総合報告
III-V族化合物半導体低次元量子構造の作製
福井孝志・原真二郎・熊倉一英
応用物理、
第67巻、第7号、
pp.776-786（1998）
結晶成長技術を利用して，異なる2つの半導体材料を積み重ねた，半導体へテロ接合構造形成の研究の進展は，量子井戸のみならず，量子細線および量子ドット構造の形成を可能にしつつある．ここでは，GaAsを中心としたIII-V族化合物半導体ヘテロ構造のエピタキシャル成長技術を利用することにより，電子（あるいは正孔）を，一次元および零次元に閉じ込めた量子細線，量子ドット構造の作製法に関して報告する．
Fabrication of III-Vsemiconductor low-dimensional structures
Takashi FUKUI, Shinjiroh HARA and Kazuhide KUMAKURA
OYO BUTURI,
Vol.67, No.7,
pp.776-786 (1998)
Recent progress in epitaxial growth techniques of semiconductor heterostructures enables the formation of low- dimensional (1 or 0) electron and hole states utilizing self-organized methods. In this paper, the direct fabrication methods of III-V semiconductor quantum wires and quantum dots by crystal growth using vicinal surfaces, masked substrate, patterned substrate and lattice mismatching materials are reviewed.
Keywords : quantum wire, quantum dot, MBE, MOVPE, III-V semiconductor, nano-structures