13. 半導体A（シリコン）

14a-ZD - 1〜11


• 1周波数可変テラヘルツ装置を用いたシリコンウエハのキャリア濃度測定古河機械金属¹，理研仙台²，東北大院理^{3 ○}濱野哲英¹，腹子　章¹，大野誠吾^2,3，南出泰亜²，伊藤弘昌²，薄　善行¹
• 2パルスレーザーメルティング(PLM)法により作製したカルコゲン過飽和ドープSiの赤外光吸収と局所構造の相関福岡大理¹，九州シンクロトロン光研究センター²，Australian National Univ.³，U.S. Army ARDEC⁴，甲南大理⁵，Harvard Univ.^{6 ○}香野　淳¹，岡島敏浩²，田尻恭之¹，隅谷和嗣²，Supakit Charnvanichborikarn³，Jeffrey M. Warrender⁴，James S. Williams³，梅津郁朗⁵，Michael J. Aziz⁶
• 3低温における極薄SOIの発光特性筑波大院数物¹，早大ナノテクノロジー研^{2 ○}櫻井蓉子¹，白石賢二¹，大毛利健治²，山田啓作¹，野村晋太郎¹
• 4SOIデバイスの重イオン照射誘起電流抑制に関する検討日大理工¹，日本原子力研究開発機構^{2 ○（M2）}竹安秀徳¹，岡崎勇志¹，小倉俊太¹，大谷拓海¹，高橋芳浩¹，平尾敏雄²，小野田忍²，牧野高紘²，大島　武²
• 5反応性スパッタリング法で作製した窒化タンタル薄膜の諸性質明大理工 ^○田島裕章，勝俣　裕，植草新一郎
•  休憩　11:15〜11:30
• 6X線光電子分光法によるルテニウムの化学結合および電子状態評価広大院先端研¹，名大院工^{2 ○}三嶋健斗¹，大田晃生¹，後藤優太¹，藤岡知宏¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
• 7高分解能角度分解光電子分光によるSi(001)4×3-In表面近傍の電子状態奈良先端大物質創成¹，半導体理工学研究センター(STARC)^{2 ○}田畑裕貴¹，武田さくら¹，森田　誠¹，松岡弘憲¹，大門　寛¹，吉丸正樹²
• 8NiSi₂/Si接合界面近傍のSTMポテンシャル分布測定MIRAI-産総研¹，NIRC^{2 ○}西澤正泰，右田真司，レオニード ボロトフ，多田哲也，金山敏彦
• 9水素イオン注入シリコンp⁺n ダイオードの順電流熱処理愛工大¹，住重試験検査^{2 ○}中井雅文¹，徳田　豊¹，伊藤成志²，坂根　仁²
• 10電子線を照射したSiGe S/D pMOSFETの熱処理による回復特性熊本高等¹，中央電子²，IMEC^{3 ○}出本竜也¹，米岡将士¹，高倉健一郎¹，角田　功¹，大山英典¹，中島敏之²，Mireia Gonzalez³，Eddy Simoen³，Cor Claeys³
• 11３D-STEM を用いた特性差を有するデバイスの構造解析半導体先端テクノロジーズ¹，日立中研²，日立ハイテクノロジーズ^{3 ○}矢野史子¹，角村貴昭¹，山根未有希²，小野志亜之²，奥島浩久³，高口雅成²，西田彰男¹，柿林博司³，最上　徹¹，大路　譲¹
•  昼食　13:00〜14:00

14p-ZD - 1〜16

• 1レーザー3次元アトムプローブによるゲートパターンを有するMOS構造のドーパント分布解析(2)東北大金研　¹，京大工²，東芝ナノアナリシス³，MIRAI-Selete^{4 ○（D）}高見澤悠¹，井上耕治^1,2，清水康雄¹，外山　健¹，永井康介¹，岡田徳行³，加藤幹雄³，内田　博³，矢野史子⁴，角村貴昭⁴，西田彰男⁴，最上　徹⁴
• 2レーザーアトムプローブによるリン・ホウ素を同時注入した多結晶シリコンにおける不純物拡散の3次元解析東北大金研¹，京大工²，MIRAI-Selete^{3 ○（D）}高見澤悠¹，野沢康子¹，清水康雄¹，井上耕治^1,2，外山　健¹，永井康介¹，矢野史子³，角村貴昭³，西田彰男³，最上　徹³
• 3ホウ素と炭素を注入したシリコン中のレーザ３次元アトムプローブによるドーパント分布解析東北大金研¹，京大工²，東芝ナノアナリシス³，MIRAI-Selete^{4 ○}清水康雄¹，高見澤悠¹，井上耕治^1,2，外山　健¹，永井康介¹，岡田徳行³，加藤幹雄³，内田　博³，矢野史子⁴，角村貴昭⁴，西田彰男⁴，最上　徹⁴
• 4EBSP 法および超解像ラマン分光法による異方性2 次元応力の評価明大理工¹，学振特別研究員DC^{2 ○（M1）}富田基裕¹，小瀬村大亮^1,2，武井宗久¹，永田晃基¹，赤松弘彬¹，小椋厚志¹
• 5液浸ラマン分光法によるTEM 試料の応力緩和率の定量評価明大理工 ^○（D）小瀬村大亮，武井宗久，永田晃基，赤松弘彬，小椋厚志
• 6ラマン分光法によるナノ領域歪解析手法の検討明大理工¹，学振研究DC^{2 ○}武井宗久¹，赤松弘彬¹，永田晃基¹，小瀬村大亮^1,2，小椋厚志¹
• 7ラマン分光法による歪みSi基板の2軸応力解析MIRAI-NIRC, 産総研 ^○多田哲也，ウラジミール ポボロッチ，金山敏彦
•  休憩　15:45〜16:00
• 8自己整合一次元連結Si量子ドットの形成広大院先端研¹，名大院工^{2 ○}牧原克典¹，池田弥央¹，大田晃生¹，宮崎誠一²
• 9シリコンナノワイヤ中への水素導入効果筑波大院工¹，物材機構²，JSTさきがけ^{3 ○}石田慎哉¹，横野茂輝¹，滝口　亮¹，深田直樹^2,3，陣　　君²，関口隆史²，菱田俊一²，村上浩一¹
• 10SiナノワイヤへのO₂⁺イオン注入効果筑波大院工¹，物材機構²，JSTさきがけ^{3 ○}横野茂輝¹，石田慎哉¹，滝口　亮¹，深田直輝^2,3，陣　　君²，関口隆史²，菱田俊一²，村上浩一¹
• 11Siナノワイヤ中のBアクセプタ濃度分布の定量評価筑波大院工¹，物質機構²，JSTさきがけ^{3 ○}滝口　亮¹，石田慎哉¹，横野茂輝¹，深田直樹^2.3，陣　　君²，関口隆史²，菱田俊一²，村上浩一¹
• 12ノンドープ並びにPドープSiナノ結晶の光誘起ESR筑波大院 電子･物理工学¹，産総研 ナノ電子デバイス研究センター²，物材機構³，JST さきがけ^{4 ○}長橋綾子¹，内田紀行²，深田直樹^3,4，村上浩一¹
• 13Si表面近傍におけるボロンクラスタの安定位置とそのSTM像(3)東京都市大¹，日立基礎研^{2 ○}伊藤俊佑¹，丸泉琢也¹，諏訪雄二²
• 14ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討千葉大院理 ^○（M1）町田義明，五月女真一，中山隆史
• 15HfO₂中への元素添加の第一原理計算東京都市大 ^○中山利紀，丸泉琢也
• 16バンド計算による低次元シリコン伝導帯の電子運動量に関する考察立命大RINST¹，BEANS Gデバイス関西²，立命大R-GIRO^{3 ○}中村康一^1,2，杉山　進^1,2,3