13. 半導体A(シリコン)

13.3 絶縁膜技術

9月15日 9:00〜19:00  会場:薬学-ZA

15a-ZA - 1〜13

  • 1窒素プラズマ誘起固液界面反応によるHfSiON膜作製:界面SiO2との反応過程防衛大 北嶋 武,中野俊樹
  • 2ECRプラズマ窒化によるHfOxNyの作成と評価農工大 工 森近真也,鬼木悠丞,岩崎好孝,上野智雄
  • 3ECRスパッタ法により形成したHfN/HfSiON/Siの3次元構造上での評価東工大総理工 佐野貴洋,大見俊一郎
  • 4ECRスパッタ法により室温形成したHfON絶縁膜の評価東工大総理工 大西峻人,佐野貴洋,大見俊一郎
  • 5CVD法によるCeOX絶縁膜の作製と特性評価東工大フロンティア研1,東工大総理工2,産総研3 幸田みゆき1,3,小澤健児1,3,角嶋邦之2,Ahemt Parhat1,岩井 洋1,卜部友二3,安田哲二3
  • 6La(iPrCp)3を原料としたLa2O3のALD: Self-limiting成長条件の明確化東工大フロンティア研1,東工大総理工2,産総研3 小澤健児1,3,幸田みゆき1,3,角嶋邦之2,Ahmet Parhat1,岩井 洋1,卜部友二3,安田哲二3
  •  休憩 10:30〜10:45
  • 7Tm-oxide/La2O3構造ゲート絶縁膜の界面特性評価東工大フロンティア研1,東工大総理工2 金田 翼1,幸田みゆき1,角嶋邦之2,Ahmet Parhat1,筒井一生2,西山 彰2,杉井信之2,名取研二1,服部健雄1,岩井 洋1
  • 8メタル堆積+ポスト酸化によるZrO2膜の作製と界面拡散の抑制東京農工大・工 池田 諒,鬼木悠丞,岩崎好孝,上野智雄
  • 9マイクロ波リモートプラズマを用いた原子堆積法によるSi基板上へのAl2O3薄膜の作製諏訪東京理科大1,山梨大2,SST3,弘前大4 石崎博基1,飯田真正1,王谷洋平1,福田幸夫1,佐藤哲也2,高松利行3,小野俊郎4
  • 10Electrical properties of Ta1-xYxC films on Hf-based high-k as n-metal gate electrodeツラーロンコン大1,物材機構2 パティーラ ホムフォワン1,生田目俊秀2,知京豊裕2,ツウカサミッタ スカネール1
  • 11TiN/HfLaSiOゲートスタック構造の熱処理による化学状態変化東レリサーチセンター1,阪大院工学研究科2 山元隆志1, 2,小川慎吾1,有村拓晃2,佐伯雅之2,北野尚武2,細井卓治2,志村考功2,渡部平司2
  • 12プラズマ処理によりシュリンク率を抑制したSOG膜がSTIに誘起する応力の評価明大1,東京エレクトロンAT2,高輝度科学研究センター3 水上雄輝1,永田晃基1,武井宗久1,赤松弘彬1,服部真季1,小瀬村大亮1,小椋厚志1,西田辰夫2,塩澤俊彦2,片山大介2,佐藤吉宏2,廣田良浩2,小金澤智之3,町田雅武3,孫 珍永3,廣澤一郎3
  • 13SiN膜中へのガス分子の透過障壁の欠損依存性三菱電機 波光電 奥 友希,天清宗山,戸塚正裕,中野博文
  •  昼食 12:30〜13:30

15p-ZA - 1〜21

  • 1「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)
    Ge/GeO2スタックにおける高圧酸化の優位性
    東大1,JST-CREST2 李 忠賢1,2,西村知紀1,2,長汐晃輔1,2,喜多浩之1,2,鳥海 明1,2
  • 2Al2O3絶縁膜形成後のプラズマ酸化による高品質Al2O3/GeOx/Ge MOS構造の実現東大 ○(D)張  睿,岩崎敬志,田岡紀之,竹中 充,高木信一
  • 3低出力プラズマ窒化を用いたALDにおける薄膜GeO2の特性劣化の抑制東大 ○(D)張  睿,岩崎敬志,田岡紀之,竹中 充,高木信一
  • 4ラジカル窒化がGe-MOS特性に与える影響名大院工 竹内和歌奈,坂下満男,中塚 理,財満鎭明
  • 5表面窒化Ge基板の高温酸化に関する検討東京農工大工 冨田 翔,河面英夫,鬼木悠丞,岩崎好孝,上野智雄
  • 6GeO2超薄膜およびGeO2/Ge界面のナノスケール誘電特性電通大電子1,電通大先進理工2 田村雅大1,中村 淳1,2
  • 7Ge-MIS構造における界面化学結合状態の光電子分光分析広大院先端研1,名大院工2 大田晃生1,藤岡知宏1,後藤優太1,村上秀樹1,東清一郎1,宮崎誠一2
  • 8プラズマ窒化によるGeO2膜中への大気中不純物拡散の抑制TRC1,阪大院工2 小川慎吾1,山元隆志1, 2,須田泰市1,秀島伊織2,朽木克博2,細井卓治2,志村考功2,渡部平司2
  • 9Ge-MOS構造に於ける高品質界面層の形成九大総理工1,九大KASTEC2 上野隆二1,平山佳奈1,岩村義明1,吉野圭介1,楊 海貴2,王  冬2,中島 寛2
  • 10TiN/ZrSiOx/GeO2/Geゲートスタックの形成九大総理工1,九大KASTEC2 岩村義明1,平山佳奈1,上野隆二1,楊 海貴2,王  冬2,中島 寛2
  • 11ECR プラズマ法によるSiN/GeN/Ge-MIS 界面のDLTS 評価弘前大1,諏訪東京理科大2 佐藤真哉1,岩崎拓郎1,鈴木聡一郎1,小野俊郎1,福田幸夫2,岡本 浩1
  •  休憩 16:15〜16:30
  • 12角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価 II東京都市大1,Warwick大2 小松 新1,那須賢太郎1,星 裕介1,榑林 徹1,澤野憲太郎1,ミロノフ マクシム2,野平博司1,白木靖寛1
  • 13SrGeX界面層を用いたHigh-k/Ge p- & n-MISFETs東芝 研開セ 鎌田善己,池田圭司,上牟田雄一,手塚 勉
  • 14High-k/GeO2/Ge 構造におけるVFBシフトの要因東京農工大・工 鈴木祐也,河面英夫,鬼木悠丞,岩崎好孝,上野智雄
  • 15有機金属原料を用いたALDによるGe上へのTi酸化膜の形成広島大院先端研1,名大院工2 藤岡知宏1,大田晃生1,村上秀樹1,東清一郎1,宮崎誠一2
  • 16GeO2/Ge構造における界面及び表面制御による電気特性改善東京農工大 河面英夫,鈴木祐也,冨田 翔,鬼木悠丞,岩崎好孝,上野智雄
  • 17Pr酸化膜/Ge構造の界面特性に及ぼすPr酸化膜の価数の影響名大院工 加藤公彦,竹内和歌奈,近藤博基,坂下満男,中塚 理,財満鎭明
  • 18HfO2/La2O3/In0.53Ga0.47As構造の熱安定性東京都市大工1,東工大総理工2,東工大フロンティア研3 ○(M1)山下晃司1,野平博司1,角島邦之3,岩井 洋2
  • 19High-k絶縁膜材料を用いたIn0.53Ga0.47As MOSキャパシタの電気特性東工大フロンティア研1,東工大院総理工2,National Chiao Tung Univ.3 細井隆司1,神田高志1,Darius Zade1,Yueh Chin Lin3,角嶋邦之2,Parhat Ahmet1,筒井一生2,西山 彰2,杉井信之2,Edward Yi Chang3,名取研二1,服部健雄1,岩井 洋1
  • 20ALD-Al2O3/InGaAs界面形成過程のIn-Line AES評価産総研1,住友化学2,東大3 安田哲二1,卜部友二1,宮田典幸1,山田 永2,秦 雅彦2,竹中 充3,高木信一3
  • 21コンダクタンス法によるALD-Al2O3/InP界面の電気的特性評価東大院工1,産総研2,住友化学3 田岡紀之1,横山正史1,金 相賢1,星井拓也1,飯田 亮1,李 成薫1,鈴木麗菜1,卜部友二2,宮田典幸2,安田哲二2,山田 永3,福原 昇3,秦 雅彦3,竹中 充1,高木信一1

13.3 絶縁膜技術

9月16日 9:00〜18:15  会場:環境-S

16a-S - 1〜12

  • 1マルチスケールシミュレーションによるゲート酸化膜の絶縁信頼性予測東北大 坪井秀行,南雲 亮,三浦隆治,鈴木 愛,遠藤 明,畠山 望,高羽洋充,久保百司,宮本 明
  • 2第一原理分子軌道計算を用いたSi・Al化合物の絶縁破壊電界の推定慶大理工1,東京都市大工2,宇宙研3 関  洋1,渋谷寧浩2,野平博司2,小林大輔3,泰岡顕治1,廣瀬和之3
  • 3定電流ストレス印加におけるSiO2 の高温劣化特性筑波大 電子・物理工1,筑波大 TIMS2,富士電機デバイステクノロジー3 染谷 満1,蓮沼 隆1,2,荻野正明3,栗林 均3,菅原紀之3,山部紀久夫1,2
  • 4劣化したSiO2膜中欠陥のEDMR法による評価日立生研 与名本欣樹,赤松直俊
  • 5SiO2/Siにおける界面準位の酸化修復機構の解析東芝研開セ 加藤弘一,松下大介,三谷祐一郎
  • 6Suppression of Bulk Trap Generation with Partial Radical Oxidation after Nitric Oxide AnnealingHynix Semiconductor Inc. Woo Duck Jung
  • 7MONOSの書き込み特性における温度依存性の起源解析東芝 草井 悠,東 悠介,藤井章輔,藤木 潤,安田直樹,村岡浩一
  •  休憩 10:45〜11:00
  • 8Poly-Si/TiN/HfLaSiO MOSFETのデバイス性能に対するhigh-k膜中及びhigh-k/Si界面欠陥の影響阪大院工 佐伯雅之,有村拓晃,北野尚武,細井卓治,志村考功,渡部平司
  • 9Poly-Si/TiN/HfO2/SiO2ゲートファーストMOSFETにおける1/fノイズ特性の界面層厚の影響早大ナノテク研1,JST-CREST2,筑波大3 松木武雄1,2,ランガ ヘッティアーラッチ1,2,大毛利賢治1,2,山田啓作3,1,2
  • 10極薄膜HfO2におけるリーク電流増大の要因筑大電・物工1,TIMS2 菊地裕樹1,田村知大1,蓮沼 隆1,2,山部紀久夫1,2
  • 11High-kゲートスタックにおけるp-FET特有の破壊メカニズム 〜High-k膜中の水素の影響〜東芝研究開発センター1,東芝セミコンダクター者2 平野 泉1,加藤弘一1,中崎 靖1,深津茂人1,関根克行2,後藤正和2,犬宮誠治1,佐藤基之2,三谷祐一郎1
  • 12High-k絶縁膜中の欠陥生成と信頼性劣化 − HfSiO4中の格子間水素 −東芝研開セ 中崎 靖,平野 泉,加藤弘一,三谷祐一郎
  •  昼食 12:15〜13:15

16p-S - 1〜19

  • 1硝酸酸化薄膜を界面層に用いた20 nm積層型ゲート絶縁膜とサブミクロンのゲート長を持つ超低消費電力型薄膜トランジスタの特性阪大産研1,CREST-JST2,阪大院工3,シャープ4 松本健俊1,2,山田幹浩1,2,辻 博史2,3,モタハル マズンデル1,2,寺川澄雄1,2,今井繁規2,4,小林 光1,2
  • 2硝酸酸化(NAOS)法を用いた比較的厚い(〜6 nm)SiO2膜の低温創製阪大理1,科技振戦略基礎2 ○(M2)深谷洋介1,2,柳瀬 隆1,2,松本健俊1,2,小林 光1,2
  • 3〜100%硝酸蒸気で形成した極薄SiO2/Si構造の界面特性阪大産業科学研究所 金 佑柄,松本健俊,小林 光
  • 4CVD-SiO2膜のAr/O2ラジカル酸化処理による高密度化三菱電機先端総研1,東北大未来研2,ルネサスエレクトロニクス3 河瀬和雅1,寺本章伸2,梅田浩司3,諏訪智之2,上原 康1,服部健雄2,大見忠弘2
  • 5Kr/O2プラズマ酸化法によるSiO2膜へのプラズマダメージの検討東京農工大 林 美里,鬼木悠丞,岩崎好孝,上野智雄
  • 6ECRスパッタ法によるSiO2膜の作成と評価東京農工大 菊池彬人,林 美里,鬼木悠丞,岩崎好孝,上野智雄
  • 7光酸化プロセスによる酸化シリコン絶縁膜の低ダメージ成膜産総研 小笹健仁,植村 聖,末森浩司,吉田 学,星野 聰,高田徳幸,鎌田俊英
  • 8無損傷中性粒子ビーム酸化(NBO)を用いた非対称ゲート酸化膜4端子FinFETの作製東北大流体研1,産総研2 和田章良1,遠藤和彦2,昌原明植2,寒川誠二1
  • 9格子分極起因の誘電率推定法についての考察東京都市大工1,宇宙研2 渋谷寧浩1,2,小林大輔2,野平博司1,廣瀬和之2
  • 10高温短時間熱処理を用いた希土類MOSキャパシタへのTiNキャップ効果東工大フロンティア研1,東工大総理工2 来山大祐1,小柳友常1,角嶋邦之2,アヘメト パールハット1,筒井一生2,西山 彰2,杉井信之2,名取研二1,服部健雄1,岩井 洋1
  •  休憩 15:45〜16:00
  • 11TiN電極へのAl導入によるEOTの低減日立国際電気1,日立中研2,産総研NIRC3 小川有人1,板谷秀治1,堀井貞義1,三瀬信行2,堀川 剛3
  • 12低EOT領域におけるW/Laシリケート/Si MOS構造に対する希釈酸素雰囲気熱処理を用いたVFB/Vthシフトの検討東工大フロンティア研1,東工大総理工2 鈴木拓也1,川那子高暢1,角嶋邦之2,Ahmet Parhat1,筒井一生2,西山 彰2,杉井信之2,名取研二1,服部健雄1,岩井 洋1
  • 13Impact of thermal budget on La- and Al-induced dipole activation and its configuration studied by femtosecond pump/probe photoelectron spectroscopy阪大院工1,IBM T.J. Watson2,IBM Almaden3 有村拓晃1,安藤崇志2,1,Stephen Brown2,Andrew Kellock3,Alessandro Callegari2,Matthew Copel2,Richard Haight2,渡部平司1,Vijay Narayanan2
  • 14High-kゲートスタックMOSFETにおける電子移動度のリモート界面ラフネス散乱依存性東工大フロンティア研1,東工大総理工2 ○(D)買買提熱夏提買買提1,角嶋邦之22,筒井一生2,西山 彰2,杉井信之2,名取研二1,服部健雄1,岩井 洋1
  • 15真空紫外光照射によるSi/SiO2界面構造の改質電通大 山崎政宏,小泉 淳,小野 洋,内田和男,野崎眞次
  • 16ゲートスタック構造のバイアス印加HX-PES測定東芝研開セ 高石理一郎,鈴木正道,吉木昌彦,竹野史郎
  • 17光電子分光測定におけるSiO2薄膜の帯電シフトの機構産総研 ナノ電子デバイス ○(PC)大塚照久,石塚知明,葛西 彪,森田行則,秦 信宏,富江敏尚
  • 18各種ゲートメタル材料の仕事関数のEUPSによる評価産総研 ナノ電子デバイス 石塚知明,大塚照久,葛西 彪,太田裕之,富江敏尚
  • 19ゲートメタルTaNの金属性の膜厚依存の評価産総研 ナノ電子 石塚知明,大塚照久,葛西 彪,太田裕之,富江敏尚