応用物理, 第64巻, 第11号 (1995)

• 巻頭言
  • 国際交流　　浜口 千壽

• 総合報告
  • シリコンデバイスの微細化と性能限界　　岩井　洋，百瀬 寿代

• 解説
  • SiO2／Si界面形成の原子スケール制御　　服部 健雄
  • シリコン結晶中のリン拡散におけるリン-空孔対拡散モデル 　　吉田 正幸
  • 高温超伝導薄膜のエピタキシャル方位制御　　宮澤　信太郎，向田　昌志
  • SOIデバイスの研究開発動向　　井上 靖朗，山口 泰男

• 最近の展望
  • X線リソグラフイ技術の現状と将来展望　　山下 吉雄
  • プラズマエッチングによる超LSlデバイスへのダメージとその抑制　　 野尻　一男，水谷　実
  • 半導体のイオン照射誘起欠陥とその動的振舞い − プロセス応用への展望 一　　 鶴島稔夫
  • レーザー分子線エピタキシー法による酸化物薄膜の分子層制御 　　川崎 雅司，高橋 和浩，鯉沼 秀臣

• 研究紹介
  • 超高真空気相成長法によるシリコン低温結晶成長における水素の効果 　　辰巳　徹，酒井　朗，宮永　恵子
  • シリコン中の鉄原子の再結合促進移動を利用した構造的に準安定な 鉄-ポロン・ペアの生成 　　中島　寛
  • 高温超伝導薄膜の液相エピタキシャル成長 　　北村　祐，平林　泉

• 講義　
  • 研究者のためのインターネット入門 (2) 　　北野正雄

• 技術ノート　＜最先端半導体プロセス技術＞
  • リソグラフィ技術　　岡崎信次
  • プラズマエッチング技術 　　堀岡 啓治，林　久貴，粟原 一彰，円根　誠
  • ULSl配線のための金属薄膜形成技術　　吉川 公麿

• 談話室
  • 半導体産学共同研究推進組織の提案 　　上田　潤，岡部 太郎

• ぶらっくぼーど
  • フォノン95国際会議 (Phonon 95) 報告 　　中山 恒義