13. 半導体A（シリコン）

14a-S - 1〜7


• 1無電解エッチングによる金属と多孔質シリコンの複合体粉末の作製群馬大院工 ^○中村俊博，ビシュヌ ティワリ，安達定雄
• 2局所陽極酸化による表面状態の改質モデル横国大院工 ^○中村賢也，柏瀬優太，荻野俊郎
• 3N-フルオロピリジニウム塩を用いたシリコンの光エッチング機構の考察阪大工院¹，ダイキン工業^{2 ○}塚本健太郎¹，打越純一¹，後藤栄晴¹，大谷真輝¹，永井隆文²，足達健二²，有馬健太¹，森田瑞穂¹
•  休憩　10:45〜11:00
• 4針電極を用いた電気化学的手法によるシリコンへの微細孔の形成阪大太陽エネルギー化学研セ¹，立命館大^{2 ○}杉田智彦¹，平井　豪²，池田　茂¹，松村道雄¹
• 5金属触媒エッチングによるシリコンウエハ内への垂直孔形成阪大太陽エネルギー化学研セ ^○巽　康司，池田　茂，松村道雄
• 6吸着金属微粒子による純水中でのGe表面の特異なエッチング特性阪大院工 ^○有馬健太，川瀬達也，西谷恵介，打越純一，森田瑞穂
• 7有機溶媒ベースのRu膜の電解エッチング阪大院工¹，STARC^{2 ○}榮　理奈¹，青木秀充¹，楊　立欣¹，吉丸正樹²，山口峰生²，菅野　至²，田中盛光²，木村千春¹
•  昼食　12:00〜13:30

14p-S - 1〜13

• 1シリコン酸化表面における金属の吸着挙動と吸着モデル栗田工業¹，東北大院工^{2 ○}中馬高明¹，川勝孝博¹，高羽洋充²，坪井秀行²，宮本　明²
• 2金属汚染除去プロセスにおける金属及び下地膜種の影響ソニーセミコンダクタ九州 ^○齋藤　卓，萩本賢哉，岩元勇人
• 3長寿命OHラジカル水によるレジスト剥離倉敷紡績技研 東　　昇，田中忠玄，塩見元信，^○清瀬浩巳
• 4半導体製造における電解硫酸法を用いたアッシングレスレジスト剥離栗田工業¹，ルネサスエレクトロニクス^{2 ○}塚本和巳¹，大津　徹¹，山川晴義¹，内田　稔¹，永井達夫¹，戸塚輝成²，瀬下　仁²
• 5枚葉式シリコンウエハ湿式洗浄機における水流の数値解析横国大院工¹，プレテック^{2 ○}大橋新太郎¹，土持鷹彬¹，羽深　等¹，木下哲男²
• 6枚葉洗浄装置におけるウェハ上の液流動挙動の数値シミュレーション大日本スクリーン製造 ^○林　真司，船吉俊充，吉田順一，安藤幸嗣，岸本卓也
•  休憩　15:00〜15:15
• 7超臨界水で酸化したSiC基板表面とその膜質評価阪大院工¹，オルガノ^{2 ○}佐藤智久¹，二ツ木高志^1,2，大江太郎²，小松直佳¹，木村千春¹，青木秀充¹
• 8有機物分子の大きさとシリコン表面における吸着量横国大院工 ^○羽深　等，内藤龍仁
• 9シリコン表面における酢酸の吸着脱離挙動解析横国大院工 ^○内藤龍仁，羽深　等
• 10H終端2x1Si(001)表面に過剰吸着したH原子の拡散過程阪大院工¹，CREST-JST^{2 ○}稲垣耕司^1,2，広瀬喜久治¹，安武　潔^1,2
• 11ハロゲン化水素水溶液に浸漬したGe(111)表面の化学構造広大先端研 ^○西山雄人，高萩隆行，鈴木　仁，坂上弘之
• 12水素終端Si(001)-2×1表面へのイオン照射過程のその場STM観察早大理工 ^○礒野文哉，神岡武文，吉田尚宏，大泊　巌，渡邉孝信
• 13金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調：泰一原理計算による化学的傾向の検討千葉大理 ^○（M2）小日向恭祐，丸田勇亮，中山隆史