応用物理, 第64巻, 第7号 (1995)

• 巻頭言
  • 結晶工学の新展開と安全工学　　赤井 槙一

• 総合報告
  • ワイドギャップ半導体シリコンカーバイドのバルク単結晶成長 　　金谷 正敏，大谷　昇，高橋　淳，西川　猛，勝野 正和

• 解説
  • 半導体量子微細構造制御の基本的限界　　和田 一実
  • 有機金属気相成長法による選択成長技術の集積光デバイスへの応用 　　青木 雅博
  • ガスソース分子線エピタキシー法によるリン系化合物半導体の 原子オーダー制御　　朝日　一

• 最近の展望
  • 量子井戸サブバンド間遷移レーザー 　　納富 雅也，浅井 裕充，吉國 裕三
  • 単結晶金属格子の弾性異常 　　阪上　潔，寺内　暉，吉原　章
  • 電磁キャスト法による多結晶シリコンインゴットの連続作製 　　金子 恭二郎
  • エレクトロニクス製品におけるエコロジーの視点 　　藤本　淳

• 研究紹介
  • 多形を有する半導体 SiC 単結晶のステップ制御エピタキシー 　　木本 恒暢，松波 弘之
  • 有機−無機ヘテロナノシステムの形成　　高田　純
  • SOI 構造を用いた高温用高感度圧力センサー 　　石田　誠，李　榮泰
  • 光変調型エリプソメトリーを用いた III-V 化合物半導体の 電子物性評価　　斉藤　忠，熊　逸明

• 講義　
  • 研究者のためのインターネット入門 (1) 　　北野 正雄

• 技術ノート　＜ワイドギャップ半導体の不純物ドープ＞
  • 高濃度ドープ　−理論と現状−　　白樫 淳一，小長井 誠
  • 窒素ラジカルドーピング法　　大川 和宏
  • 有機金属気相成長法　　　　　中村 修二
  • 高温イオン注入法　　　　　　宮嶋　健，戸倉 規仁， 原　邦彦，夫馬 弘雄