12. 有機分子・バイオエレクトロニクス

14a-H - 1〜18


• 1高湿度下で安定なベンゾビスチアゾール系半導体ポリマー広大院工¹，カーネギーメロン大^{2 ○}尾坂　格¹，瀧宮和男¹，Richard Mccullough²
• 2大気中安定でフレキシブルな高移動度チアゾロチアゾールポリマーFET阪大院理¹，広大院工²，阪大産研^{3 ○}中山健吾¹，宇野真由美¹，中澤康浩¹，尾坂　格²，瀧宮和男²，竹谷純一^1,3
• 3電極/絶縁膜修飾した導電性高分子ナノファイバーFETにおけるキャリア輸送特性農工大院ＢＡＳＥ ^○三木健生，下村武史
• 4ジナフト-[2,3-b:2,3-f]-チエノ-[3,2-b]-チオフェン（DNTT）を用いた有機トランジスタの耐熱性能東大¹，マックスプランク研²，広島大³，日本化薬^{4 ○}栗原一徳¹，内山直哉¹，福田憲二郎¹，横田知之¹，関谷　毅¹，Ute Zschieschang²，Hagen Klauk²，山本達也³，瀧宮和男³，池田征明⁴，桑原博一⁴，染谷隆夫¹
• 5ホスト／ゲスト型可溶性ペリレンビスイミド材料を用いた有機FET山形大院理工¹，千葉大院工^{2 ○}丸屋侑大¹，中山健一¹，関　朋宏²，矢貝史樹²，夫　勇進¹，城戸淳二¹
• 6フッ素化DBTTF誘導体を用いた有機FET東工大院理工 ^○長久保準基，吉野剛正，柴田幸治，芦沢　実，森　健彦
• 71,4-Bis((10-((4-(3,7-dimethyloctyloxy)phenyl)ethynyl)anthracen-9-yl)ethynyl)benzene薄膜における結晶成長方向制御とキャリア輸送特性九大OPERA¹，岡山理大工²，九大CFC^{3 ○}小簑　剛¹，八尋正幸¹，折田明浩²，大寺純蔵²，安達千波矢^1,3
• 8Solution Processable Organic Single Crystals with Band-Like Transport in Field-Effect TransistorsMANA,NIMS¹，CREST,JST² 劉　　川¹，三成剛生^1,2，熊谷明哉¹，^○塚越一仁^1,2
• 9Glassy相、β相、結晶相ポリフルオレン配向膜のFET特性大阪府大院工¹，大阪府大分子電子素子研^{2 ○（D）}遠藤歳幸¹，小林隆史^1,2，永瀬　隆^1,2，内藤裕義^1,2
• 10拡張π共役フラン化合物の構造と物性富山大院理工 ^○亀山貴之，林　直人，吉野惇郎，樋口弘行
• 11電荷移動錯体を利用した有機FETの作製と評価新潟大院自然研¹，長岡高専電子制御²，新潟大超域研^{3 ○}中井健太郎¹，皆川正寛²，馬場　暁^1,3，新保一成^1,3，加藤景三^1,3，金子双男^1,3
• 12サブフェムトインクジェットによる有機トランジスタと集積回路の作製東大工¹，東大ナノ量子機構^{2 ○}横田知之¹，野口儀晃¹，関谷　毅¹，加藤祐作¹，染谷隆夫^1,2
• 13ベンゾジチオフェン系誘導体薄膜を用いた有機FET和歌山大システム工 ^○黒川　篤，西嶋健太，大須賀秀次，宇野和行，田中一郎
• 14セルフアライン法により作製した塗布型有機トランジスタのインピーダンス分光大阪府大院工¹，大阪府大エレデバイス研²，大阪府立産技総研³，大阪市工研^{4 ○（M1）}八田英之¹，宮川雄飛¹，永瀬　隆^1,2，小林隆史^1,2，村上修一³，渡辺　充⁴，松川公洋⁴，内藤裕義^1,2
• 15塗布型有機電界効果トランジスタにおけるナノ粒子分散効果大阪府大院工¹，シチズンホールディングス²，大阪府大 分子エレクトロニックデバイス研³，東大生研⁴，扶桑化学工業⁵，大阪市工研^{6 ○}吉川真史¹，山崎沙織^1,2，永瀬　隆^1,3，濱田　崇⁴，小林隆史^1,3，道脇良樹⁵，渡瀬星児⁶，渡辺　充⁶，松川公洋⁶，内藤裕義^1,3
• 16ポリイミド光配向膜上に形成したペンタセン薄膜の電界効果移動度の光照射量依存性物材機構ナノ有機 ^○上野純一，坂本謙二，三木一司
• 17自己組織化膜ゲート絶縁層を用いた溶液プロセスによる有機薄膜トランジスタ産総研光技術¹，産総研太陽光発電²，東理大理工^{3 ○}玉浦祐介^1,3，大橋　昇^1,2，近松真之¹，阿澄玲子¹，八瀬清志¹，田村雅史³
• 18Performance improvement of organic field-effect transistors utilizing HfON higk-k gate insulator東工大 ^○廖　　敏，石原　広，大見俊一郎

15a-H - 1〜11


• 1「論文奨励賞受賞記念講演」（20分）
  Very High Mobility in Solution-Processed Organic Thin-Film Transistors of Highly Ordered [1]Benzothieno[3,2-b]benzothiophene Derivatives阪大 ^○植村隆文
• 2「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  レーザー照射により帯電を緩和した角度分解紫外光電子分光〜ルブレン単結晶のHOMOバンド分散〜千葉大院融合科学¹，千葉大先進科学センター^{2 ○}町田真一¹，中山泰生²，シュテフェン デューム¹，チェン シン¹，舟越亮博¹，小川尚記¹，解良　聡¹，上野信雄¹，石井久夫^1,2
• 3大IP有機半導体材料に対する化学的キャリアドーピング千葉大院工 ^○増田将太郎，岡本樹宣，酒井正俊，工藤一浩，中村雅一
• 4フッ素置換したCN-CF₃DSB誘導体n型OTFTの長期大気安定性九工大 ^○永松秀一，蔵本晃士，足立大輔，長瀬敏也，奥　慎也，森口哲次，高嶋　授，岡内辰夫，溝口勝大，早瀬修二，金藤敬一
• 5配向ビスアゾメチン色素薄膜を用いた異方性トランジスタの光応答横浜国大¹，理研²，住友化学^{3 ○}石塚亜弥¹，青山哲也²，Jean-Charles Ribierre²，佐藤未英¹，田中利彦³，松本真哉¹
• 6チエノキノイド半導体における加熱・溶媒処理によるリバーシブルp-n変換理研¹，東理大基礎工²，横国大院環情^{3 ○}青山哲也¹，Jean-Charles Ribierre¹，中尾愛子¹，藤原　隆¹，武藤豪志¹，高石和人¹，渡邉　智²，松本睦良²，江藤亮平³，松本真哉³，井上　悟¹，村中厚哉¹，橋爪大輔¹，内山真伸¹
•  休憩　10:35〜10:50
• 7静電的および水素−フッ素間相互作用を用いた電荷輸送性材料のパッキング構造制御と薄膜FET特性東大院理¹，スタンフォード大化工^{2 ○（M2）}中原勝正¹，岡本敏宏¹，Joon-Hak Oh²，Hylke Akkerman²，Zhenan Bao²，松尾　豊¹
• 8OH基の異なるシロキサンポリマー絶縁膜によるTIPSペンタセン有機トランジスタの特性評価阪大　先端センター¹，東京応化工業^{2 ○}中西佑太¹，梶井博武¹，田村弘毅²，大森　裕¹
• 9塗布型ベンゾチエノベンゾチオフェンを用いたトップゲート型 FET大阪府大院工¹，大阪府大分子電子素子研²，広島大院工³，日本化薬⁴，九大 CFC^{5 ○（D）}遠藤歳幸¹，小林隆史^1,2，永瀬　隆^1,2，瀧宮和男³，池田征明^4,5，内藤裕義^1,2
• 10ゲート絶縁膜表面処理によるペンタセンTFTの移動度向上の起源千葉大院工¹，東工大応セラ研^{2 ○}松原亮介¹，野村俊夫¹，酒井正俊¹，工藤一浩¹，真島　豊²，中村雅一¹
• 11イオンゲルを用いた有機単結晶トランジスタ東北大理¹，早大先進²，PRESTO³，東大工⁴，CREST^{5 ○}蓬田陽平¹，竹延大志^2,3，ディー ウェン²，下谷秀和⁴，岩佐義宏^4,5
•  昼食　12:05〜13:00

15p-H - 1〜19

• 1「有機分子・バイオエレクトロニクス分科会奨励賞受賞記念講演」（30分）
  機械的特性に優れた有機トランジスタ集積回路の作製と応用東大工 ^○関谷　毅
• 2有機半導体における欠陥周囲の電子状態の計算化学的評価北大工¹，東大理^{2 ○}島田敏宏¹，大伴真名歩²，柳瀬　隆²，長谷川哲也²
• 3電荷変調反射イメージングによる有機FET動作時におけるキャリア分布評価東工大院理工 ^○（M2）川島　啓，間中孝彰，岩本光正
• 4ペンタセン電界効果トランジスタの動作状態における変位電流測定　−チャネル形成過程の観測−千葉大院融合¹，千葉大先進^{2 ○}田中有弥¹，野口　裕^1,2，石井久夫^1,2
• 5ルブレン単結晶FET界面の電荷トラップ状態のESRによる評価筑波大院数物¹，JST さきがけ²，阪大院理³，産総研⁴，名大院工⁵，早大院理工⁶，東大院工物^{7 ○（M1）}辻　大毅¹，丸本一弘^1,2，新井徳道¹，竹谷純一^3,2，下位幸弘⁴，黒田新一⁵，竹延大志^6,2，岩佐義宏⁷
• 6有機FET材料に対するESR g 値のDFT計算産総研ナノシステム¹，名大院工²，筑波大院数物³，JSTさきがけ^{4 ○}下位幸弘¹，田中久暁²，丸本一弘^3,4，黒田新一²
• 7両極性発光を利用した新しいトランジスタ特性解析東北大理¹，早大先進理工²，PRESTO³，東大工⁴，CREST^{5 ○}澤部宏輔¹，竹延大志^2,3，蓬田陽平¹，Satria Bisri¹，岩佐義宏^4,5
• 8ポリフルオレンブレンド薄膜を用いた有機電界効果トランジスタにおけるキャリア伝導と発光特性阪大　先端センター ^○小岩井恭平，梶井博武，大森　裕
•  休憩　15:15〜15:30
• 9低閾電圧ボトムコンタクト有機薄膜トランジスタの開発産総研PRI ^○山田寿一，所　和彦，長谷川達生
• 10高遮断周波数(> 10 MHz)を示すペンタセン薄膜トランジスタ東大ナノ量子機構¹，東大生研^{2 ○}北村雅季¹，荒川泰彦^1,2
• 11自己組織化単分子膜を用いた有機浮遊ゲート型メモリトランジスタの絶縁膜構造とメモリ性能東大工¹，MPI^{2 ○}中川　隆¹，関谷　毅¹，横田知之¹，竹内　健¹，Zshieschang Ute²，Klauk Hagen²，染谷隆夫¹
• 12SAM絶縁膜有機TFTとカーボンナノチューブアクチュエータ集積化による4 V駆動点字ディスプレイ東大工¹，Max Planck Inst.²，産総研³，日本化薬⁴，広島大工⁵，理研⁶，東大ナノ量子機構^{7 ○（DC）}福田憲二郎¹，栗原一徳¹，横田知之¹，関谷　毅¹，Ute Zschieschang²，Hagen Klauk²，杉野卓司³，安積欣志³，池田征明⁴，桑原博一⁴，山本達也⁵，瀧宮和男⁵，福島孝典⁶，相田卓三¹，染谷隆夫^1,7
• 13積層型構造を用いた有機デバイスの集積化千葉大院工¹，リコー先端研²，千葉大教^{3 ○}菊地幸大¹，浦　方華¹，山内　博¹，家地洋之^1.2，飯塚正明³，酒井正俊¹，中村雅一¹，工藤一浩¹
• 14縦型メタルベース有機トランジスタにおけるp型変調の観測山形大院理工 ^○（M1）秋庭涼太郎，中山健一，夫　勇進，城戸淳二
•  休憩　17:00〜17:15
• 15低分子系有機半導体材料のダブルショット・インクジェット印刷産総研光技術 ^○峯廻洋美，松井弘之，山田寿一，長谷川達生
• 16塗布プロセスにより作製したC₆₀電界効果トランジスタ東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○（D）}康　宇建^1,2，北村雅季²，荒川泰彦^1,2
• 17液晶相を有する有機半導体のナノ粒子コロイド化とOTFTの塗布作製信州大繊維¹，大日精化工業²，JSTさきがけ^{3 ○（P）}全　現九¹，小熊尚実²，平田直毅²，市川　結^1,3
• 18ジアルキルジナフトチエノチオフェンの高移動度塗布型OFETs阪大産研¹，阪大院理²，産技研³，広大院工^{4 ○}植村隆文¹，広瀬友里¹，添田淳史²，中山健吾²，中澤康浩²，李　万燕³，宇野真由美³，姜　明辰⁴，瀧宮和男⁴，竹谷純一^1,2
• 19PDMS版を用いた有機CMOSインバータの作製評価産総研光技術¹，鳥大院工^{2 ○}堀井美徳^1,2，井川光弘¹，名子屋俊介¹，陸　　明¹，近松真之¹，阿澄玲子¹，北川雅彦²，小西久俊²，八瀬清志¹

16a-H - 1〜18


• 1トップコンタクト型グラフェン電極を有する塗布型有機FET の作製と評価埼玉大院理工¹，東大院新領域²，三菱ガス化学^{3 ○}菅沼洸一¹，斉木幸一朗²，後藤拓也³，上野啓司¹
• 2全塗布形成トップゲート構造グラフェン電極有機電界効果トランジスタの作製埼玉大院理工¹，東大院新領域²，三菱ガス化学^{3 ○}渡辺俊一郎¹，菅沼洸一¹，斉木幸一朗²，後藤拓也³，上野啓司¹
• 3ボトムコンタクト型ソース・ドレイン金電極における有機半導体共蒸着の効果産総研光技術 ^○菅沼直俊，近松真之，阿澄玲子
• 4ポルフィリン自己組織化単分子膜を用いたペンタセンＴＦＴにおける接触抵抗の低減東工大応セラ¹，名大院理²，筑波大数理³，CREST-JST^{4 ○}東　康男^1,4，鈴木太陽^1,4，山田泰之^2,4，田中健太郎^2,4，金原正幸^3,4，寺西利治^3,4，真島　豊^1,4
• 5ＳＡＭ修飾によるルブレン電界効果トランジスタの接触抵抗の低減阪大産業科学研究所 ^○川口英幸，谷口正輝，川合知二
• 6有機薄膜トランジスタにおけるバイアスストレスシフトへの有機半導体/電極界面の影響NHK技研 ^○熊木大介，藤崎好英，時任静士
• 7Auナノパーティクル混合PVA層をゲート絶縁膜としたペンダセン有機トランジスタのキャリア挙動の評価東工大院¹，スロバキア科研^{2 ○（D）}李　建権¹，欧陽　威¹，マーティン ワイス²，田口　大¹，間中孝彰¹，岩本光正¹
• 8PVAゲート誘電体中のNa除去／再添加によるペンタセンFETの動作特性変調埼玉大院理工¹，東大院新領域^{2 ○（M1）}吉永裕亮¹，斉木幸一朗²，上野啓司¹
• 9チタン薄膜上への極薄絶縁膜の形成とその有機FETへの応用京大院工 ^○（M1）若月雄介，野田　啓，松重和美
• 10有機トランジスタのガス応答：移動度・閾値での評価豊田中研 ^○森　朋彦，菊澤良弘，野田浩司
• 11高移動度有機トランジスタ材料の孤立分子および薄膜のESR 解析住化分析センター¹，産総研光技術²，東大新領域³，広大工^{4 ○}高橋永次^1,2，松井弘之^2.3，瀧宮和男⁴，長谷川達生²
• 12ポリマーTFTにおける材料構造由来の動作不安定化要因の解析産総研 ^○末森浩司，谷口弥鈴，植村　聖，吉田　学，星野　聰，高田徳幸，小笹健仁，鎌田俊英
• 13in-situ電界効果熱刺激電流法を用いたペンタセンTFTにおける界面準位密度分布評価（２）千葉大院工 藤井孝博，国吉繁一，酒井正俊，工藤一浩，^○中村雅一
• 14ペンタセン薄膜における揺らぎに起因した多形選択：MD計算による解析産総研¹，日立ケンブリッジ研^{2 ○}米谷　慎¹，川崎昌宏²，安藤正彦²
• 15SHG-CMSイメージングによる有機FETチャネル間の移動度マッピング東工大院理工 ^○間中孝彰，川島　啓，田中康之，岩本光正
• 16アゾ化合物層を有するペンタセントランジスタのヒステリシス現象立命館大理工 ^○（M1）大倉丈弘，川口竜彦，藤枝一郎
• 17有機電界効果トランジスタの接触抵抗解析大阪府立大院工¹，大阪府大　分子エレクトロニックデバイス研^{2 ○}西上修平¹，永瀬　隆^1,2，小林隆史^1,2，内藤裕義^1,2
• 18ペンタセン電界効果トランジスタのHall効果測定阪大産研¹，阪大院理^{2 ○}植村隆文¹，山岸正和²，添田淳史²，高槻有一²，岡田悠悟²，中澤康浩²，竹谷純一^1,2