6. 薄膜・表面

15a-NJ - 1〜11


• 1パルスレーザー蒸着法による層状ペロブスカイトGd₂Ti₂O₇薄膜の合成東大院理¹，KAST^{2 ○}浮田　昂^1,2，大野紗和子^1,2，廣瀬　靖^1,2，畑林邦忠^1,2，長谷川哲也^1,2
• 2SrTiO₃単結晶上のEu添加酸化物強誘電体膜の特性評価金沢工大院 ^○稲垣浩行，大城浩徳，堀邊英雄，得永嘉昭，會澤康治
• 3RFマグネトロンスパッタ法によるNaNbO₃-BaTiO₃積層膜の作製及び評価京大院工 ^○今井英之，神野伊策，横川隆司，和佐清孝，小寺秀俊
• 4(Na_0.5K_0.5)NbO₃-BaZrO₃- (Bi_0.5Li_0.5)TiO₃非鉛圧電薄膜のPt/(001)MgO基板上への作製龍谷大理工¹，パナソニック先端研^{2 ○}三好雄三¹，服部貴文¹，山添誠司¹，足立秀明²，和田隆博¹
• 5結晶方位の異なるSrTiO₃基板上に作製したAgNbO₃膜の誘電特性の温度依存性龍谷大理工 ^○櫻井裕之，山添誠司，和田隆博
• 6強誘電体薄膜における蓄積電位の緩和過程に関する考察東理大理¹，スタンレー電気^{2 ○}峰島達幸¹，力丸素子¹，四十物孝憲²，中嶋宇史¹，安田喜昭²，岡村総一郎¹
•  休憩　11:00〜11:15
• 7ペロブスカイト型SrTaO_3-yN_y薄膜のエピタキシャル合成と誘電特性評価東大院理¹，KAST²，東大工³，東大生研^{4 ○（M1）}岡　大地^1,2，廣瀬　靖^1,2，大野紗和子^1,2，畑林邦忠^1,2，浮田　昂^1,2，伊藤誠二³，森田　明³，松崎浩之³，福谷克之⁴，長谷川哲也^1,2
• 8Sr-Bi-(Ta,Nb,M)-Si-O(M=W,Mo)強誘電体の結晶・電子構造と強誘電特性東京理科大 ^○室井　諒，北村尚斗，井手本康
• 9PZT薄膜の33モードにおける正圧電特性大阪府立大¹，大阪府立産技研^{2 ○（M1）}宮渕弘樹¹，氏本勝也¹，吉村　武¹，村上修一²，藤村紀文¹
• 1090°ドメインウォール密度の制御による(100)/(001)配向PZTエピタキシャル膜の圧電特性向上東工大¹，ブルカーAXS² 中島光雅¹，中木　寛¹，江原祥隆¹，山田智明¹，森岡　仁^1,2，^○舟窪　浩¹
• 11BiFeO₃薄膜の正・逆圧電特性大阪府立大院・工 ^○（D）氏本勝也，宮渕弘樹，川原祐作，吉村　武，芦田　淳，藤村紀文
•  昼食　12:30〜13:30

15p-NJ - 1〜17

• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  (1-x)BiFeO₃-xBiCoO₃薄膜の菱面体晶-正方晶転移と圧電定数の増大京大化研 ^○中村嘉孝，河合正徳，東　正樹，島川祐一
• 2BaTi_1-xA_xO_3-δ(A=Mn, Fe, Co)の磁化及び誘電特性早大理工¹，宇宙研^{2 ○}横井俊彦^{1, 2}，廣瀬和之²，山本知之¹，近田旬佑¹
• 3エピタキシャルBi(M_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃ 薄膜(M = Zn, Mg)の強誘電性評価(I)東工大¹，上智大²，キヤノン^{3 ○（M1）}長田潤一¹，安井伸太郎¹，山田智明¹，内田　寛²，薮田久人³，渡邉隆之³，三浦　薫³，舟窪　浩¹
• 4エピタキシャルBi(M_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃薄膜(M = Zn, Mg)の強誘電性評価(II)東工大¹，上智大²，キヤノン^{3 ○（DC）}安井伸太郎¹，長田潤一¹，山田智明¹，内田　寛²，薮田久人³，渡邉隆之³，三浦　薫³，舟窪　浩¹
• 5希土類を添加したBiFeO₃の構造及び強誘電特性におけるユニバーサルな振る舞いメリーランド大¹，京大化研²，ニューサウスウェールズ大^{3 ○}菅　大介^1,2，Varatharajan Anbusathaiah³，Ching Jung Cheng³，Valanoor Nagarajan³，竹内一郎¹
• 6ネール温度前後におけるエピタキシャル BiFeO₃膜の熱光学特性東理大¹，ジェー・エー・ウーラム・ジャパン²，テクノ･シナジー³，東北大⁴，産総研^{5 ○（D）}島　宏美¹，曽根圭太¹，堤　浩一²，鈴木道夫²，田所利康³，永沼　博⁴，飯島高志⁵，中嶋宇史¹，岡村総一郎¹
• 7イオンビームスパッタ法を用いたBiFeO₃薄膜の作製とその評価(II)兵庫県大工¹，阪大院基礎工²，阪大ナノサイエンスデザイン教育研究センター^{3 ○}辻田陽介¹，中嶋誠二¹，藤沢浩訓¹，朴　正敏²，金島　岳²，奥山雅則³，清水　勝¹
• 8三角格子反強磁性体InFe₂O₄薄膜の磁気転移温度の制御東大工 ^○関　宗俊，岩本藤行，小埜洋輔，田畑　仁
•  休憩　15:30〜15:45
• 9YMnO₃薄膜の酸素含有量の制御とその誘電特性におよぼす影響阪府大院工¹，学振^{2 ○（DC）}前田和弘^1,2，吉村　武¹，藤村紀文¹
• 10YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の作製と磁性および電気的特性評価阪府大院工 ^○（M1）湯川博喜，広瀬浩次，吉村　武，芦田　淳，藤村紀文
• 11Comparison of Pt, SrRuO₃, and Pt/SrRuO₃ top electrodes in rf-sputtered Mn-doped BiFeO₃ capacitors東工大 ^○金　正桓，舟窪　浩，石原　宏
• 12新規Ru原料を用いたMOCVD法によるRu薄膜の作製と評価東理大理¹，田中貴金属工業^{2 ○}久保田春記¹，落合　勉¹，玉置聖人¹，鍋谷俊一²，中嶋宇史¹，岡村総一郎¹
• 13強誘電体キャパシタ用Alドープ酸化亜鉛上部電極の作製と評価阪府大院工¹，阪大産研^{2 ○}辻　　徹¹，和泉　要¹，廣田祐一郎¹，岡本尚樹¹，齊藤丈靖¹，近藤和夫¹，吉村　武¹，藤村紀文¹，北島　彰²，大島明博²
• 14C軸配向ビスマス層状構造誘電体薄膜の高温用キャパシタ特性の検討東工大¹，上智大^{2 ○（M2C）}多久和至¹，木村純一¹，水谷佑樹²，山田智明¹，内田　寛²，舟窪　浩¹
• 15アモルファス(BaxSr1-xTa2O6)薄膜の低温作製と評価奈良先端大¹，戦略的創造研究推進事業²，鶴岡工専^{3 ○}呂　　莉¹，西田貴司¹，石河泰明¹，内山　潔³，浦岡行治^1,2
• 16SrTiO₃およびMgO基板上に形成したNaNbO₃薄膜のレーザ顕微鏡によるドメイン観察龍大理工 ^○山添誠司，櫻井裕之，柴田賢吾，深田正紀，和田隆博
• 17SrTiO₃(110)上へのBaTiO₃薄膜作製と物性評価東工大 ^○有岡孝祐，諏訪間大，星野晃大，清水荘雄，谷口博基，谷山智康，伊藤　満

16a-NJ - 1〜11


• 1P(VDF-TeFE) 薄膜の強誘電性の向上と表面平坦化阪大院基礎工¹，ナノサイエンスデザイン教育研究センター^{2 ○}谷部一輝¹，桂　　悠¹，金島　岳¹，奥山雅則²
• 2膜厚40 nm以下のVDF/TrFE超薄膜の作製と強誘電特性評価東理大・応物¹，小林理研^{2 ○}馬渕雄一郎¹，中嶋宇史¹，古川猛夫²，岡村総一郎¹
• 3ペンタセンを用いたトップゲート型MFS diodeの作製と評価東工大総理工¹，韓国電子通信研究院^{2 ○}馬淵貴也¹，尹　聖民^1,2，石原　宏¹
• 4強誘電体の分極がZnO薄膜の伝導特性に及ぼす影響阪府大院工 ^○山田裕明，福島匡広，高田浩史，吉村　武，藤村紀文
• 5Flexible non-volatile memory TFT with IGZO-channel and ferroelectric polymerP and I Lab, Tokyo Tech¹，Electronics And Telecommunications Res. Inst.(ETRI)²，Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Inst of Tech³，Central Research Laboratory, Hitachi Ltd, Tokyo^{4 ○}李ギォングン¹，Sung Min Yoon²，Joo Won Yoon³，Yoshihisa Fujisaki⁴，Hiroshi Ishiwara³，Eisuke Tokumitus¹
• 6圧電ポリフッ化ビニリデン(PVDF)膜を用いた床発電システムの評価東理大・理¹，小林理研^{2 ○}岡屋慶子¹，中嶋宇史¹，古川猛夫²，岡村総一郎¹
•  休憩　11:00〜11:15
• 7酸化物デュアルゲートFeFET〜OxiM(Oxide Memory)トランジスタ〜パナソニック　先端研¹，パナソニック　セミコン社^{2 ○}金子幸広¹，田中浩之¹，上田路人¹，加藤剛久²，藤井映志¹
• 8ディスターブフリーを実現するNAND型酸化物デュアルゲートFeFETパナソニック　先端研¹，パナソニック　セミコン社^{2 ○}金子幸広¹，田中浩之¹，上田路人¹，加藤剛久²，藤井映志¹
• 9強誘電体ゲートTFTのRC分布定数回路を用いたインピーダンス解析阪府大工 ^○（DC）福島匡泰，前田和弘，吉村　武，芦田　淳，藤村紀文
• 10Pb(Zr,Ti)O₃とGaNを用いたMFS積層構造の作製と電気特性評価東理大理¹，Advanced Device Lab.^{2 ○}秋元俊孝¹，平子　晃^1,2，大川和弘^1,2，中嶋宇史^1,2，岡村総一郎^1,2
• 11RFマグネトロンスパッタ法による多層薄膜コンデンサの作製及び評価京大院工 ^○今宮悠治，神野伊策，横川隆司，和佐清孝，小寺秀俊
•  昼食　12:30〜13:30

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• 1Ni/Cu電極上へのPZT薄膜のスパッタ成膜金沢工業大 ^○平林優一，恒川裕介，池永訓昭，岸　陽一，矢島善次郎，作道訓之
• 2水熱合成法により形成されたPbTiO₃膜の構造に及ぼす熱処理の影響UBE科学分析センター¹，山口大院理工^{2 ○}二井裕之^1,2，國重敦弘¹，中川浜三¹，小柳　剛²
• 3チタン酸ジルコン酸鉛厚膜の結晶構造の面内サイズ依存性防衛大¹，高知工大²，東工大^{3 ○（D）}西出正道¹，田井丈詞²，河東田隆²，横山信太郎³，舟窪　浩³，西田　謙¹，山本　孝¹
• 4PLD法を用いたエピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃ナノロッド作製の検討東工大院¹，防衛大²，産総研^{3 ○}田中秀典¹，山田智明¹，安井伸太郎¹，山本　孝²，西田　謙²，篠崎和夫¹，舟窪　浩¹，飯島高志³
• 5FIBを用いた強誘電体フォトニック結晶の作製方法の研究東理大 ^○藤原恭兵，島　宏美，中嶋宇史，岡村総一郎
• 6走査型非線形誘電率顕微鏡法によるPbTiO3極薄膜の観察兵庫県大.工 ^○山野宏次郎，家根大彰，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水　勝
• 7AFMによるPbTiO₃ナノ島の分極反転電流の測定兵庫県大・工 ^○山田耕生，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水　勝
• 8Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃- Pb(Ni_1/3Nb_2/3)O₃-Pb(Zr,Ti)O₃薄膜の電気特性と電気熱量特性湘南工大¹，Inostek^{2 ○}真岩宏司¹，Seung-Hyun Kim²
• 9選択成長により形成したγ-Al₂O₃/Si基板上のPZT薄膜豊橋技科大工¹，豊橋技科大VBL²，JST-CREST^{3 ○}吉田遼人¹，大石浩史¹，赤井大輔²，石田　誠^1,3
•  休憩　15:45〜16:00
• 10(K,Na)NbO₃圧電薄膜の微細加工特性日立電線 ^○堀切文正，柴田憲治，末永和史，渡辺和俊，野本　明，三島友義
• 11(La_0.07Sr_0.93)SnO₃透明電極を用いたCaF₂基板上Pb(Zr,Ti)O₃膜のエピタキシャル成長と分極軸制御東工大¹，上智大² 宇津木覚¹，^○山田智明¹，江原祥隆¹，田中秀典¹，内田　寛²，舟窪　浩¹
• 12菱面体晶Pb(Zr,Ti)O₃エピタキシャル膜の結晶構造と強誘電特性東工大院¹，産総研^{2 ○}江原祥隆¹，宇津木覚¹，中島光雅¹，山田智明¹，飯島高志²，舟窪　浩¹
• 13エピタキシャルPb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃薄膜の圧電特性京大院工 ^○赤間健司，神野伊策，横川隆司，和佐清孝，小寺秀俊
• 14スパッタ法による(K,Na)NbO3薄膜の圧電定数向上日立電線 ^○柴田憲治，末永和史，渡辺和俊，野本　明，堀切文正，三島友義
• 15c軸配向(K,Na)NbO₃薄膜における結晶格子歪みと圧電特性の関係(II)日立電線 ^○末永和史，柴田憲治，渡辺和俊，野本　明，堀切文正，三島友義
• 16圧電体フィルムを用いた片持ち梁型発電素子に関する研究東理大理¹，小林理学研究所^{2 ○（B）}太田賀奈子¹，古川猛夫²，中嶋宇史¹，岡村総一郎¹
• 17非鉛系(K,Na)NbO₃圧電薄膜を用いたカンチレバー型MEMSデバイスの作製京大院工¹，日立電線^{2 ○}和家佐有宇¹，横川隆司¹，神野伊策¹，小寺秀俊¹，柴田憲治²