研究紹介
超高真空原子間力顕微鏡による化合物半導体へき開面の接触
および非接触原子分解能観察
太田 昌弘，上山 仁司，菅原 康弘，森田 清三
応用物理, 第64巻,
第6号, pp.583-587 (1995)
「AMFは本当に探針先端の1個の原子と試料表面の1個の原子の間に働く
単一の原子間力を測定しているのか？」という疑問が投げかけられている．
そこで，AFMによる単原子観測条件解明のためのひとつのアプローチとして，
UHV-AFMを用いて化合物半導体へき開面観察を行った．接触モードの測定では，
GaAsとInP，InAs，ZnSSeの（110）へき開面で原子分解能観察に初めて成功した．
またInP（110）へき開面において非接触モードのUHV-AFM観察を行った結果，
初めて原子分解能観察に成功するとともに，
接触モードでは観測することができなかった格子欠陥も観察することができた．
Masahiro OHTA, Hitoshi UEYAMA, Yasuhiro
SUGAWARA and Seizo MORITA
OYO BUTURI,
vol.64,
No.6, pp.583-587 (1995)
Atomicresolution image of cleaved (110) surfaces of GaAs, InP,
InAs and ZnSSe with an ultrahigh-vacuum atomic force microscope (UHV-AFM)
were obtained in the contact mode, for the first time.
On the GaAs (110) surface, we observed that the rows of atomic protrusions
along the [110] direction were slightly zigzag,
which might be interpreted as quasi-one-dimensional zigzag chains
consisting of alternating Ga and As atom.
We also observed that the rectangular lattice of surface destroyed
by sequential scanning.
Furthermore, we succeeded in obtaining the first atomic-resolution image
of a cleaved InP (110) surface with a UHV-AFM in the noncontact mode.
Point defects on the surface could also be obtained.
Keywords : atomic resolution, ultrahigh vacuum atomic force microscope,
cleaved surface, compound semiconductor, contact mode,
non-contact, point defects