6. 薄膜・表面

14a-NE - 1〜11


• 1酸素欠陥型CaWO₄の物性と光触媒活性電通大 ^○（M2）太田　淳，チャオキョン チュウ，永井　豊，田中勝己
• 2酸化タングステンナノ粒子の表面状態と光触媒性能東芝生産技術センター¹，東芝マテリアル^{2 ○}徳野陽子¹，山辺純成¹，佐々木亮人²，牧野伸顕¹
• 3Bi系複合酸化物の作製と光触媒評価電気通信大電気通信学研究科電子工学専攻 ^○戸水謙治，永井　豊，Choo C.K.，田中勝己
• 4光触媒ナノ粒子を用いたリソグラフィプロセスの開発大阪府立高専¹，長宗産業^{2 ○（B）}竹本絵理¹，前田篤志¹，原田雅夫²，長宗知哉²，長宗　宏²
• 5酸化物ナノアイランドの光触媒特性香川高等専門学校 ^○桟敷　剛，黒田真美，岡野　寛
• 6シリコン基板上に成長した酸素欠損MgO薄膜神奈川県産技セ¹，茨城大工²，東工大総理工^{3 ○}金子　智^1,3，永野隆敏²，秋山賢輔¹，伊藤　健¹，安井　学¹，曽我雅康¹，平林康男¹，舟窪　浩³，吉本　護³
•  休憩　10:30〜10:45
• 7塗布熱分解法によるエピタキシャル酸化物薄膜の結晶成長 II龍谷大¹，兵庫工技セ²，タテホ化学工業^{3 ○}大橋義信¹，吉岡秀樹²，清川敏夫³，山本伸一¹
• 8PDP用MgO保護膜におけるトラップ充填過程のVUV照射時間依存性広島大院先端研 ^○末貞和真，宮本真太郎，梶山博司
• 9AC-PDPの保護膜からの電子放出の測定広島大院先端研 ^○宮本真太郎，末貞和真，淡路則之，梶山博司
• 10Dion-Jacobson 型層状酸化物薄膜の合成と化学置換効果京大化研¹，Univ. New Orleans^{2 ○}市川能也¹，島川祐一¹²
• 11RF リアクティブスパッタ法によるNiO 薄膜の成長とNiO 系太陽電池の試作東理大理工¹，東北大多元研^{2 ○}石田　淳¹，工藤　遥¹，村田芳綱¹，秩父重英²，杉山　睦¹
•  昼食　12:00〜13:00

14p-NE - 1〜19

• 1分子プレカーサー法によるp型酸化銅(I)透明薄膜の形成工学院大 ^○鈴木達也，永井裕己，望月千尋，原　広樹，鷹野一朗，本田　徹，佐藤光史
• 2Li:MgO の伝導特性東工大応セラ研¹，東工大フロンティア²，科技機構 さきがけ³ 高木裕紀¹，松崎功佑¹，林　克郎¹，細野秀雄^1,2，^○須崎友文^1,3
• 3陽極酸化アルミナの深さ方向成分分析物質・材料研究機構 ^○（PC）原田善之，児子精祐，李　政祐，加藤誠一，中野嘉博，北澤英明，木戸義勇
• 4スパッタWO₃薄膜のエレクトロクロミック特性評価名古屋工大 ^○辻　和弥，島田　賢，猪子絵梨，山内　翔，市川　洋
• 5イオンドープWO₃薄膜のエレクトロクロミック特性評価名古屋工大 ^○島田　賢，辻　和弥，猪子絵梨，市川　洋
• 6斜方晶RMnO₃単結晶薄膜におけるマルチフェロイック特性理研 CMRG&CERG¹，ERATO-MF²，東大工³，東北大WPI材料機構^{4 ○（PC）}中村優男¹，徳永祐介²，Jong Seok Lee³，川崎雅司^1,4，十倉好紀^1,2,3
• 7極薄Ｍｎ酸化物多層構造の輸送特性で見る強相関界面の電子状態富士電機ホールディングス¹，東大先端研²，JST-CREST^{3 ○}荻本泰史^1,2,3，小川直毅^2,3，宮野健次郎^2,3
• 8SHGと磁気・輸送特性で見たMn酸化物極薄膜の軌道秩序東大先端研¹，JST-CREST²，富士電機ホールディングス^{3 ○}小川直毅^1,2，荻本泰史^1,2,3，宮野健次郎^1,2
• 9ペロブスカイトSr(Ca)MnO3薄膜の作製と物性評価産総研¹，CREST-JST²，PF-KEK³，東北大院理^{4 ○}山田浩之¹，向　平華^1,2，中尾裕則³，岩佐和晃⁴，澤　彰仁¹，村上洋一³
•  休憩　15:15〜15:30
• 10X線吸収端近傍微細構造によるPr_1-xCa_xMnO_3-δ中のMn価数の分析宇宙研¹，早大理工^{2 ○}金盛治人^{1, 2}，廣瀬和之¹，山本知之²
• 11放射光電子分光による無限層構造SrFeO₂薄膜の電子状態東大院理¹，KAST²，東大院工^{3 ○}近松　彰¹，松山敏也¹，廣瀬　靖^1,2，組頭広志³，尾嶋正治³，長谷川哲也^1,2
• 12元素置換したSrFeO₂エピタキシャル薄膜の作製東大院理¹，KAST^{2 ○（M2）}松山敏也¹，近松　彰¹，廣瀬　靖^1,2，長谷川哲也^1,2
• 13急速熱処理還元法で作製したマグネタイト（Fe₃O₄）薄膜の電気および磁気伝導特性−熱処理温度および熱処理時間依存性−甲南大理工¹，阪大院理²，産総研ナノテク研^{3 ○}村上智彦¹，小堀裕己¹，山崎篤志¹，杉村　陽¹，谷口年史²，堀江智之³，内藤泰久³，清水哲夫³
• 14Bi₄Ti₃O₁₂-CoFe₂O₄系エピタキシャルコンポジット薄膜の圧電応答東工大応セラ研¹，ニューサウスウェールズ大^{2 ○（D）}今井彰良¹，Rama Valanoor²，Nagarajan Valanoor²，松本祐司¹
• 15自己組織化相分離による(Fe,Zn)₃O₄- BiFeO₃磁性半導体-強誘電体ナノピラーヘテロ構造の創製阪大 ^○阪本卓也，神吉輝夫，服部　梓，田中秀和
• 16サファイア基板上エピタキシャルV₂O₃薄膜成長とアニールによるVO₂への変態東海大工 ^○沖村邦雄，鈴木亮太，鈴木康史
• 17VO₂絶縁体相への電界印加による金属相形成過程の動的観測阪大産研 ^○神吉輝夫，高見英史，田中秀和
• 18SrIr_1-xRu_xO₃薄膜の合成と物性理研　CMRG&CERG¹，東北大WPI材料機構²，ERATO-MF³，東大工^{4 ○}高橋　圭¹，川崎雅司^1,2，十倉好紀^1,3,4
• 19ダブルペロブスカイトSrLaVMoO₆薄膜の作製と評価名大院工 ^○松島宏行，後藤大尚，宮脇哲也，植田研二，浅野秀文

15a-NE - 1〜11


• 1反応性スパッタ法で作製したTiO2薄膜の光触媒活性(1):膜厚依存性青山学院大 ^○金本宗也，村田亜紀代，岡　伸人，重里有三
• 2可視光応答型WO3光触媒薄膜の後焼成による活性化青山学院大 ^○高島隼也，村田亜紀代，岡　伸人，重里有三
• 3クラスレート型Ag₆O₈AgNO₃の光電気化学合成東工大¹，東大²，ノルウエー工科大^{3 ○（D）}田中亮平¹，高田真太郎¹，高橋竜太²，Jostein Grepstad³，Thomas Tybell³，松本祐司¹
• 4V:TiO₂ / Nb:TiO₂ (110)電極の光電流・光銀析出反応の表面V濃度依存東工大応セラ研 ^○蜂谷篤史，松本祐司
• 5電気化学的手法による酸化物半導体物性のin-situ評価法の開発東工大応セラ研 ^○高田真太郎，蜂谷篤史，田中亮平，松本祐司
• 6MgO(111) 極性薄膜のlayer-by-layer成長東工大応セラ研¹，東工大フロンティア²，科技機構 さきがけ^{3 ○}松崎功佑¹，細野秀雄²，須崎友文^1,3
•  休憩　10:30〜10:45
• 7透過型電子顕微鏡によるNiO薄膜内のフィラメント形成評価北大情報 ^○（D）藤井孝史，川西敬仁，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫
• 8真空アニールによるPt/NiO/Pt 積層構造素子の電気的特性変化京大院工¹，京大光電子理工セ^{2 ○}岩田達哉¹，西　佑介¹，木本恒暢^1,2
• 9フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用奈良先端大¹，CREST^{2 ○}上沼睦典^1,2，川野健太郎^1,2，吉井重雄¹，山下一郎^1,2，浦岡行治^1,2
• 10金ナノ粒子による抵抗変化型メモリの特性改善奈良先端大¹，CREST²，パナソニック^{3 ○}川野健太郎^1,2，上沼睦典^1,2，鄭　　彬^1,2，山下一郎^1,2,3，浦岡行治^1,2
• 11金属/伝導性酸化物La_0.6Sr_0.4MnO₃界面における抵抗変化現象東大院工¹，JSTさきがけ²，東大放射光機構³，JST-CREST^{4 ○（M2）}山本大貴¹，安原隆太郎¹，大久保勇男¹，組頭広志^1,2,3，尾嶋正治^1,3,4
•  昼食　12:00〜13:00

15p-NE - 1〜21

• 1CaFeO_2.5薄膜の酸化・還元による配向の変化京大化研 ^○境口　綾，松本和也，河合正徳，市川能也，島川祐一
• 2低温還元法による人工超格子薄膜の作成京大化研 ^○松本和也，境口　綾，市川能也，島川祐一
• 3IrO₂細線のスピンホール効果理研ASI¹，東大院新領域²，東大物性研^{3 ○（PC）}藤原宏平¹，福間康裕¹，松野丈夫¹，栗山博道²，井土　宏^2,3，大谷義近^1,2,3，高木英典^1,2
• 4EuOエピタキシャル薄膜の異常ホール効果東北大金研¹，東大理²，科技機構さきがけ³，東北大WPI材料機構⁴，東大工⁵，科技機構戦略^{6 ○}山崎高志¹，福村知昭^2,3，上野和紀⁴，塚崎　敦^3,5，川崎雅司^1,4,6
• 5電子ドープVO2薄膜におけるX線誘起絶縁体-金属相転移理研 CMRG＆CERG¹，産総研²，KEK物構研³，東北大多元研⁴，東北大WPI材料機構⁵，東大工⁶，ERATO-MF^{7 ○}渋谷圭介¹，奥山大輔¹，熊井玲児²，山崎裕一³，中尾裕則³，村上洋一³，田口康二郎¹，有馬孝尚⁴，川崎雅司^1,5，十倉好紀^1,6,7
• 6硬X線光電子分光によるWドープVO₂薄膜の金属‐絶縁体転移温度変調メカニズムの解明阪大産研¹，NIMS/SPring-8^{2 ○}高見英史¹，神吉輝夫¹，上田茂典^1,2，小林啓介²，田中秀和¹
• 7Room Temperature Mott Metal-Insulator Transition and Its Systematic Control in Sm1-xCaxNiO3 Thin Films産業技術総合研究所¹，科学技術振興機構^{2 ○}Ping-Hua Xiang^1,2，浅沼周太郎^1,2，山田浩之¹，井上　公^1,2，赤穗博司^1,2，澤　彰仁^1,2
• 8電気二重層FET によるNdNiO₃ の金属‐絶縁体転移の電界制御産総研¹，CREST²，東北大WPI材料機構³，東大QPEC⁴，理研CERG^{5 ○}浅沼周太郎^1,2，向　平華^1,2，山田浩之¹，佐藤　弘¹，井上　公^1,2，赤穗博司^1,2，澤　彰仁^1,2，上野和紀³，川崎雅司^3,5，岩佐義宏^3,4
• 9ペロブスカイト型強磁性絶縁体Pr_0.8Ca_0.2MnO₃へのBサイト置換の効果東大院工¹，東大物性研²，東工大応セラ研³，東大新領域⁴，JST-CREST^{5 ○（DC）}原田尚之¹，大久保勇男¹，ミック リップマー²，松本祐司³，鯉沼秀臣⁴，尾嶋正治^1,5
• 10Ba-Sn-O薄膜に発生する超構造東大物性研究所¹，Norwegian University of Science and Technology^{2 ○}高橋竜太^1,2，シェティル ヴァルセット²，エリック フォッヴン²，エスペン エッベルグ²，ヨースタイン グレプスタッド²，トーマス ティーベル²
•  休憩　15:30〜15:45
• 11X線光電子分光法によるPt/SrTiO₃:Nb 界面の電子状態の検討物・材機構 ^○大橋直樹，李　建永，大串秀世，吉川英樹，上田茂典，山下良之，小林啓介，安達　裕，羽田　肇
• 12アナターゼ型二酸化チタンの電子構造上智大理工¹，東工大院理工^{2 ○}江森万里¹，杉田真理¹，坂間　弘¹，小澤健一²
• 13アナターゼ型TiO₂薄膜の励起子-格子相互作用による物性評価上智大理工 ^○土田翔大，高橋啓輔，欅田英之，坂間　弘，江馬一弘
• 14半導体NbドープSrTiO₃を中間層に用いた磁気抵抗効果素子の作製名大院工 ^○戸澤克倫，立木翔治，宮脇哲也，植田研二，浅野秀文
• 15Pulsed Laser Deposition:SrRuO₃ターゲットを用いたSrRuO₃, Sr₃Ru₂O₇, Sr₂RuO₄薄膜の作製物材機構¹，東大新領域^{2 ○}大西　剛¹，山本剛久²，高田和典¹
• 16SrTiO₃(100)表面の劣化物材機構¹，東大物性研^{2 ○}大西　剛¹，ミック リップマー²
• 17SrTiO₃(001)-(√13×√13) エピタキシャル成長基板表面の作製東北大WPI-AIMR¹，東大院理^{2 ○}清水亮太^1,2，大澤健男¹，岩谷克也¹，長谷川哲也²，橋詰富博¹，一杉太郎¹
• 18極低温動作SrTiO₃電界効果トランジスタの移動度向上東北大金研¹，東北大WPI材料機構²，東大院工³，CREST-JST^{4 ○}菅沼憲正¹，上野和紀²，塚崎　敦³，川崎雅司^1,2,4
• 19(SrAlO₃)^-負電荷層挿入によるSrRuO₃/Nb:SrTiO₃(001)ショットキー障壁高さの増大東大新領域¹，JST^{2 ○（D）}矢嶋赳彬¹，佐藤弘樹¹，疋田育之¹，Christopher Bell¹，Harold Hwang^1,2
• 20(La,Sr)O/SrTiO₃ヘテロ界面の電子状態東大新領域¹，東大物性研^{2 ○（DC）}西尾和記¹，ミッコ マトヴィエフ²，高橋竜太²，ミック リップマー^1,2
• 21スパッタ法により堆積したCu₂O膜の評価九州工大工 ^○（M1）大平恭右，中尾　基，オンウォナーアジマン ボアティン

16a-NE - 1〜10


• 1TiO_xN_y透明導電膜の特性に対する基板の影響NTT MI研 ^○赤沢方省
• 2反応性スパッタ法とイオンアシスト蒸着法によるTiO₂薄膜の低温結晶化促進の検討東京工芸大(院) ^○安田洋司，上栗賢人，飛坂真幸，星　陽一
• 3ゾルゲル法で作製したNb:TiO₂薄膜の色素増感太陽電池への応用鹿児島大 ^○朝倉大介，渡部朝光，仁田慎一郎，野見山輝明，堀江雄二
• 4電気泳動法による酸化チタンナノ粒子薄膜の作製と評価同志社大院工 ^○川上　亮，伊東一篤，佐藤祐喜，森　康維，足立基齊，吉門進三
• 5気相光触媒水素生成に向けたTiO2ナノチューブアレイ構造の最適化京大院工¹，京大SACI^{2 ○}服部真史¹，野田　啓¹，小林　圭²，松重和美¹
•  休憩　10:45〜11:00
• 6TiO₂ナノチューブのガスセンサ特性の評価阪府大¹，長岡技科大^{2 ○}石井将之¹，寺内雅裕²，吉村　武¹，中山忠親²，藤村紀文¹
• 7酸化チタン薄膜への紫外光照射によるメチレンブルーの分解東海大工 ^○（M1）吉澤朋宏，桑畑周司
• 8反応性スパッタ法によるC,FeコドープTiO₂光触媒薄膜の作製芝浦工大 ^○石井智之，齋藤寛己，鈴木健太郎，石川博康
• 9液相レーザーアブレーションで作製したTiO₂微粒子の光触媒活性電通大電子 ^○（M2）戸松靖博，永井　豊，Choo C.K.，田中勝己
• 10プラズマCVD法による親水性酸化チタン薄膜の室温形成II茨城大工 ^○山内　智，圷　里紗，今井　洋

17a-NE - 1〜11


• 1N₂/ArスパッタZnO:N薄膜作成時における窒素の挙動埼玉大理工研 ^○森田　彩，渡辺郁弥，白井　肇
• 2サイドウォール成長を用いたZnOナノ構造の作製と評価阪大産研 ^○（M1）尾野篤志，服部　梓，神吉輝夫，田中秀和
• 3水熱合成法によるZnOナノロッドの作製とその先端先鋭化名古屋工大院 ^○伊藤広顕，竹内宏樹，壁谷裕樹，平松沙奈恵，市川　洋
• 4分子プレカーサー法によるMgZnO薄膜の極性制御工学院大工 ^○（M1）小田拓人，木津拓人，原　広樹，杉浦洋平，佐藤光史，本田　徹
• 5全固体エレクトロクロミックディスプレイ用酸化亜鉛系透明導電薄膜の作製佐世保高専 ^○大島多美子，村上雄紀，川崎仁晴，須田義昭，柳生義人
• 6金属伝導性酸化物ZnO:Gaにおける光学応答:酸化物表面プラズモニクスに向けて東大工¹，京都工繊大^{2 ○}松井裕章¹，ワサンタマーラ バダラワ¹，蓮池紀幸²，播磨　弘²，田畑　仁¹
•  休憩　10:30〜10:45
• 7AI ドープZnO透明導電膜のホール効果測定による評価九州工大工 ^○（B）竹内千広，江島充晃，ボアティン オンウォナーアジマン，中尾　基
• 8スパッタ法により室温で作製したAZO薄膜の特性の検討新潟大¹，東京工芸大^{2 ○}樫出　淳¹，名越克仁¹，清水英彦¹，岩野春男¹，川上貴浩¹，永田向太郎¹，福嶋康夫¹，星　陽一²
• 9AZO/Cu₂Oヘテロ接合の光起電力特性に対する結晶性改善及び介在層挿入効果の検討金沢工大　O.E.D.S. R&Dセンター ^○西　祐希，宮田俊弘，南　内嗣
• 10多孔質ZnO薄膜の光音響スペクトルと光電流変換特性電通大先進理工¹，産総研²，JST さきがけ³ 山田修三¹，細野英司²，周　豪慎²，沈　　青^1,3，^○豊田太郎¹
• 11CdS量子ドットを吸着した逆オパール構造TiO₂電極の光吸収と光電変換特性電通大¹，JST さきがけ^{2 ○}豊田太郎¹，大西陽平¹，沈　　青^1,2，押鐘敬太¹，鮎沢康正¹
•  昼食　12:00〜13:00

17p-NE - 1〜8

• 1電圧印加硬X線光電子分光法によるReRAM:金属/HfO₂界面の電子状態評価物材機構 ^○長田貴弘，南風盛将光，山下良之，吉川英樹，小林啓介，知京豊裕
• 2遷移金属酸化物における抵抗変化現象観測プローブとしての二次電子像鳥取大工¹，TEDREC^{2 ○}依田貴稔¹，木下健太郎^1,2，土橋一史¹，岸田　悟^1,2
• 3多結晶NiO-ReRAMにおける微細領域の抵抗変化特性鳥大工¹，TEDREC^{2 ○}土橋一史¹，木下健太郎^{1, 2}，依田貴稔¹，北村健一¹，岸田　悟^{1, 2}
• 4抵抗変化メモリのフォーミング過程に対する金属電極成膜の影響産総研ナノ電子¹，シャープ基盤研^{2 ○}島　　久¹，中野貴司²，秋永広幸¹
• 5Pt/SiO₂/Ptキャパシタ構造の抵抗変化特性評価広大院先端研¹，明大院工^{2 ○}後藤優太¹，大田晃生¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
• 6RFスパッタ法により作製されたTaO_x-ReRAM素子の膜厚依存性アルバック　半電研 ^○福田夏樹，栗原秀直，堀田和正，西岡　浩，鄒　弘綱
• 7Cu₂Oを用いた平面型ReRAM素子におけるフォーミング過程の直接観察芝浦工大 ^○弓野健太郎，鈴木和典
• 8フォーミング過程におけるAl/Pr_0.7Ca_0.3MnO₃界面電子状態変化の観測東大院工¹，JST-CREST²，東大放射光機構³，JSTさきがけ⁴，JASRI/SPring-8^{5 ○（D）}安原隆太郎¹，山本大貴¹，大久保勇男¹，堀場弘司^1,2,3，組頭広志^1,3,4，池永英司⁵，尾嶋正治^1,2,3