10. スピントロニクス・マグネティクス

10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

9月14日　会場：全新-J
ショートプレゼンテーション（5分）9:00〜11:45
ポスター掲示時間13:00〜15:00

14a-J - 1〜28

  • 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）（ポスターなし）
    n型GaAsにおけるスピンホール効果の光学的評価    東北大通研 ○松坂俊一郎，大野裕三，大野英男
  • 2磁気光学効果の局所検出による(Ga,Mn)As細線の90度磁化スイッチII東工大・像情報 ○中原大輔，青山　淳，須田慶太，小林　暁，宗片比呂夫
  • 3(Ga,Mn)Asドットの磁気異方性と磁化反転東工大1，東工大2，東工大3 ○木村浩樹1，北本仁孝2，宗片比呂夫3
  • 4Fe/(Ga,Mn)As接合におけるダンピング定数の磁場依存性東工大像情報 ○小林　暁，須田慶太，宗片比呂夫
  • 5MnAs/(Ga,Mn)As接合における磁化スイッチの特異な挙動東工大・像情報 ○（M2）土井崇成，小林　暁，宗片比呂夫
  • 6単一障壁（Ga,Mn)As MTJへのスピン注入による多値スイッチング東工大1，東工大量エレ研2 ○井上雄太1，山口　武2，吉野淳二1
  • 7GaMnAs表面層における量子準位の形成と価電子帯構造東大院工 ○大矢　忍，高田健太，田中雅明
  • 8ナノカラム構造を有するGe1-xMnx薄膜の磁気抵抗東大工 ○（PC）矢田慎介，岡崎亮平，田中雅明
  • 9Ce添加に伴うSi:Ce薄膜の表面平坦化大阪府大院工 ○（D）進藤大輔，櫻井周作，高田浩史，藤村紀文
  • 10Si:Ceへの電界効果応用に向けた有機強誘電体PVDF-TeFEの誘電特性評価大阪府大院工 ○（M1）高田浩史，櫻井周作，進藤大輔，吉村　武，藤村紀文
  • 11Feドープクラスレート化合物Ba6Fe1GaxGe24-xの合成と磁気特性山口大院理工 ○嶋田拓磨，石田貴一，小柳　剛，浅田裕法，岸本堅剛
  • 12マグネトロンスパッタ法による遷移金属ドープBa8Ga16Ge30クラスレート薄膜の作製山口大院理工 ○岡　晃功，財満　修，岸本堅剛，浅田裕法，小柳　剛
  •  休憩　10:10〜10:25
  • 13GaAs量子井戸構造を用いたスピン注入円偏光発光とスピン依存光電流東工大1，名大2，JSTさきがけ3 ○（DC）和田詠史1，白幡泰浩1，内藤朋之1，伊藤　満1，山口雅史2，谷山智康1,3
  • 14室温におけるGaAs(110)量子井戸中の電子スピン緩和時間の電場制御奈良先端大物質 ○揖場　聡，黄　晋二，河口仁司
  • 15n-(110)GaAs単一量子井戸中における四重極分裂幅のゲート電圧依存性東北大通研 ○（D）小野真証，佐藤源輝，石原　淳，松坂俊一郎，大野裕三，大野英男
  • 16GaAs量子井戸における核スピン四重極分裂幅とコヒーレンス時間の磁場依存性東北大通研 ○（M1）石原　淳，小野真証，佐藤源輝，松坂俊一郎，大野裕三，大野英男
  • 17InGaAs量子井戸におけるスピン緩和の量子井戸幅依存性東北大工1，JST-さきがけ2 ○国橋要司1，好田　誠1,2，新田淳作1
  • 18低温(10-100 K)におけるGaInNAs/GaNAs/GaAs量子井戸のスピン緩和早大理工1，LPN-CNRS, France2，SINANO-CAS3 ○牛見健則1，浅見健志1，中田大海1，Lianhe Li2，Jean Harmand2，Shulong Lu3，竹内　淳1
  • 19希薄磁性半導体のスピン光スイッチ特性北大院情報科学1，JST-CREST2 ○山崎達誌郎1，田村宣裕1，木場隆之1,2，村山明宏1,2
  • 20半導体量子ドットにおけるスピン注入ダイナミクスのバリア膜厚依存性北大院情報科学1，JST-CREST2 ○田村宣裕1，山崎達誌郎1，木場隆之1,2，村山明宏1,2
  • 21Electrical spin injection and trials for observation of spin Hall effects in all semiconductor lateral structuresUni Regensburg1，東北大工2，ETH　Zurich3 ○塩貝純一1,2，Mariusz Ciorga1，Cheng Song1，Dieter Schuh1，Werner Wegscheider1,3，好田　誠2，新田淳作2，Dieter Weiss1
  • 22InGaAs 2DEG量子ポイントコンタクトによるスピン偏極生成東北大院工1，JST-さきがけ2，ソニー3 ○好田　誠1,2，小林俊之3，新田淳作1
  • 23ニッケル/単一分子/ニッケル接合における磁気抵抗効果阪大基礎工 ○野口元輝，山田　亮，多田博一
  • 24磁気円二色性によるC60-Co化合物 / Ni積層薄膜の界面磁気状態分光原研先端基礎1，北大2，物材機構3，東北大金研4，分子研5 ○松本吉弘1，圓谷志郎1，島田敏宏2，楢本　洋1，三谷誠司3，高梨弘毅1,4，横山利彦5，境　誠司1
  • 256H-SiC(0001)基板の熱処理によるグラフェン薄膜の作製東北大院工1，東北大WPI2，東北大院理3 ○舟橋　聡1，永沼　博1，大兼幹彦1，安藤康夫1，野内　亮2，谷垣勝己2,3
  • 26平面型スピンバルブ素子におけるLa1-xSrxMnO3電極の結晶磁気異方性東大院理1，KAST2，北大院工3，東洋大バイオナノ研4 ○（M1）重松　圭1，近松　彰1，廣瀬　靖1,2，島田敏宏3，和田恭雄4，長谷川哲也1,2
  • 27微小角入射X線回折法を用いたスピンFETデバイスの薄膜単結晶構造評価九工大1，北陸先端大2 ○椎葉　圭1，江藤　崇1，山田省二2，鈴木芳文1，近浦吉則1
  • 28金属原子の電子スピンに対するトルクの理論的研究京大工 ○瀬波大土，原　誉明，立花明知