5. 光エレクトロニクス

16p-H - 1〜17


• 1「論文賞受賞記念講演」（30分）
  531nm Green Lasing of InGaN Based Laser Diodes on Semi-Polar {2021} Free-Standing GaN Substrates住友電工 ^○塩谷陽平，善積祐介，京野孝史，秋田勝史，上野昌紀，足立真寛，住友隆道，徳山慎司，池上隆俊，片山浩二，中村孝夫
• 2「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  GaAs_1-xBi_xファブリ・ペローレーザの発振波長の低温度依存性京都工繊大電子システム工 ^○富永依里子，尾江邦重，吉本昌広
• 3マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長温度係数制御東工大精研 ^○佐野勇人，中田紀彦，松谷晃宏，小山二三夫
• 4MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大東工大精研 ^○中濱正統，小山二三夫，佐野勇人，中田紀彦
• 5Proposal of laterally coupled VCSELs for modulation-bandwidth enhancement東工大・精研 ^○（M1）Hamed Dalir，小山二三夫
• 6多波長面発光レーザアレイと集積可能な小型光合波器の検討東工大 ^○今村明博，松谷晃宏，小山二三夫
• 71.3μm帯面型レーザアレイの全チャンネル25Gb/s直接変調動作日立中研¹，PETRA^{2 ○}篠田和典^1,2，足立光一朗^1,2，北谷　健^1,2，松岡康信¹，菅原俊樹¹，辻　伸二^1,2
• 8波長1.3 μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型Distributed Reflectorレーザの40 Gbpsアンクールド直接変調PETRA¹，富士通²，富士通研^{3 ○}松田　学^1,2,3，植竹理人^1,2,3，大坪孝二^1,2,3，奥村滋一³，苫米地秀一³，江川　満^1,2,3，山本剛之^1,2,3
•  休憩　15:15〜15:30
• 9活性層分離型分布反射型レーザの変調特性の構造依存性東工大院理工¹，東工大量子ナノ^{2 ○}高橋大佑¹，李　承勲¹，進藤隆彦¹，信野圭祐¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 10GaInAsP/InP細線状活性層を有するDBRの透過反射スペクトル特性東工大電気電子工学専攻¹，東工大量子ナノ^{2 ○}信野圭祐¹，李　承勲¹，進藤隆彦¹，高橋大佑¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 11a-Si表面回折格子を用いた横方向電流注入型DFBレーザ東工大電気電子工学専攻¹，東工大量子ナノ^{2 ○}進藤隆彦¹，奥村忠嗣¹，伊藤　瞳¹，小口貴之¹，渥美裕樹¹，Joonhyun Kang¹，長部　亮¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 12半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作東工大電気電子工学専攻¹，東工大量子ナノ^{2 ○}小口貴之¹，奥村忠嗣¹，伊藤　瞳¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 13SOI基板上集積二重導波路構造レーザの理論検討東工大　電気電子工学専攻¹，東工大　量エレセンター^{2 ○}伊藤　瞳^1,2，奥村忠嗣^1,2，李　承勲^1,2，進藤隆彦^1,2，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 14AlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造レーザにおけるサーマルクリーニング中雰囲気の再成長界面品質に対する影響東工大電気電子工学専攻¹，東工大量子ナノ^{2 ○}瀧野祐太¹，白尾瑞基¹，佐藤孝司¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 15選択的アンドープ反導波クラッド層を設けたリッジ型半導体レーザー立命大院理工 ^○（M1）桂川大也，沼居貴陽
• 16変形トンネル注入構造としてのWell-in-Well量子井戸構造の電子緩和解析東工大精研 ^○（DC）比嘉康貴，反町幹夫，西野目卓弥，宮本智之
• 17部分MMI可飽和吸収領域構造によるアクティブMMI双安定レーザーの極広ヒステリシス幅化九大¹，NTTフォトニクス研^{2 ○（DC）}姜　海松¹，ハニー・アヤド バスタワロス¹，萩尾拓真¹，松尾慎治²，浜本貴一¹

17a-H - 1〜11


• 1ペルチェ動作量子カスケード・レーザの相対強度雑音の検討（II）立命館大¹，浜松ホトニクス中研^{2 ○}井上智晴¹，片岡　誉¹，笠原健一¹，藤田和上²，秋草直大²，枝村忠孝²
• 2波長1.3μm帯InAs/GaAs自己形成量子ドットレーザの変調帯域に対するキャリアトランスポートの影響東大ナノ量子機構¹，東大先産研²，富士通研究所³，富士通⁴，PETRA⁵，QDレーザ^{6 ○}石田　充¹，田中　有^3-6，高田　幹¹，宋　海智³，中田義昭^3,6，山本剛之^3-5，山口正臣⁶，西　研一⁶，菅原　充⁶，荒川泰彦^1,2
• 3高均一量子ドットを用いた半導体増幅器産総研¹，東京理科大^{2 ○}天野　建¹，諏訪正和²，モハメド アハメド¹，宮本裕樹²，菅谷武芳¹，小森和弘¹，森　雅彦¹，高梨良文²
• 4偏波無依存量子ドット光増幅器の高速動作富士通¹，光組合²，富士通研³，神戸大⁴，QD レーザ⁵，東大ナノ量子機構⁶，東大生産研⁷，東大先端研^{8 ○}安岡奈美^1,2，江部広治¹，河口研一³，関口茂昭^1,2，和田　修⁴，森戸　健^1,2，菅原　充⁵，荒川泰彦^6,7,8
• 5シリコン導波路におけるカスケードラマン増幅の結晶方位異方性東大院総合 ^○（DC）田名網宣成，深津　晋
• 6シリコン結晶欠陥の光利得東大院総合(駒場) ^○安武裕輔，淺場智也，寺田陽祐，田名網宣成，深津　晋
•  休憩　10:30〜10:45
• 7シリコン結晶中の高濃度ビスマス不純物準位からのフォトルミネスセンス物材機構¹，筑波大院数物²，東大院総合³，産総研^{4 ○（D）}村田晃一^1,2，安武裕輔³，日塔光一¹，坂本邦博⁴，深津　晋³，三木一司^1,2
• 8KMgF₃薄膜を用いた電界放出型真空紫外発光素子名工大¹，トクヤマ²，東北大^{3 ○}上坂浩司¹，益川陽平¹，ザムリ ユソプ¹，市川　洋¹，種村眞幸¹，小野晋吾¹，河口範明²，長見知史²，石津澄人²，福田健太郎²，須山敏尚²，横田有為³，柳田健之³，吉川　彰³
• 9検出器の劣化特性・入射角特性評価のための真空紫外線照射装置産総研計測標準¹，ALGAN²，岩崎電気技術研究所³，オーク製作所^{4 ○}齋藤輝文¹，伊藤龍太郎¹，人羅俊実²，石原英明³，吉野敦司⁴
• 10紫外・真空紫外検出器の特性評価III -窒化物半導体材料の光学定数-福井大工¹，産総研計測標準²，ALGAN^{3 ○}尾崎恭介¹，齋藤輝文²，人羅俊実³，福井一俊¹，齊藤一郎²
• 11アモルファスシリコンMSM型光導電素子の周波数特性金沢大院 電子情報¹，北陸先端大 マテリアル^{2 ○（M1）}乙坂英志¹，河原健志¹，丸山武男¹，飯山宏一¹，大平圭介²，松村英樹²
•  昼食　12:00〜13:00

17p-H - 1〜6

• 1フォトダイオード応答非直線性要因の理論的・実験的検証産総研計測標準 ^○雨宮邦招，田辺　稔，福田大治，沼田孝之，座間達也
• 2イオン注入・拡散フリー新構造InP/InGaAsアバランシェフォトダイオードNTT フォトニクス研 ^○名田允洋，村本好史，横山春喜，重川直輝
• 3ウェハボンディングにより形成したヘテロ接合Ge/Si-APD高知工科大 ^○宮地伸英，神戸　宏
• 4高光子検出効率APDの開発情通機構¹，JST ERATO-SORST²，豊橋技科大^{3 ○}秋葉　誠¹，辻野賢治²，澤田和明³，佐々木雅英¹
• 5ゲート幅拡張APD単一光子検出器阪大工¹，JST-CREST² 金田真也¹，武田　真^1,2，^○清水勝一郎^1,2，井上　恭^1,2
• 6高温動作するInAsSb赤外線センサ浜松ホトニクス ^○田中章雅，鈴木規人，三宅崇之