6. 薄膜・表面

15a-ND - 1〜11


• 1モザイク状単結晶ダイヤモンド大面積ウェハの結晶評価産総研DRL ^○山田英明，茶谷原昭義，梅澤　仁，坪内信輝，鹿田真一，杢野由明
• 2ヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜形成における横方向成長の効果青学大院理工¹，トウプラスエンジニアリング^{2 ○}鷲山　瞬¹，児玉英之¹，鈴木一博²，澤邊厚仁¹
• 3テンプレート層の厚膜化によるボロンドープヘテロエピタキシャルダイヤモンドの電気特性の向上青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング²，物材機構^{3 ○（M1）}知野大仁¹，児玉英之¹，鈴木一博²，寺地徳之³，澤邊厚仁¹
• 4イオンビームアシストスパッタ法によるCVDダイヤモンド上への立方晶窒化ホウ素薄膜の作製名大院工 ^○植田研二，浅野秀文
• 5フッ化カルシウム緩衝層を用いた単結晶ダイヤモンド上ＰＺＴ薄膜物質材料研究機構 ^○廖　梅勇，井村将隆，小出康夫
•  休憩　10:45〜11:00
• 6(001)微斜面基板におけるCVDダイヤモンド成長の端面効果阪大院工 ^○浮田昂史，井口翔太，毎田　修，伊藤利道
• 7高品質(001)微斜面CVDダイヤモンド基板における高濃度窒素ドープ阪大院工 ^○石川裕之，砂田泰英，毎田　修，伊藤利道
• 8(001)微斜面基板における燐ドープCVDダイヤモンド薄膜のホモエピタキシャル成長阪大院工 ^○西尾晴樹，日高輝洋，毎田　修，伊藤利道
• 9Ａｓドープｎ型ダイヤモンドを用いたｐｎ接合ダイオードNTT物性基礎研 ^○嘉数　誠，ミハエル クボヴィッチ
• 10ボロンデルタドープチャネルを用いたダイヤモンドFETの電気特性評価早大　先進理工 ^○小野　祐，田辺恭介，津野哲也，佐藤隼介，柘植恭平，川原田洋
• 11ホウ素ドープ層のナノ構造化によるp型CVDダイヤモンドの高機能化II阪大院工 ^○青野雅之，毎田　修，伊藤利道
•  昼食　12:30〜13:30

15p-ND - 1〜16

• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  リンドープn形へテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング²，物材機構^{3 ○}阿部　諭¹，児玉英之¹，鈴木一博²，寺地徳之³，小泉　聡³
• 2超低損失ダイヤモンドホッピングダイオードの高耐圧化筑波大¹，金沢大²，産総研エネ部門^{3 ○（M2）}松本　翼^1,3，牧野俊晴³，加藤宙光³，徳田規夫²，小倉政彦³，竹内大輔³，小山和博^1,3，大串秀世³，西澤伸一³，山崎　聡^1,3
• 3ダイヤモンドショットキーバリアダイオードにおけるスイッチング特性の温度依存性評価阪大工¹，産総研² 児玉和也¹，舟木　剛¹，梅澤　仁²，^○鹿田真一²
• 4高出力ダイヤモンド深紫外線LEDの殺菌応用産総研¹，岩崎電気²，物材機構³，筑波大^{4 ○}牧野俊晴¹，吉野　潔²，坂井徳浩²，内田浩二²，小泉　聡³，加藤宙光¹，竹内大輔¹，小倉政彦¹，松本　翼^1,4，小山和博^1,4，大串秀世¹，山崎　聡^1,4
• 5深さ分解X線トポグラフィによるダイヤモンド内部の欠陥評価産総研ダイヤ ^○加藤有香子，梅沢　仁，鹿田真一
• 6CVDダイヤモンド放射線検出器の耐放射線性評価阪大院工¹，アロカ^{2 ○}佐東秀徳^1,2，毎田　修¹，伊藤利通¹
• 7FIBを用いたCVDダイヤモンド微細電極の形成とその特性評価阪大院工 ^○五十嵐透，毎田　修，伊藤利道
• 8同位体ダイヤモンドによるキャリアの閉じ込め産総研　ダイヤラボ ^○渡邊幸志，鹿田真一
•  休憩　15:30〜15:45
• 9水素終端ダイヤモンドの正孔を誘起する吸着種の特定NTT物性基礎研 ^○嘉数　誠，ミハエル クボヴィッチ
• 10ダイヤモンド熱酸化時の表面トポグラフィー金沢大院自然¹，産総研エネ部門^{2 ○}福井　真¹，徳田規夫^1,2，牧野俊晴²，竹内大輔²，山崎　聡²，猪熊孝夫¹
• 11導電性探針AFMによるCVDダイヤモンドの局所的電気特性の評価阪大院工 ^○市川喬啓，毎田　修，伊藤利道
• 12Tc(offset)>10[K]の高濃度ボロンドープ超伝導ダイヤモンド(111)　薄膜における特性評価早大理工¹，物材機構^{2 ○}栗原槙一郎¹，北郷伸弥¹，渡邉　恵¹，野村　亮¹，鹿又龍介¹，高野義彦²，山口尚秀²，知京豊祐²，川原田洋¹
• 13ダイヤモンドにおける超伝導近接効果早大理工¹，物材機構^{2 ○}鹿又龍介¹，渡邉　恵¹，北郷伸弥¹，野村　亮¹，小野　祐¹，栗原槙一郎¹，高野義彦²，山口尚秀²，川原田洋¹
• 14BiFeO₃/ボロン添加ダイヤモンド積層膜の作製と評価金沢大院自然¹，金沢大工²，物質･材料研究機構^{3 ○}芳里有司¹，川崎寛樹²，川江　健¹，徳田規夫¹，高野義彦³，森本章治¹
• 15燐ドープダイヤモンドの熱電子放出特性青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング^{2 ○}野原拓也¹，鈴木一博²，河野省三¹，澤邊厚仁¹
• 16NEAを有するCVDダイヤモンドp-i-n接合からの室温での電子放出産総研エネ¹，金沢大²，筑波大院数物^{3 ○}竹内大輔¹，牧野俊晴¹，加藤宙光¹，小倉政彦¹，徳田規夫²，小山和博^1,3，松本　翼^1,3，大串秀世¹，山崎　聡^1,3

16a-ND - 1〜13


• 1反応性スパッタ法を用いた重水素化アモルファス炭素膜の作製長岡技大(工) ^○水口和也，鈴木常生，赤坂大樹，大塩茂夫，齋藤秀俊
• 2ナノパルスプラズマCVD法により準大気圧合成されたDLC膜の各種特性東工大院理工 ^○宮武　直，大竹尚登
• 3パルスバイアスを用いたプラズマCVD法によるSi添加DLC膜特性のパルスパラメータ依存性弘前大理工¹，東北工大²，東北大通研^{3 ○（M1）}鎌田亮輔¹，中澤日出樹¹，三浦創史¹，阿部俊三²，末光眞希³
• 4溶液中におけるa-C:H薄膜へのヨウ素ドーピング琉球大工 ^○中橋崇紘，比嘉　晃，山里将朗
• 5C₆₀を原料とする炭素薄膜太陽電池の作製と評価名工大 ^○近藤琢哉，林　靖彦，曽我哲夫，神保孝志，岸　直希
• 6ニューラルネットワークを用いたDLC成膜方法提案システムの構築東京電機大 ^○金井太一，加藤綾子，大越康晴，平栗健二，舟久保昭夫，福井康裕
•  休憩　10:30〜10:45
• 7表面プラズモン共鳴現象を利用した水素化アモルファス炭素膜のエッチングのリアルタイム検出長岡技大 ^○佐々木康志，伊井清人，竹田　葵，大塩茂夫，赤坂大樹，齋藤秀俊
• 8炭素膜合成用パルスプラズマの発光分光分析東工大院¹，東工大院²，東工大院^{3 ○}高島　舞³，望月佳彦，大竹尚登¹
• 9CH₄/Ar固体薄膜への低速電子線衝撃：Arマトリックス単離赤外分光法による反応解析山梨大　クリーンエネ研¹，山梨大　院医工総研^{2 ○}佐藤哲也¹，渡邊　陵¹，小林直樹¹，森田直樹¹，伊東佑将¹，荒井哲司¹，宮嶋尚哉²，中川清和²
• 10CF₄凝縮層の低速電子線衝撃によるa-C:F薄膜の極低温合成山梨大クリーンエネ研 ^○（M1）胡　雪冰，鍋田貴大，土屋新平，森田直樹，佐藤哲也
• 11極薄カーボン膜の構造モデルに関する考察日立製作所 ^○佐藤大祐，高橋俊雄，稲葉　宏
• 12アモルファス水素化炭素膜へのγ−グロブリンとフィブリノーゲン吸着の評価長岡技大（工） ^○竹田　葵，大塩茂夫，赤坂大樹，齋藤秀俊
• 13光化学修飾法による酸素終端DLC膜の作製および表面化学構造制御産総研 ^○中村挙子，大花継頼
•  昼食　12:30〜13:30

16p-ND - 1〜17

• 1「薄膜・表面分科内招待講演」（15分）
  軟X線照射による水素化DLC膜の屈折率変化兵庫県立大 ^○神田一浩，松井真二
• 2バイポーラ型プラズマ利用イオン注入法で作製したダイヤモンド状炭素膜の水素量と機械的特性産総研¹，神港精機²，不二越³，ブルカー・オプティクス⁴，都産技研⁵，パナテック^{6 ○}中尾節男¹，寺山暢之²，上田志津代³，笹倉大督⁴，藤巻康人⁵，基　昭夫⁶
• 3熱アシスト記録用ディスク保護膜の耐熱性日立製作所 ^○稲葉　宏，佐藤大祐
• 4プラズマイオン注入・成膜法で作製したシリコン含有ダイヤモンドライクカーボン膜の摩擦特性金沢工業大 ^○林慎太郎，佐々木賢志，湯尾信也，池永訓昭，作道訓之
• 5バイポーラ型プラズマ利用イオン注入法で窒素添加し作製したダイヤモンド状炭素膜の電気的・光学的特性産総研¹，名工大^{2 ○}中尾節男¹，曽我哲夫²，浅田徳弘²，岸　直希²
• 6Arのマイクロ波放電フロー中でのテトラメチルシランの分解を用いた硬質a-SiC_x膜の形成長岡技科大工 ^○大柿　猛，赤坂大樹，齋藤秀俊，伊藤治彦
• 7Arのマイクロ波放電フロー中でのテトラメチルシランの解離励起反応解析長岡技科大 ^○甲把理恵，大柿　猛，越村克明，伊藤治彦
• 8高周波プラズマCVDによる高窒素含有a-CN_x薄膜の形成長岡技科大工 ^○岡田亘太郎，赤坂大樹，齊藤秀俊，伊藤治彦
• 9CNラジカルの付着確率長岡技科大工 ^○山元愛弓，新木一志，和田　晃，鈴木常生，齋藤秀俊，伊藤治彦
•  休憩　15:45〜16:00
• 10CH₃CNのマイクロ波放電分解によるa-CN_x:H膜の形成長岡技科大工 ^○福原　翔，大柿　猛，赤坂大樹，鈴木常生，齋藤秀俊，伊藤治彦
• 11希ガスのECRプラズマを用いたCH₃CNの解離励起反応解析長岡技科大工 ^○鬼束さおり，越村克明，伊藤治彦
• 12ArのECRプラズマにおけるC₂H₂の反応過程長岡技科大工 ^○越村克明，鈴木常男，齋藤秀俊，伊藤治彦
• 13He, Ne, ArのECRプラズマを用いて作成したa-CN_x薄膜の局所構造解析長岡技科大¹，兵庫県大　高度研^{2 ○}和田　晃¹，越村克明¹，新部正人²，齋藤秀俊¹，神田一浩²，伊藤治彦¹
• 14RFマグネトロンスパッタリング法によるアモルファス窒化炭素薄膜の合成琉球大工 ^○長岡康仁，山里将朗，比嘉　晃
• 15金属基板上への窒化炭素膜の液相堆積[I]東海大産業工¹，東海大情報理工²，東海大開発工^{3 ○}東　幹晃¹，清田英夫¹，黒須楯生²，千葉雅史³
• 16プラズマ曝露による窒化ホウ素膜の表面改質九大総理工 ^○川上真司，堤井君元
• 17太陽電池用途a-CN_x:H膜のパルス放電スーパーマグネトロンプラズマCVD静大電子研 ^○木下治久，鈴木寛之