8. プラズマエレクトロニクス

16a-ZA - 1〜11


• 1CO⁺イオンによるPt,CoおよびPtCoエッチング反応阪大院工原子分子センター ^○唐橋一浩，伊藤智子，浜口智志
• 2磁気トンネル接合素子のアルコール系プラズマエッチングにおけるダメージ深さNECグリーン研 ^○木下啓藏，末光克巳，大嶋則和，石綿延行，杉林直彦
• 3SF₆/O₂プラズマを用いたSiエッチング機構名大院工¹，JST-CREST²，東芝^{3 ○}尼崎新平¹，竹内拓也¹，竹田圭吾^1,2，石川健治¹，近藤博基¹，関根　誠^1,2，堀　　勝^1,2，櫻井典子³，林　久貴³，酒井伊都子³，大岩徳久³
• 4古典的分子動力学シミュレーションを用いた塩素・臭素系プラズマによるSiエッチングの反応解析：表面反応層及びエッチング生成物京大院工 ^○谷口　健，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
• 53次元原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状進展シミュレーション: 表面ラフネスの構造解析京大院工 ^○津田博隆，宮田浩貴，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
• 6フーリエ変換赤外吸収分光法を用いたCl₂プラズマによるSiエッチングにおける表面および気相の反応解析京大院工 ^○宮田浩貴，津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
•  休憩　11:30〜11:45
• 7Radical Transport Simulation under Roof on Substrate in Processing Plasma名大¹，ワルシャワ工科大²，Institute of Electron Technology^{3 ○（DC）}アルカディウス マリノフスキ^1,2,3，堀　　勝¹，関根　誠¹，石川健治¹，近藤博基¹，山本　洋¹，竹内拓也¹，鈴木俊哉¹，宮脇雄大¹，リディア ルカシャック²，アンジェイ ヤクボフスキ²，ダニエル トマシェフスキ³
• 8プラズマプロセスにおけるSi基板ダメージ層形成モデルの提案京大院工 ^○江利口浩二，中久保義則，松田朝彦，鷹尾祥典，斧　高一
• 9分子動力学法によるプラズマ誘起ダメージ予測：イオンエネルギー分布の影響京大院工 ^○（D）松田朝彦，中久保義則，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
• 10Hを含むプラズマによるSi基板ダメージの構造解析（II）ソニー¹，京大院工^{2 ○}深沢正永¹，中久保義則²，松田朝彦²，鷹尾祥典²，江利口浩二²，斧　高一²，南　正樹¹，上澤史且¹，辰巳哲也¹
• 11ＶＨＦ-ＣＣＰを用いたＴＳＶエッチングプロセス[II]アルバック ^○吉居　学，森川泰宏，鄒　弘綱
•  昼食　13:00〜14:00

16p-ZA - 1〜13

• 1C₃F₆O代替ガスを用いた絶縁膜の高速エッチングとその機構解明名大院工¹，JST-CREST²，旭硝子^{3 ○}近藤祐介¹，宮脇雄大¹，竹田圭吾^1,2，石川健治¹，近藤博基¹，林　俊雄¹，関根　誠^1,2，岡本秀一³，堀　　勝^1,2
• 2ラジカルが発生し易いエッチングガスと分子構造名大¹，アルバック^{2 ○}林　俊雄¹，石川健治¹，関根　誠¹，堀　　勝¹，河野明廣¹，鄒　弘綱²
• 3CH_xF_y⁺イオンエッチングにおける水素の効果大阪大工¹，ソニー^{2 ○（D）}伊藤智子¹，唐橋一浩¹，深沢正永²，辰巳哲也²，浜口　聡¹
• 4フルオロカーボンプラズマビームによるフォトレジスト表面改質層の解析名大院工¹，JST-CREST²，東京エレクトロン^{3 ○}竹内拓也¹，尼崎新平¹，竹田圭吾¹，石川健治¹，近藤博基¹，豊田浩孝¹，関根　誠^1,2，堀　　勝^1,2，康　松潤³，沢田郁夫³
• 5ガスデザインに基づいたSiO₂膜エッチングとその機構解明（III）名大院工¹，日本ゼオン²，ＪＳＴ-ＣＲＥＳＴ^{3 ○}宮脇雄大¹，近藤祐介¹，竹田圭吾^1,3，伊東安曇²，松本裕一²，近藤博基¹，石川健治¹，関根　誠^1,3，堀　　勝^1,3
• 6C₅HF₇/O₂/ArプラズマによるArFレジスト表面ラフネス発生抑制機構名大¹，日本ゼオン^{2 ○}山本　洋¹，宮脇雄大¹，竹田圭吾¹，石川健治¹，近藤博基¹，関根　誠¹，堀　　勝¹，伊東安曇²，松本裕一²
•  休憩　15:30〜15:45
• 7プラズマエッチングにおけるArF レジストLine-Edge-Roughness (LER)発生状態のラクトン構造依存性東北大流体研¹，三菱レイヨン^{2 ○}上杉拓志¹，小山紘司¹，陣内佛霖¹，前田晋一²，加藤圭輔²，安田　敦²，百瀬　陽²，寒川誠二¹
• 8サブナノメーター形状揺らぎ制御有機膜エッチングのための主要因子の解明名大院工¹，JST-CREST^{2 ○（M2）}鈴木俊哉¹，竹田圭吾^1,2，近藤博基¹，石川健治¹，関根　誠^1,2，堀　　勝^1,2
• 9二周波容量結合型エッチングプラズマにおける上部電極へのDCバイアス印加効果(III)名大院工¹，JST-CREST²，東京エレクトロンAT^{3 ○}山口　剛¹，竹田圭吾^1,2，輿水地塩³，近藤博基¹，石川健治¹，関根　誠^1,2，堀　　勝^1,2
• 10プラズマエッチング中のチャージング機構の解析慶応義塾大¹，ソニー^{2 ○}八木澤卓¹，辰巳哲也²，真壁利明¹
• 11処理室表面上Ti系堆積物のエッチングプロセスへの影響日立製作所　中央研究所 ^○廣田侯然
• 12O₂プラズマ曝露によるポーラスSiOCH 膜へのダメージ発生メカニズム名大工¹，JST-CREST^{2 ○（B）}浅野高平¹，山本　洋¹，竹田圭吾^1,2，石川健治¹，近藤博基¹，関根　誠^1,2，堀　　勝^1,2
• 13リアルタイム電子スピン共鳴によるプラズマ誘起表面反応の解析名大院工¹，金沢工大²，JST-CREST^{3 ○}鷲見直也¹，石川健冶¹，河野昭彦²，堀邊英夫²，竹田圭吾¹，近藤博基¹，関根　誠^1,3，堀　　勝^1,3

17a-ZA - 1〜12


• 1NF₃およびNF₃/Ar混合ガスプラズマを用いた4H-SiC表面平滑化同志社大院工¹，東洋炭素^{2 ○（M2）}古高佑季¹，東城哲朗²，稲葉　稔¹，田坂明政¹
• 2高精度Cl2プラズマビームを用いたGaNエッチング表面反応の解明名大工¹，JST-CREST²，名工大³，阪大院工^{4 ○}米谷亮祐¹，陳　　尚¹，竹田圭吾^1,2，石川健治¹，近藤博基¹，関根　誠^1,2，江川孝志³，節原裕一⁴，天野　浩¹，堀　　勝¹
• 3プラズマによるGaNエッチング損傷と反応機構の解析名大工¹，NUエコ・エンジニアリング²，愛知工大³，JST-CREST⁴，阪大院工⁵，名工大工^{6 ○（DC）}陳　　尚¹，米谷亮祐¹，竹田圭吾¹，石川健治¹，近藤博基¹，加納浩之²，徳田　豊³，関根　誠^1,4，節原裕一⁵，江川孝志⁶，天野　浩¹，堀　　勝^1,4
• 4GaNの容量結合型RFヘリウムプラズマエッチダメージ徳島大院工¹，兵庫県大高度研²，日亜化学^{3 ○}川上烈生¹，新部正人²，武市　敦¹，稲岡　武¹，富永喜久雄¹，向井孝志³
• 5Ar, KrおよびXeガスを用いてＲＦプラズマエッチングしたn-GaN結晶の表面分析兵庫県大高度研¹，徳島大院工²，日亜化学^{3 ○}新部正人¹，前田佳恵¹，川上烈生²，稲岡　武²，富永喜久雄²，向井孝志³
• 6電子ビーム励起プラズマを用いた中性粒子ビーム源の開発産総研¹，理研²，豊工大^{3 ○（PC）}原　安寛¹，浜垣　学²，三瀬孝也²，原　民夫³
•  休憩　10:30〜10:45
• 7フッ素中性粒子ビームによるシリコンエッチング(2)BEANS¹，東京大²，東北大^{3 ○}久保田智広^1,2，額賀　理¹，植木真治¹，杉山正和^1,2，大竹浩人³，寒川誠二^1,3
• 8モンテカルロ法を用いた中性粒子ビームのエネルギー・角度分布解析みずほ情報総研¹，BEANSプロジェクト 3D BEANSセンター²，東大³，東北大^{4 ○}大塚晋吾¹，渡辺尚喜¹，岩崎拓也¹，小野耕平¹，入江康郎²，額賀　理²，植木真治²，久保田智広^2,3，杉山正和^2,3，寒川誠二^2,4
• 9沿面放電による太陽電池用電極溝作製技術の開発宮崎大 ^○（M1）有村拓也，水本貴之，迫田達也
• 10構造を有するアンテナキャビティを用いたプラズマ分布制御神戸大院工 ^○辻　晃弘，八坂保能，橘堂貴則
• 11プラズマ分布制御のための新シミュレーション手法神戸大院工 ^○辻　晃弘，八坂保能
• 12誘導結合型プラズマ中の窒化ガリウム膜に対する高エネルギー電子の照射効果中部大 ^○中村圭二，郭　　穎，高　軍思，中野由崇，菅井秀郎