OYO BUTURI
Vol.86
No.8
2017
8
20178868673
応用物理 第86巻 第8号 (2017)
研究紹介

金属/Ge界面におけるフェルミレベルピンニングの制御

西村 知紀1鳥海 明1

Siより高い電子・正孔の移動度をもつGeは次世代CMOSデバイスにおけるチャネル材料として有力視されているが,一方で金属/Ge界面では金属の真空仕事関数によらずほぼ一定のショットキー障壁を形成する,いわゆる極めて強いフェルミレベルピンニング(FLP)を生じることで知られる.現実的に微細化されたデバイスでは寄生抵抗低減の観点からも,金属/Ge界面のショットキー障壁の低減,すなわちFLPの抑制が不可欠である.Applied Physics Express創刊当時,我々は数多くの議論があるFLPの起源の中の1つのモデルに注目し,“極薄界面層の導入によるFLPの抑制”を実験的に示すことに成功したが,本稿では当時の研究やその後の応用展開に加え,最近の新たな進展についても紹介したい.

  • 1 東京大学 大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
応用物理 第86巻 第8号 p.673 (2017) 掲載