7. ビーム応用

7.7 微小電子源

9月14日　9:30〜16:15　　会場：工学1-ZW

14a-ZW - 1〜11

  • 1陰極先端に被覆したＣｓ３Ｓｂからの光電子放出物質・材料研究機構1，テラベース2，自然科学研究機構3 ○木本高義1，新井善博2，永山國昭3
  • 2Nd:YLFレーザー誘起LiNbO3結晶からの電子放出とX線発生大阪大極限センター ○加賀英一，木佐俊哉，阿保　智，若家冨士男，高井幹夫
  • 3AlGaAs中間層の導入による透過型GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極フォトカソードの高量子効率化名大院工1，名大エコトピア2，名大院理3 ○市橋史朗1，金　秀光1，桑原真人2，山本尚人1，前多悠也1，橋本和弥1，渕　真悟1，奥見正治3，宇治原徹1，中西　彊3，竹田美和1
  • 4単結晶マグネタイトウィスカーからの電界放出電子の偏極度の全方向成分測定三重大院工1，三重大極限ナノエレセ2，静大電研3 ○永井滋一1,2，岩田達夫2，畑　浩一1,2，岡田守弘3，三村秀典3
  • 5マグネタイトウィスカーからの電界放出電子の高分解能エネルギー分析三重大院工1，三重大極限ナノエレセ2，静大電研3 ○榊原大雄1，永井滋一1,2，畑　浩一1,2，岩田達夫2，岡田守弘3，三村秀典3
  • 6２次電子像による顕微X線励起１次電子ビームの光軸調整三重大院工1，三重大極限ナノエレセ2，浜松ホトニクス3 ○前田達也1，畑　浩一1,2，永井滋一1,2，藪下綾介3，岡田知幸3
  •  休憩　11:00〜11:15
  • 7熱電界前処理によるBlunt W tip先端上Nano-Pyramid形成支援：電界放出特性と原子構造評価　(I)名城大理工 ○六田英治，中川達裕，橋本　剛，村田英一，藤田　真，下山　宏
  • 8レニウムタングステン合金針からの電界電子放出早大理工 ○伊藤　亘，中島　恵，大島忠平
  • 9単原子電子源における水の影響早大理工1，ホロン2 ○藤原和人1，赤嶺雄太1，米澤　彬2，大島忠平1
  • 10電界誘起水エッチングにより作製したタングステン微小電子源九大総理工1，九大先導研2 ○（DC）小野田穣1，水野清義1，吾郷浩樹2
  • 11熱電界放出されたLaB6電子源の電流安定性評価名城大理工 ○椿　大輔，古橋直也，村田英一，六田英治，下山　宏
  •  昼食　12:30〜13:30

14p-ZW - 1〜10

  • 1Development of Carbon Nanostructures based Transparent and Flexible Field Electron Emitters名工大1，マレーシア工大2，明大3 ○ごしゅ ぷらでぃっぷ1，Zamri Mohd1,2，佐藤俊作1，Subramanian Munisamy1，林　　灯1，林　靖彦1，Miura Nobura3，種村眞幸1
  • 2大面積CNT冷陰極を用いた低エネルギー電子源の研究阪大極限センター1，日新イオン機器2 ○真鍋知弥1，趙　維江1,2，滝川友章1，阿保　智1，若家冨士男1，高井幹夫1
  • 3窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイの動作特性と仕事関数の温度依存性京大・院工 ○後藤康仁，遠藤恵介，池田啓太，大上　航，辻　博司
  • 4窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイを用いた真空トランジスタの高温下における増幅特性京大院工 ○大上　航，池田啓太，遠藤恵介，後藤康仁，辻　博司
  • 5窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイを用いた真空トランジスタの開発京大院工 ○池田啓太，大上　航，遠藤恵介，後藤康仁，辻　博司
  • 6転写モールド法を用いた導電性セラミックエミッタの微小化静岡大電子研 ○鈴木謙太，文　宗鉉，中本正幸
  •  休憩　15:00〜15:15
  • 7直立薄膜電子源アレイと薄膜トランジスタの一体化産総研 ○吉田知也，西　　孝，長尾昌善，清水貴思，金丸正剛
  • 8サプレッサを有する新構造２段型FEAの電子放射角狭小化の評価静大電研1，産総研2，名城大3 ○高木康男1，小池昭史1，藤野高弘1，根尾陽一郎1，青木　徹1，長尾昌善2，吉田知也2，村田英一3，酒井健太郎3
  • 9n型多孔質Si断面電子放出素子の製作の検討沖縄高専 儀間弘樹，○比嘉勝也
  • 10nc-Si MOS冷陰極の光照射特性八戸工大1，静大電研2，阪大極限センター3 ○嶋脇秀隆1，根尾陽一郎2，三村秀典2，若家冨士男3，高井幹夫3