基礎講座 〈今さら聞けない？　基礎中の基礎〉

応用物理、第79巻、第2号、p.0160-0164 (2010)

半導体の不純物によるキャリアと 反転層のキャリアの違いは？ 内田　建 　MOSトランジスタは，ゲート電極に与える電圧によって半導体表面のキャリア数を変化させることでスイッチ素子として機能している．本稿では，MOSキャパシターのゲート電圧と容量の関係を題材として，半導体中の多数キャリアと少数キャリアについて議論する．

東京工業大学大学院 理工学研究科電子物理工学専攻 [full text PDF](556KB)

Fundamental Lectures

OYO BUTURI, Vol.79, No.02, p.0160-0165 (2010)

Carriers from impurities in semiconductors and carriers in inversion-layer of MOS structures Ken UCHIDA 　In metal-oxide-semiconductor (MOS) field-effect transistors (FETs), the number of charged carriers is controlled externally to realize the switching operation. In this paper, the operation of MOS capacitor is reviewed focusing on the gate voltage dependence of the numbers of majority and minority carriers.

Tokyo Institute of Technology Department of Physical Electronics Keywords：MOSFET, FET, depletion, inversion, accumulation, surface potential, Fermi level, threshold voltage, quantum confinement, intrinsic carrier, capacitor, dopant, impurity