8. プラズマエレクトロニクス

8.4 プラズマエッチング

9月16日 10:00〜17:30  会場:薬学-ZA

16a-ZA - 1〜11

  • 1CO+イオンによるPt,CoおよびPtCoエッチング反応阪大院工原子分子センター 唐橋一浩,伊藤智子,浜口智志
  • 2磁気トンネル接合素子のアルコール系プラズマエッチングにおけるダメージ深さNECグリーン研 木下啓藏,末光克巳,大嶋則和,石綿延行,杉林直彦
  • 3SF6/O2プラズマを用いたSiエッチング機構名大院工1,JST-CREST2,東芝3 尼崎新平1,竹内拓也1,竹田圭吾1,2,石川健治1,近藤博基1,関根 誠1,2,堀  勝1,2,櫻井典子3,林 久貴3,酒井伊都子3,大岩徳久3
  • 4古典的分子動力学シミュレーションを用いた塩素・臭素系プラズマによるSiエッチングの反応解析:表面反応層及びエッチング生成物京大院工 谷口 健,鷹尾祥典,江利口浩二,斧 高一
  • 53次元原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状進展シミュレーション: 表面ラフネスの構造解析京大院工 津田博隆,宮田浩貴,鷹尾祥典,江利口浩二,斧 高一
  • 6フーリエ変換赤外吸収分光法を用いたCl2プラズマによるSiエッチングにおける表面および気相の反応解析京大院工 宮田浩貴,津田博隆,鷹尾祥典,江利口浩二,斧 高一
  •  休憩 11:30〜11:45
  • 7Radical Transport Simulation under Roof on Substrate in Processing Plasma名大1,ワルシャワ工科大2,Institute of Electron Technology3 ○(DC)アルカディウス マリノフスキ1,2,3,堀  勝1,関根 誠1,石川健治1,近藤博基1,山本 洋1,竹内拓也1,鈴木俊哉1,宮脇雄大1,リディア ルカシャック2,アンジェイ ヤクボフスキ2,ダニエル トマシェフスキ3
  • 8プラズマプロセスにおけるSi基板ダメージ層形成モデルの提案京大院工 江利口浩二,中久保義則,松田朝彦,鷹尾祥典,斧 高一
  • 9分子動力学法によるプラズマ誘起ダメージ予測:イオンエネルギー分布の影響京大院工 ○(D)松田朝彦,中久保義則,鷹尾祥典,江利口浩二,斧 高一
  • 10Hを含むプラズマによるSi基板ダメージの構造解析(II)ソニー1,京大院工2 深沢正永1,中久保義則2,松田朝彦2,鷹尾祥典2,江利口浩二2,斧 高一2,南 正樹1,上澤史且1,辰巳哲也1
  • 11VHF-CCPを用いたTSVエッチングプロセス[II]アルバック 吉居 学,森川泰宏,鄒 弘綱
  •  昼食 13:00〜14:00

16p-ZA - 1〜13

  • 1C3F6O代替ガスを用いた絶縁膜の高速エッチングとその機構解明名大院工1,JST-CREST2,旭硝子3 近藤祐介1,宮脇雄大1,竹田圭吾1,2,石川健治1,近藤博基1,林 俊雄1,関根 誠1,2,岡本秀一3,堀  勝1,2
  • 2ラジカルが発生し易いエッチングガスと分子構造名大1,アルバック2 林 俊雄1,石川健治1,関根 誠1,堀  勝1,河野明廣1,鄒 弘綱2
  • 3CHxFy+イオンエッチングにおける水素の効果大阪大工1,ソニー2 ○(D)伊藤智子1,唐橋一浩1,深沢正永2,辰巳哲也2,浜口 聡1
  • 4フルオロカーボンプラズマビームによるフォトレジスト表面改質層の解析名大院工1,JST-CREST2,東京エレクトロン3 竹内拓也1,尼崎新平1,竹田圭吾1,石川健治1,近藤博基1,豊田浩孝1,関根 誠1,2,堀  勝1,2,康 松潤3,沢田郁夫3
  • 5ガスデザインに基づいたSiO2膜エッチングとその機構解明(III)名大院工1,日本ゼオン2,JST-CREST3 宮脇雄大1,近藤祐介1,竹田圭吾1,3,伊東安曇2,松本裕一2,近藤博基1,石川健治1,関根 誠1,3,堀  勝1,3
  • 6C5HF7/O2/ArプラズマによるArFレジスト表面ラフネス発生抑制機構名大1,日本ゼオン2 山本 洋1,宮脇雄大1,竹田圭吾1,石川健治1,近藤博基1,関根 誠1,堀  勝1,伊東安曇2,松本裕一2
  •  休憩 15:30〜15:45
  • 7プラズマエッチングにおけるArF レジストLine-Edge-Roughness (LER)発生状態のラクトン構造依存性東北大流体研1,三菱レイヨン2 上杉拓志1,小山紘司1,陣内佛霖1,前田晋一2,加藤圭輔2,安田 敦2,百瀬 陽2,寒川誠二1
  • 8サブナノメーター形状揺らぎ制御有機膜エッチングのための主要因子の解明名大院工1,JST-CREST2 ○(M2)鈴木俊哉1,竹田圭吾1,2,近藤博基1,石川健治1,関根 誠1,2,堀  勝1,2
  • 9二周波容量結合型エッチングプラズマにおける上部電極へのDCバイアス印加効果(III)名大院工1,JST-CREST2,東京エレクトロンAT3 山口 剛1,竹田圭吾1,2,輿水地塩3,近藤博基1,石川健治1,関根 誠1,2,堀  勝1,2
  • 10プラズマエッチング中のチャージング機構の解析慶応義塾大1,ソニー2 八木澤卓1,辰巳哲也2,真壁利明1
  • 11処理室表面上Ti系堆積物のエッチングプロセスへの影響日立製作所 中央研究所 廣田侯然
  • 12O2プラズマ曝露によるポーラスSiOCH 膜へのダメージ発生メカニズム名大工1,JST-CREST2 ○(B)浅野高平1,山本 洋1,竹田圭吾1,2,石川健治1,近藤博基1,関根 誠1,2,堀  勝1,2
  • 13リアルタイム電子スピン共鳴によるプラズマ誘起表面反応の解析名大院工1,金沢工大2,JST-CREST3 鷲見直也1,石川健冶1,河野昭彦2,堀邊英夫2,竹田圭吾1,近藤博基1,関根 誠1,3,堀  勝1,3

8.4 プラズマエッチング

9月17日 9:00〜12:15  会場:薬学-ZA

17a-ZA - 1〜12

  • 1NF3およびNF3/Ar混合ガスプラズマを用いた4H-SiC表面平滑化同志社大院工1,東洋炭素2 ○(M2)古高佑季1,東城哲朗2,稲葉 稔1,田坂明政1
  • 2高精度Cl2プラズマビームを用いたGaNエッチング表面反応の解明名大工1,JST-CREST2,名工大3,阪大院工4 米谷亮祐1,陳  尚1,竹田圭吾1,2,石川健治1,近藤博基1,関根 誠1,2,江川孝志3,節原裕一4,天野 浩1,堀  勝1
  • 3プラズマによるGaNエッチング損傷と反応機構の解析名大工1,NUエコ・エンジニアリング2,愛知工大3,JST-CREST4,阪大院工5,名工大工6 ○(DC)陳  尚1,米谷亮祐1,竹田圭吾1,石川健治1,近藤博基1,加納浩之2,徳田 豊3,関根 誠1,4,節原裕一5,江川孝志6,天野 浩1,堀  勝1,4
  • 4GaNの容量結合型RFヘリウムプラズマエッチダメージ徳島大院工1,兵庫県大高度研2,日亜化学3 川上烈生1,新部正人2,武市 敦1,稲岡 武1,富永喜久雄1,向井孝志3
  • 5Ar, KrおよびXeガスを用いてRFプラズマエッチングしたn-GaN結晶の表面分析兵庫県大高度研1,徳島大院工2,日亜化学3 新部正人1,前田佳恵1,川上烈生2,稲岡 武2,富永喜久雄2,向井孝志3
  • 6電子ビーム励起プラズマを用いた中性粒子ビーム源の開発産総研1,理研2,豊工大3 ○(PC)原 安寛1,浜垣 学2,三瀬孝也2,原 民夫3
  •  休憩 10:30〜10:45
  • 7フッ素中性粒子ビームによるシリコンエッチング(2)BEANS1,東京大2,東北大3 久保田智広1,2,額賀 理1,植木真治1,杉山正和1,2,大竹浩人3,寒川誠二1,3
  • 8モンテカルロ法を用いた中性粒子ビームのエネルギー・角度分布解析みずほ情報総研1,BEANSプロジェクト 3D BEANSセンター2,東大3,東北大4 大塚晋吾1,渡辺尚喜1,岩崎拓也1,小野耕平1,入江康郎2,額賀 理2,植木真治2,久保田智広2,3,杉山正和2,3,寒川誠二2,4
  • 9沿面放電による太陽電池用電極溝作製技術の開発宮崎大 ○(M1)有村拓也,水本貴之,迫田達也
  • 10構造を有するアンテナキャビティを用いたプラズマ分布制御神戸大院工 辻 晃弘,八坂保能,橘堂貴則
  • 11プラズマ分布制御のための新シミュレーション手法神戸大院工 辻 晃弘,八坂保能
  • 12誘導結合型プラズマ中の窒化ガリウム膜に対する高エネルギー電子の照射効果中部大 中村圭二,郭  穎,高 軍思,中野由崇,菅井秀郎