9. 応用物性

16p-ZT - 1〜18


• 1Ge蒸着によってSi-SiO₂界面に形成されるナノギャップのSTM観察京大 ^○黒川　修，太田　靖，酒井　明
• 2単接合型Auナノギャップ電極における抵抗スイッチング特性京大院工¹，京大SACI²，産総研^{3 ○}石田大貴¹，韓　智元¹，宮戸祐治¹，小林　圭²，松重和美¹，清水哲夫³，内藤泰久³，山田啓文¹
• 3AFM/KFMによる単接合型Ptナノギャップスイッチの構造変化/表面電位観察京大院工¹，京大SACI²，産総研^{3 ○}韓　智元¹，石田大貴¹，宮戸祐治¹，小林　圭²，松重和美¹，漬水哲夫³，内藤泰久³，山田啓文¹
• 4走査型プローブ顕微鏡を用いたナノギャップスイッチ効果の観察II産総研ナノシステム ^○内藤泰久，堀川昌代
• 5ナノギャップ抵抗スイッチングへの直列抵抗添加の効果産総研ナノシステム¹，船井電機新応用技研^{2 ○}Somu Kumaragurubaran¹，清水哲夫¹，菅　洋志¹，内藤泰久¹，高橋　剛²，増田雄一郎²，角谷　透²，古田成生²，小野雅敏²
• 6銅ナノギャップ電極を用いた抵抗スイッチ効果産総研ナノシステム ^○（P）菅　洋志，堀川昌代，Kumaragurubaran Somu，清水哲夫，内藤泰久
• 7絶縁破壊により形成された微細導通経路における抵抗揺らぎ特性関大工 ^○下村耕平，塩谷裕一，新宮原正三，清水智弘
• 8光励起移動型デバイスの入力信号タイミング依存性NICT¹，東大工^{2 ○}成瀬　誠^1,2，フェルディナンド ペパー¹，赤羽浩一¹，山本直克¹，川添　忠²，竪　直也²，大津元一²
• 9結合ナノ機械共振器における結合振動の圧電制御ＮＴＴ物性基礎研¹，台湾交通大² 岡本　創¹，張　家源^1,2，小野満恒二¹，張　　翼²，^○山口浩司¹
•  休憩　15:45〜16:00
• 10制御電流注入型サブミクロンAl接合SQUIDの試作とループインダクタンス評価電通大 ^○（M2）菊池健人，守屋雅隆，島田　宏，水柿義直
• 11通電断線法によるAl系超伝導トンネル接合の作製東大生研・ナノ量子機構¹，CREST-JST^{2 ○（D）}吉田健治¹，梅野顕憲¹，坂田修一¹，平川一彦^1,2
• 12エレクトロマイグレーションを用いた金のナノギャップ作製北大院情報科学 ^○村上暢介，有田正志，高橋庸夫
• 13電界放射電流誘起型EMでのナノギャップ狭窄化における消費電力の検討東京農工大院工 ^○滝谷和聡，上野俊介，渡邉敬登，白樫淳一
• 14電界放射電流誘起型EMにおける通電手法と原子移動機構の関係東京農工大院工 ^○滝谷和聡，上野俊介，渡邉敬登，白樫淳一
• 15電界放射電流誘起型EMによる強磁性ナノ構造の新規な作製手法の検討東京農工大院工 ^○渡邉敬登，上野俊介，滝谷和聡，須田隆太郎，白樫淳一
• 16電界放射電流誘起型EMによる単電子トランジスタの集積化と特性制御東京農工大院工 ^○伊藤光樹，上野俊介，滝谷和聡，渡邉敬登，白樫淳一
• 17パッシベーション処理をした金属細線チャネルのエレクトロマイグレーション過程における発熱分布の可視化東京農工大院工 ^○桑原洋介，西村信也，Rizal Zaharuddin，白樫淳一
• 18分割型電圧フィードバックEMでのナノチャネル狭窄過程における消費電力の検討東京農工大院工 ^○厚母息吹，安武龍太朗，渡邉敬登，白樫淳一

17a-ZT - 1〜11


• 1ゲート容量の異なるトリプルドット単電子デバイスの動作解析立命館大工 ^○森口慎一，森安瑠維，今井　茂
• 2ヒステリシス・オフ電流・駆動電圧が小さいボディバイアス急峻特性ＭＯＳNTT物性研 ^○西口克彦，藤原　聡
• 3In-Plane Gateデバイスにおける電気特性の構造依存性早大理工¹，NTT BRL^{2 ○}小松崎優治¹，京極智輝¹，小野満恒二²，堀越佳治¹
• 4SiN_x絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETの雑音特性北大院情報科学、量集センター¹，JSTさきがけ^{2 ○}村松　徹¹，三浦健輔¹，葛西誠也^1,2
• 5GaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音の構造サイズ依存性北大院情報科学および量集センター¹，JSTさきがけ^{2 ○}三浦健輔¹，白鳥悠太¹，葛西誠也^1,2
•  休憩　10:15〜10:30
• 6NiOナノ構造体を用いた不揮発性メモリ効果の局所現象解析阪大・産研¹，JSTさきがけ²，建国大^{3 ○}岡　敬祐¹，柳田　剛^1,2，長島一樹¹，Klamchuen Annop¹，川合知二^1,3，Kim Jin-Soo³，Park Bae Ho³
• 7コバルト酸化物ナノ構造体を用いた不揮発性メモリ現象における酸化還元反応の決定的な役割阪大産研¹，JSTさきがけ²，建国大^{3 ○}長島一樹¹，柳田　剛^1,2，岡　敬祐¹，Annop Klamchuen¹，金井真樹¹，Jin-Soo Kim³，Bae Ho Park³，川合知二^1,3
• 8単一フラーレン分子トランジスタにおけるフランク・コンドンブロッケードの観測東大生研、東大ナノ量子機構¹，JST-CREST^{2 ○（D）}坂田修一^1,2，梅野顕憲^1,2，吉田健治^1,2，平川一彦^1,2
• 9自己組織化により構築された中空巨大球状分子を用いた単一分子接合東大生研¹，東大ナノ量子機構²，東大院工応用化学専攻³，CREST-JST^{4 ○}梅野顕憲^1,2,4，佐藤宗太^3,4，吉田健治^1,2,4，坂田修一^1,2,4，藤田　誠^3,4，平川一彦^1,2,4
• 10単一ポルフィリン分子における走査型トンネル顕微鏡によるメモリ効果の常温観察東工大応セラ¹，名大²，CREST-JST^{3 ○}加納伸也^1,3，皆川慶嘉^1,3，山田泰之^2,3，田中健太郎^2,3，真島　豊^1,3
• 11自己停止機能を用いた4nmに高精度制御されたナノギャップ電極の作製東工大¹，筑波大²，CREST-JST Japan^{3 ○}ビクトル セルディオ^1,3，村木太郎^1,3，加納伸也^1,3，東　康男^1,3，金原正幸^2,3，寺西利治^2,3，真島　豊^1,3
•  昼食　12:00〜13:00

17p-ZT - 1〜8

• 1分流抵抗器付きゲートを有する単一電子トランジスタでの間欠振動現象に関する数値計算電通大 ^○水柿義直
• 2カーボンナノチューブ電界効果トランジスタの溶液中での確率共鳴現象阪大産研 ^○袴田靖文，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦
• 3酸化バナジウム薄膜の非線形電気応答を利用した確率共鳴素子のマルチチャンネル特性評価阪大産研¹，群馬大院工^{2 ○}神吉輝夫¹，堀田育志¹，浅川直紀²，川合知二¹，田中秀和¹
• 4しきい値分散ナノワイヤFETネットワークにおける確率共鳴北大情報科学¹，北大量子集積センター²，JSTさきがけ^{3 ○}葛西誠也^1,2,3，白鳥悠太^1,2，三浦健輔^1,2，中野雄紀^1,2
• 5単電子箱対回路における確率共鳴現象横国大院工 ^○大矢剛嗣
• 6単電子確率共鳴回路の熱耐性評価横国大院工 ^○（M2）黒瀧　大，大矢剛嗣
• 7熱雑音を利用する単電子多数決論理回路横国大院工 ^○（M1）伊藤武範，大矢剛嗣
• 8単電子粘菌デバイスの創成横国大院工 ^○（M1）新出由弥，大矢剛嗣