研究紹介
InAs/Al(Ga)Sb ヘテロ構造の界面制御と光物性
矢野 満明，井上 正崇，岩本 嘉男
応用物理, 第64巻,
第2号, pp.150-154 (1995)
最近，高速電子デバイスや長波長光デバイスへの応用を目指して，
InAs/AlSb や InAs/GaSb のヘテロ接合が注目されている．
これらの系ではそれぞれ二種類の界面ボンド，
InAs/AlSb を例に取ると In-Sb または Al-As が選択可能で，
これによってヘテロ接合の電気的・光学的特性が大きく変化する．
しかし III族元素のみならず V族元素も入れ替わる界面の制御は困難で，
現在でも十分な技術は完成されていない．
本稿では分子線エピタキシーによる結晶成長技術の現状と，
界面ボンドがヘテロ接合に与える影響をラマン散乱やフォトルミネッセンスで解析した結果を紹介する．
また，デバイス応用の現状についても簡単に概説する．
Mitsuaki YANO, Masataka INOUE and Yoshio IWAI
OYO BUTURI,
vol.64,
No.2, pp.150-154 (1995)
InAs/AlSb and InAs/GaSb are promising candidates for high-speed and
long-wavelength optical devices. The electric and optical properties of the
heterosystem depend on the types of interface bonds, In-Sb or Al(Ga)-As,
although precise control of these has been difficult.
In this paper, we report recent work on the interface control using
molecular beam epitaxy. The structural and optical properties of the
heterostructures are discussed on the basis of Raman scattering and
photoluminescence data. We also summarize the device applications of
this heterosystem.
Keywords : indium arsenide/aluminum gallium antimonide, heterointerface,
intraface bond, superlattice, single quantum well,
molecular beam epitaxy, Raman scattering, photoluminescence