔質低誘電率薄膜の構造変化のその場分光エリプソメトリによる観測山梨大 田部井幸寛，小高和也，金　蓮花，^○近藤英一
• 16絶縁性バリア膜/Cu界面の定量的な密着性評価日産アーク ^○阿部聡子，馬場輝久，米田孝治，叶　際平
• 17シリル化剤添加による疎水性多孔質シリカ膜の作成広大RNBS¹，産総研^{2 ○（P）}茅場靖剛¹，清野　豊²，吉川公麿¹
• 18中性粒子ビームCVDによる超低誘電率SiOC膜の形成と構造制御=大口径中性粒子ビームCVDによる検討=東北大流体研¹，STARC^{2 ○}佐々木亨¹，安原重雄¹，田島邦敏²，矢野　尚²，門村新吾²，島山　努²，松永範昭²，吉丸正樹²，寒川誠二¹