6. 薄膜・表面

6.5 表面物理・真空

9月16日 9:30〜18:00  会場:教育-NF

16a-NF - 1〜10

  • 1「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)
    SnO2-TiO2バイメタル酸化物表面のESD過程とSnの選択還元
    東工大応セラ研 小室雄太郎,松本祐司
  • 2パターン膜/Si二層基板上のAlおよびCu薄膜の密着性評価足利工業大1,早稲田大ナノテクノロジー研究所2 塚本雄二1,齋藤美紀子2
  • 3ナノチャネルヘテロエピタキシーによるSi基板上への薄膜成長東大院新領域1,東大院工2,阪大3 市川昌和1,三羽貴文2,村山昭之2,中村芳明3
  • 4極薄Si 酸化膜を用いたSi(111)基板上超高密度鉄系ナノドットの形成阪大院基礎工 浜中啓伸,中村芳明,田中一樹,吉川 純,酒井 朗
  • 5シリコン基板上ホール配列の高温アニールによる形態変化の初期構造依存性富士電機ホールディングス1,富士電機システムズ2,阪大産研3,科学技術振興機構4 蛭田玲子1,栗林 均2須藤孝一3,清水了典4
  •  休憩 10:45〜11:00
  • 6光電子分光で観た酸素分子線照射量に依存したSi(111)-7×7のレストアトム強度の変化とSTM像との対応日本原子力研究開発機構 吉越章隆,寺岡有殿
  • 7Si高指数面におけるリアルタイム光電子分光計測横国大工1,原子力機構2,産総研3 大野真也1,井上 慧1,森本真弘1,新江定憲1,豊島弘明1,吉越章隆2,寺岡有殿2,尾形祥一1,安田哲二3,田中正俊1
  • 8SiO2/Si(100)界面のSi-O-Si伸縮振動:深さ方向の不均一性産総研 中村 健,黒河 明,野中秀彦,一村信吾
  • 9フッ素樹脂容器内の水に浸漬した熱酸化SiO2薄膜の膜厚変化産総研 尾高憲二,東 康史,張ルウルウ,藤本俊幸,黒河 明
  • 10Si(111)√3 x √3R30°-B表面における水素吸着東工大総理工 青木悠樹,平山博之
  •  昼食 12:15〜13:30

16p-NF - 1〜17

  • 1パルス電子線照射法を用いた帯電過渡解析日立ハイテクノロジーズ1,日立中研2 望月 譲1,小山 光2,牧野浩士2,木村嘉伸2
  • 2熱プロセスで作製した酸化マグネシウム薄膜の特性評価II龍谷大 中村裕亮,山本伸一
  • 3MgO薄膜の表面状態におけるSiドーピングの影響(II)阪大院工1,パナソニック2 深田 睦1,西谷幹彦1,2,寺内正治1,2,森田幸弘1,2,倉敷哲生1
  • 4Metastable De-excitation Spectroscopyを用いたプラズマディスプレイパネル用保護膜の分析 (II) −CO2暴露がMgO及びCaO膜のMDSスペクトルへ与える影響−阪大1,パナソニック2,物質・材料研究機構3 吉野恭平1,2,森田幸弘1,2,西谷幹彦1,2,寺内正治1,2,辻田卓司1,2,中山貴仁2,山内康弘2,永富隆清1,高井義造1,山内 泰3
  • 5ダイヤモンドの初期成長過程と特異な電子像−CVD-FIM観察長崎総合科学大 吉田昌平,篠崎翔一,奥野公夫
  • 6X線光電子分光Depth ProfileによるGaAs/AlAs超格子の電子状態の研究香川大教育1,香川大工2 高橋尚志1,金家弘枝1,穴吹佑太1,戎 麻里2,小坂実佳子2,杉山紀朗2,宮川勇人2,小柴 俊2
  • 7金属ナノ構造中の局在表面プラズモンに関する量子論II東大院新領域 市川昌和
  • 8高温超伝導体をプローブとしたReRAM 動作機構の解明鳥取大工1,TEDREC2 福原貴博1,木下健太郎1,2,花田明紘1,松原勝彦1,岸田 悟1,2
  • 9ペロブスカイト酸化物系ReRAMの抵抗変化機構鳥取大工1,TEDREC2 花田明紘1,木下健太郎1,2,松原勝彦1,福原貴博1,岸田 悟1,2
  •  休憩 15:45〜16:00
  • 10顕微高分解能二次元光電子分光器の開発奈良先端大物質創成1,SPring-8/JASR2 橋本美絵1,松田博之1,後藤謙太郎1,野尻秀夫1,酒井智香子1,松井文彦1,松下智裕2,大門 寛1
  • 11高輝度・高偏極度SPLEEMによる垂直磁気異方性薄膜形成過程の観察阪電通大エレ研1,IACS2,アリゾナ州立大3 鈴木雅彦1,橋本道廣1安江常夫1,Dev B.N.2,Bauer E.3,越川孝範1
  • 12一般の反射則に対する分子流対称性判定条件アルバック 楠本淑郎
  • 13気体中の振動子による圧力・粘性の同時計測産総研1,バキュームプロダクツ2,ブイピイアイ3 黒河 明1,北條久男2,小林太吉3
  • 14アイランド端の効果を取り入れたスーパーセルモデルによるRHEEDロッキング曲線の計算山梨大教育 長島礼人
  • 15時間分解反射高速電子回折法の開発東北大多元研 佐藤和義,虻川匡司
  • 16CAICISSによるGaN(1010)表面構造の解析阪大院工1,兵庫県立大院工2 梅本智司1,安留和哉1,請川紘嗣1,今出 完1,吉村政志1,北岡康夫1,森 勇介1,久保 等1,田畑博史1,本多信一2,片山光弘1
  • 17GaN(0001)基板表面清浄化手法阪大院工1,奈良先端大物質創成2 服部 梓1,遠藤勝義1,服部 賢2,大門 寛2

6.5 表面物理・真空

9月17日 9:30〜12:30  会場:教育-NF

17a-NF - 1〜11

  • 1Siクラスターにおける原子配置の熱揺らぎが及ぼすバンドギャップの温度依存性〜タイトバインディング法を用いた解析〜富士通1,富士通研2 高井健太郎1,高橋憲彦2,池田 稔2,山崎隆浩1,2,金田千穂子1,2
  • 2触媒表面におけるNO分子還元特性に関する理論的解析阪大院工 岸 浩史,アラン パダマ,笠井秀明
  • 3SiGe/Si表面の酸化反応機構(1):GeO2形成の温度依存東北大1,原研2,秋田高専3 穂積英彬1,小川修一1,吉越章隆2,石塚眞治3,寺岡有殿2,高桑雄二1
  • 4Au(111)表面上のドナーおよびアクセプタ分子のdI/dV分光測定阪大基礎工1,オハイオ大物2 ○(DC)三島良太1,Perera U.G.E.2,Hla Saw-Wai2,夛田博一1
  • 5MoS2表面硫黄原子空孔の電子状態物材機構1,CNRS2 児玉奈木沙1,長谷川剛1,大川祐司1,鶴岡 徹1,Joachim Christian1,2,青野正和1
  • 6Cr2O3(0001)表面における水分子の第一原理解析富山大総合情報基盤センター1,富山大理工2 布村紀男1,砂田 聡2
  •  休憩 11:00〜11:15
  • 7Ag(111)表面上のBi吸着ストライプ構造東工大・総理工 加藤千明,青木悠樹,平山博之
  • 8Si(111)-7×7表面上におけるピロールの吸着様式静大電研 ○(M1)太田圭輔,下村 勝
  • 9Si(001)-2x1表面上における金属と分子の共吸着II静岡大電研 ○(M2)國原千裕,下村 勝
  • 10有機単分子層によるアルミニウム表面の酸化防止理研1,東大生研2,東大新領域3 山田太郎1,野村周平2,川合眞紀3
  • 11Au(111) 表面のherringbone構造に沿って配列したTris(porphyrinato)cerium(III)のネットワーク阪大産研1,九大院工2,物材機構3 田中裕行1,池田朋宏2,山下耕生2,竹内正之3,新海征治2,川合知二1