10. スピントロニクス・マグネティクス

14a-F - 1〜11


• 1強磁性/半金属Fe₂VAl/強磁性 接合における磁気抵抗効果の中間層膜厚依存性東北大WPI機構¹，東北大院工^{2 ○（P）}窪田崇秀¹，大兼幹彦²，水上成美¹，永沼　博²，安藤康夫²，宮崎照宣¹
• 2High tunnel magnetoresistance of up to 450% at room temperature in epitaxial magnetic tunnel junctions with a Heusler-alloy spin source and a MgO barrier北大 ^○（D）劉　宏喜，平　智幸，本田佑輔，松田健一，植村哲也，山本眞史
• 3ハーフメタルFe₂CrSi/MgAl₂O₄接合のヘテロエピタキシーとトンネル磁気抵抗効果名大工 ^○藤田裕人，真利研一郎，深谷直人，宮脇哲也，植田研二，浅野秀文
• 4GaO_x障壁層を有する磁気トンネル接合の作製と評価産総研¹，東邦大理^{2 ○}齋藤秀和¹，峰野裕輔^1,2，湯浅新治¹，安藤功兒¹
• 5Co₂Fe(Al_0.5Si_0.5)/MgO/GaAsを有する強磁性トンネル接合における磁気抵抗効果東北大工 ^○手束展規，斉藤達哉，杉本　諭
•  休憩　10:15〜10:30
• 6CIP-GMRのトレーニング効果にみられる電気磁気効果東北大工 ^○（M1）下村直樹，澤田和也，土井正晶，佐橋政司
• 7C₆₀-Coナノコンポジットにおけるクーロンブロッケード閾値電圧近傍の超巨大磁気抵抗阪大基礎工¹，JSTさきがけ^{2 ○}阪井裕孝¹，塩見元輝¹，田村英一¹，仕幸英治¹，野崎隆行¹，白石誠司^1,2，鈴木義茂¹
• 8グラフェン接合におけるディラック点を介したコンダクタンスと磁気抵抗効果関大先端¹，名大工²，関大システム理工^{3 ○（P）}本多周太¹，山村彰紀²，井上順一郎²，伊藤博介³
• 9単一MnAs微粒子における長いスピン緩和時間東大工学系研究科 ^○Namhai Pham，大矢　忍，田中雅明
• 10GaN(0001)基板上に形成したFe クラスターの電流磁気効果阪大産研 古屋貴明，市原寛也，別府亜由美，米岡　賢，^○長谷川繁彦，朝日　一
• 11電界によるスピン制御：鉄ナノクラスター表面における磁気電気結合千葉大融合¹，KIT物理²，MPIハレ³，オークリッジ国研⁴，マーティンルター大^{5 ○}山田豊和^1,2，L. Gerhard²，T. Balashov²，R.J.H. Wesselink²，M. Daene^3,4，M. Fechner³，S. Ostanin³，A. Ernst³，I. Mertig^3,5，W. Wulfhekel²
•  昼食　12:00〜13:00

14p-F - 1〜15

• 1CoFeBにおける磁気異方性電界変調に及ぼすアニールの影響東北大通研¹，東北大CSIS^{2 ○}金井　駿¹，遠藤将起¹，池田正二^1,2，松倉文礼^1,2，大野英男^1,2
• 2Cu(100)単結晶上に作製した交互積層FeNi多層膜の磁気異方性高エ研物構研¹，JST-CREST^{2 ○}雨宮健太^1,2，酒巻真粧子¹
• 3SrTiO₃(001)基板上に作製したエピタキシャルFe₄N薄膜のXMCD測定筑波大院¹，広島大院²，産総研^{3 ○}伊藤啓太¹，叶　　茂²，鈴野光史¹，原田一範¹，李　根衡¹，末益　崇¹，木村昭夫²，秋永広幸³
• 4MnSb結晶薄膜における磁気異方性の温度依存性東工大・像情報 ^○（M2）吉田大祐，半那　拓，西沢　望，宗片比呂夫
• 5アンドレーエフ反射によるRu系ホイスラー合金のスピン分極率測定鹿児島大理工 ^○重田　出，村山　治，久松　徹，伊藤昌和，廣井政彦
• 6ホイスラー合金における磁気緩和の温度依存性東北大院工¹，東北大WPI^{2 ○}大兼幹彦¹，窪田崇秀²，水上成美²，永沼　博¹，安藤康夫¹
• 7RTAによるフルホイスラー合金Co₂FeGe薄膜のエピタキシャル形成東工大院像情報¹，東大院電気系²，科技機構CREST^{3 ○}櫻井卓也¹，高村陽太¹，中根了昌²，周藤悠介¹，菅原　聡^1,3
• 8L1₀-MnAl垂直磁化膜の作製東北大院工¹，東北大WPI^{2 ○}細田真樹¹，窪田崇秀²，大兼幹彦¹，水上成美²，永沼　博¹，安藤康夫¹
•  休憩　15:00〜15:15
• 9様々な条件下でのグラファイト上Co薄膜成長の観察大阪大基礎工¹，JSTさきがけ^{2 ○}吉國翔太¹，関　剛斎¹，仕幸英治¹，野崎隆行^1,2，新庄輝也¹，鈴木義茂¹，白石誠司^1,2
• 10二元化合物CrTeのCdTe(001)上へのMBE成長と結晶構造解析筑波大数理物質¹，物材機構^{2 ○}西尾陽太郎¹，石川弘一郎¹，金澤　研¹，黒田眞司¹，三留正則²，板東義雄²
• 11対向スパッタ法によりMgO(100)基板へ作製したFe₃O₄エピタキシャル薄膜の評価東北大院工 ^○常木澄人，大兼幹彦，永沼　博，安藤康夫
• 12SrTiO₃(100)基板上へのマルチフェロイック Bi(Fe_0.9Co_0.1)O₃エピタキシャル膜の作製東北大 ^○Husne Begum，永沼　博，大兼幹彦，安藤康夫
• 13新奇磁性酸化物Al置換型ε-Fe₂O₃のミリ波吸収特性東大院理¹，東大物性研^{2 ○}生井飛鳥¹，中嶋　誠²，末元　徹²，大越慎一¹
• 14GdFeフェリ磁性薄膜における磁化の光誘起歳差運動の熱的効果東工大像情報¹，NHK技研^{2 ○}西林一彦¹，須田慶太¹，久我　淳²，橋本佑介²，宗片比呂夫¹
• 15磁性体中空球の孤立状態形成と伝導特性情報通信研 未来ICT¹，大府大院工²，名大院理^{3 ○}照井通文¹，永瀬　隆²，上田里永子¹，叶　全林³，吉川浩史³，阿波賀邦夫³

15a-F - 1〜8


• 1(Zn,Cr)Te におけるアクセプターのドーピングによる強磁性抑制の効果筑波大数理物質 ^○張　　珂，及川晴義，石川弘一郎，黒田眞司
• 2抵抗極プロットを用いた(Ga,Mn)AsにおけるSOI有効磁界の検出東北大通研¹，東北大CSIS^{2 ○}遠藤将起¹，松倉文礼^1,2，大野英男^1,2
• 3GaCrNの室温成長とその評価阪大産研 Penghang Fan，^○周　逸凱，東晃太郎，長谷川繁彦，朝日　一
• 4希土類窒化物半導体GdNの強磁性相転移に伴うバンド端構造変化神戸大院工¹，神戸大分子フォト^{2 ○}吉富大明¹，來山真也¹，喜多　隆¹，藤澤真士²，太田　仁²
• 5GaGdN/AlGaN多重量子井戸超格子構造の物性評価阪大産研 ^○周　逸凱，Mohamed Almokhtar，江村修一，長谷川繁彦，朝日　一
• 6Fe₃Si/Si接合の電子状態関大シス理工¹，JST-CREST²，関大先端^{3 ○}伊藤博介^1,2，本多周太^2,3
• 7ディスクリートSi接合型電界効果トランジスタにおける磁気抵抗の変調制御東京農工大院工 ^○西村信也，Rizal Zaharuddin，桑原洋介，白樫淳一
• 8ディスクリートSiバイポーラトランジスタにおける磁気抵抗効果の観測東京農工大院工 ^○西村信也，Rizal Zaharuddin，桑原洋介，白樫淳一