InP基板上に作製されたヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）の高周波応答速度が，ここ数年での報告で急速に伸びている．電力増幅の指標である最大発振周波数の報告値は1THzを超え，あらゆるトランジスタの中で最高の値を示し，今後の光通信用超高速回路や超高速アナログ−デジタル混載回路などへの回路応用が強く期待されている．本報告では，InP系HBTの最近の高速化のための手法と，今後の展望について述べる．

InP-based heterojunction bipolar transistors (HBTs) have shown rapid progress in achieving high-frequency performance. The reported maximum oscillation frequency (fmax) is over 1 THz, higher than that for any other type of transistor. This high performance of InP HBTs will be utilized in the area of optical fiber communications and high-speed analog/digital mixed signal circuits. In this report, recent approaches to obtaining high-speed HBTs are described. The prospects for future HBTs are also discussed.